WSR140N12 N- قانال 120V 140A TO-220-3L WINSOK MOSFET

قىسقا چۈشەندۈرۈش:

مودېل نومۇرى:WSR140N12

BVDSS:120V

RDSON:5mΩ

كىملىك:140A

Channel:N-channel

ئورالمىسى:TO-220-3L

مەھسۇلات خۇلاسىسى:WSR140N12 MOSFET نىڭ توك بېسىمى 120V ، ئېقىمى 140A ، قارشىلىق كۈچى 5mΩ ، قانال N- قانال ، ئورالمىسى TO-220-3L.

قوللىنىشچان پروگراممىلار:توك بىلەن تەمىنلەش ، داۋالاش ، ئاساسلىق ئېلېكتر سايمانلىرى ، BMS قاتارلىقلار.

سۈرۈشتۈرۈش ئەۋەتىش PDF

مەھسۇلات تەپسىلاتى

ئىلتىماس

مەھسۇلات خەتكۈچلىرى

ئادەتتىكى چۈشەندۈرۈش

WSR140N12 ئەڭ يۇقىرى ئىقتىدارلىق ھۈجەيرە N-ch MOSFET بولۇپ ، ئىنتايىن يۇقىرى ھۈجەيرە زىچلىقى بار ، ماس قەدەملىك پۇل ئالماشتۇرۇش پروگراممىلىرىنىڭ كۆپىنچىسى ئۈچۈن ئېسىل RDSON ۋە دەرۋازا ھەققى بىلەن تەمىنلەيدۇ. WSR140N12 RoHS ۋە يېشىل مەھسۇلات تەلىپىگە ماس كېلىدۇ ،% 100 EAS تولۇق ئىقتىدارنىڭ ئىشەنچلىكلىكىگە كاپالەتلىك قىلىدۇ.

Features

ئىلغار يۇقىرى ھۈجەيرە زىچلىقى ئۆستەڭ تېخنىكىسى ، دەرىجىدىن تاشقىرى تۆۋەن دەرۋازا توك قاچىلاش ، ئېسىل CdV / dt ئۈنۈم تۆۋەنلەش ،% 100 EAS كاپالەتكە ئىگە ، يېشىل ئۈسكۈنىلەر بار.

قوللىنىشچان پروگراممىلار

يۇقىرى چاستوتىلىق يۈك-تاق ماس قەدەملىك باك ئايلاندۇرغۇچ ، تور DC-DC ئېلېكتر سىستېمىسى ، توك بىلەن تەمىنلەش ، داۋالاش ، ئاساسلىق ئېلېكتر سايمانلىرى ، BMS قاتارلىقلار.

ماس كېلىدىغان ماتېرىيال نومۇرى

ST STP40NF12 قاتارلىقلار.

مۇھىم پارامېتىرلار

بەلگە	پارامېتىر	باھا	Units
VDS	Drain-Source Voltage	120	V
VGS	دەرۋازا مەنبەلىك توك بېسىمى	± 20	V
ID	ئۈزلۈكسىز سۇ چىقىرىش ئېقىمى ، VGS @ 10V (TC = 25 ℃)	140	A
IDM	Pulsed Drain Current	330	A
EAS	يەككە تومۇر قار كۆچۈش ئېنېرگىيىسى	400	mJ
PD	ئومۇمىي توك تارقىتىش ... C = 25 ℃)	192	W
RθJA	ئىسسىقلىق قارشىلىقى ، تۇتاشتۇرۇش مۇھىتى	62	℃ / W.
RθJC	ئىسسىقلىق قارشىلىقى ، تۇتاشتۇرۇش قېپى	0.65	℃ / W.
TSTG	ساقلاش تېمپېراتۇرىسى دائىرىسى	-55 دىن 150 گىچە	℃
TJ	مەشغۇلات ئۇلىنىش تېمپېراتۇرىسى دائىرىسى	-55 دىن 150 گىچە	℃

بەلگە	پارامېتىر	شەرتلەر	Min.	تىپ.	Max.	بىرلىك
BVDSS	سۇ چىقىرىش مەنبەسى بۇزۇلۇش بېسىمى	VGS = 0V, ID = 250uA	120	---	---	V
RDS (ON)	تۇراقلىق سۇ چىقىرىش مەنبەسى قارشىلىق كۆرسىتىش 2	VGS = 10V, ID = 30A	---	5.0	6.5	mΩ
VGS (th)	دەرۋازا بوسۇغىسى بېسىمى	VGS = VDS, ID = 250uA	2.0	---	4.0	V
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS = 120V, VGS = 0V, TJ = 25 ℃	---	---	1	uA
IGSS	دەرۋازا مەنبە ئېقىمى ئېقىمى	VGS = ± 20V ، VDS = 0V	---	---	± 100	nA
Qg	ئومۇمىي دەرۋازا ھەققى	VDS = 50V ، VGS = 10V ، ID = 15A	---	68.9	---	nC
Qgs	دەرۋازا مەنبە ھەققى		---	18.1	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	15.9	---
Td (on)	كېچىكتۈرۈش ۋاقتى	VDD = 50V, VGS = 10VRG = 2Ω, ID = 25A	---	30.3	---	ns
Tr	Rise Time		---	33.0	---
Td (off)	تاقاش ۋاقتى		---	59.5	---
Tf	چۈشۈش ۋاقتى		---	11.7	---
Ciss	كىرگۈزۈش ئىقتىدارى	VDS = 50V, VGS = 0V, f = 1MHz	---	5823	---	pF
كوس	چىقىرىش ئىقتىدارى		---	778.3	---
Crss	تەتۈر يۆتكىلىش ئىقتىدارى		---	17.5	---