MOSFET نىڭ قانداق ئىقتىدارلىرى بار؟

MOSFET نىڭ ئىككى چوڭ تىپى بار: بۆلۈش ئېغىزى تىپى ۋە يېپىق شەكىلدىكى دەرۋازا تىپى. JOS MOSFET (JFET) نىڭ ئىسمى PN ئۇلىنىشى ۋە يېپىق دەرۋازىسى بولغانلىقى ئۈچۈنMOSFET(JGFET) ئىسمى باشقا ئېلېكتر قۇتۇبىدىن پۈتۈنلەي يېپىق بولغاچقا ، ئىسمى قويۇلغان. ھازىر ، يېپىق ھالەتتىكى دەرۋازا MOSFETs ئىچىدە ، ئەڭ كۆپ قوللىنىدىغىنى MOSFET بولۇپ ، MOSFET (مېتال ئوكسىد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ MOSFET) دەپ ئاتىلىدۇ. بۇنىڭدىن باشقا ، PMOS ، NMOS ۋە VMOS قۇۋۋىتى MOSFETs ، شۇنداقلا يېقىندا بازارغا سېلىنغان πMOS ۋە VMOS توك مودۇلى قاتارلىقلار بار.

 

ئوخشىمىغان قانال يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللىرىغا ئاساسەن ، ئۇلىنىش تىپى ۋە ئىزولياتورلۇق دەرۋازا تىپى قانال ۋە P قانىلىغا ئايرىلىدۇ. ئەگەر توك ئۆتكۈزۈش ھالىتىگە ئاساسەن بۆلۈنسە ، MOSFET نى خورىتىش تىپى ۋە كۈچەيتىش تىپىغا ئايرىشقا بولىدۇ. ئۇلىنىش MOSFETs نىڭ ھەممىسى خورىتىش تىپى بولۇپ ، يېپىق ھالەتتىكى دەرۋازا MOSFETs ھەم خورىتىش تىپى ۋە كۈچەيتىش تىپى.

مەيدان ئېففېكتى تىرانسفورموتورنى تۇتاشتۇرۇش مەيدانى ئۈنۈم ترانس ist ور ۋە MOSFET دەپ ئايرىشقا بولىدۇ. MOSFETs تۆت تۈرگە بۆلىنىدۇ: N قانالنىڭ خورىتىش تىپى ۋە كۈچەيتىش تىپى ؛ P قانالنىڭ خورىتىش تىپى ۋە كۈچەيتىش تىپى.

 

MOSFET نىڭ ئالاھىدىلىكى

MOSFET نىڭ ئالاھىدىلىكى جەنۇب دەرۋازا بېسىمى UG; ئۇنىڭ سۇ چىقىرىش ئېقىمىنى كونترول قىلىدۇ. ئادەتتىكى ئىككى قۇتۇپلۇق ترانس ist ورستورغا سېلىشتۇرغاندا ، MOSFETs يۇقىرى كىرگۈزۈش توسالغۇسى ، تۆۋەن شاۋقۇن ، چوڭ ھەرىكەتچان دائىرە ، تۆۋەن توك سەرپىياتى ۋە ئاسان بىرىكىش ئالاھىدىلىكىگە ئىگە.

 

مەنپىي يان بېسىمى (-UG) نىڭ مۇتلەق قىممىتى ئۆسكەندە ، خورىتىش قەۋىتى ئاشىدۇ ، قانال تۆۋەنلەيدۇ ، سۇ چىقىرىش ئېقىمى كىملىك ​​تۆۋەنلەيدۇ. مەنپىي يان بېسىمى (-UG) نىڭ مۇتلەق قىممىتى تۆۋەنلىسە ، خورىتىش قەۋىتى تۆۋەنلەيدۇ ، قانال كۆپىيىدۇ ، سۇ چىقىرىش ئېقىمى كىملىكى ئاشىدۇ. بۇنىڭدىن كۆرۈۋېلىشقا بولىدۇكى ، ئېرىق ئېقىمى كىملىكى دەرۋازا بېسىمى تەرىپىدىن كونترول قىلىنىدۇ ، شۇڭا MOSFET توك بېسىمىنى كونترول قىلىدىغان ئۈسكۈنە ، يەنى چىقىرىش ئېقىمىنىڭ ئۆزگىرىشى كىرگۈزۈش بېسىمىنىڭ ئۆزگىرىشى ئارقىلىق كونترول قىلىنىدۇ ، شۇڭا كۈچەيتىش ۋە باشقا مەقسەتلەر.

 

ئىككى قۇتۇپلۇق ترانسېنىستورغا ئوخشاش ، MOSFET كۈچەيتىش قاتارلىق توك يولىدا ئىشلىتىلگەندە ، ئۇنىڭ دەرۋازىسىغا بىر تەرەپلىمىلىك توك بېسىمى قوشۇش كېرەك.

تۇتاشتۇرۇش مەيدانى ئۈنۈم تۇرۇبىسىنىڭ دەرۋازىسىنى تەتۈر يان بېسىش بېسىمى بىلەن ئىشلىتىش كېرەك ، يەنى N قانال تۇرۇبىسىغا مەنپىي دەرۋازا بېسىمى ئىشلىتىش ، P قانال تۇرۇبىسىغا مۇسبەت دەرۋازا ئىشلىتىش كېرەك. مۇستەھكەملەنگەن يېپىق دەرۋازا MOSFET ئالدى دەرۋازا بېسىمىنى ئىشلىتىشى كېرەك. MOSFET ئىزولياتورلۇق ھالىتىدىكى ئىشىكنىڭ توك بېسىمى مۇسبەت ، مەنپىي ياكى «0» بولىدۇ. بىر تەرەپلىمە قاراش قوشۇش ئۇسۇلى مۇقىم بىر تەرەپلىمە ئۇسۇل ، ئۆزى تەمىنلىگەن بىر تەرەپلىمە قاراش ، بىۋاسىتە تۇتاشتۇرۇش ئۇسۇلى قاتارلىقلارنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ.

MOSFETDC پارامېتىرلىرى ، AC پارامېتىرلىرى ۋە چەك پارامېتىرلىرىنى ئۆز ئىچىگە ئالغان نۇرغۇن پارامېتىرلىرى بار ، ئەمما نورمال ئىشلىتىشتە ، سىز پەقەت تۆۋەندىكى ئاساسلىق پارامېتىرلارغا دىققەت قىلىشىڭىز كېرەك: تويۇنغان سۇ مەنبەسىنىڭ نۆۋەتتىكى IDSS چىملىق توك بېسىمى يۇقىرى ، (ئۇلىنىش تۇرۇبىسى ۋە خورىتىش ھالىتى يېپىق ھالەتتە) دەرۋازا تۇرۇبىسى ياكى قوزغىتىش توك بېسىمى UT (كۈچەيتىلگەن ئىزولياتسىيىلىك دەرۋازا تۇرۇبىسى) ، ئۆتكۈزگۈچ gm ، سۇ چىقىرىش مەنبەسىنىڭ بۇزۇلۇش بېسىمى BUDS ، ئەڭ چوڭ توك تارقىتىش PDSM ۋە ئەڭ چوڭ سۇ چىقىرىش مەنبەسى IDSM.

(1) تويۇنغان سۇ مەنبەسى

تويۇنغان سۇ چىقىرىش مەنبەسى IDSS دەرۋازا بېسىمى UGS = 0 تۇتاشتۇرۇلغان ياكى خورىغان يېپىق ھالەتتىكى MOSFET ئېغىزىدىكى توك مەنبەسىنى كۆرسىتىدۇ.

(2) توك بېسىمى

چىملىق توك بېسىمى UP ئۇلىنىش ئېغىزى ياكى توك چىقىرىش تىپىدىكى يېپىق ھالەتتىكى MOSFET ئېغىزىدا ئۈزۈلۈپ قالغاندا دەرۋازا بېسىمىنى كۆرسىتىدۇ. N قانال تۇرۇبىسىنىڭ UGS-ID ئەگرى سىزىقى ئۈچۈن 4-25 دە كۆرسىتىلگەندەك ، IDSS ۋە UP نىڭ مەنىسىنى ئېنىق كۆرگىلى بولىدۇ.

(3) توك بېسىمىنى قوزغىتىش

قوزغىتىش توك بېسىمى UT كۈچەيتىلگەن ئىزولياتسىيىلىك دەرۋازا MOSFET دا سۇ چىقىرىش مەنبەسىنى ئۇلىغاندا دەرۋازا بېسىمىنى كۆرسىتىدۇ. 4-27-رەسىمدە N قانال تۇرۇبىسىنىڭ UGS-ID ئەگرى سىزىقى كۆرسىتىلدى ، UT نىڭ مەنىسىنى ئېنىق كۆرگىلى بولىدۇ.

(4) ئۆتكۈنچى

ئۆتكۈزگۈچ gm دەرۋازا مەنبەلىك توك بېسىمى UGS نىڭ سۇ چىقىرىش ئېقىمى كىملىكىنى كونترول قىلىش ئىقتىدارىغا ۋەكىللىك قىلىدۇ ، يەنى سۇ چىقىرىش ئېقىمى كىملىكىنىڭ ئۆزگىرىشى بىلەن دەرۋازا مەنبەلىك توك بېسىمى UGS نىڭ ئۆزگىرىشى. 9m بولسا كېڭەيتىش ئىقتىدارىنى ئۆلچەيدىغان مۇھىم پارامېتىرMOSFET.

(5) سۇ چىقىرىش مەنبەسىنىڭ بۇزۇلۇش بېسىمى

سۇ چىقىرىش مەنبەسىنىڭ بۇزۇلۇش بېسىمى BUDS دەرۋازا مەنبەلىك توك بېسىمى UGS تۇراقلىق بولغاندا MOSFET قوبۇل قىلالايدىغان ئەڭ چوڭ سۇ چىقىرىش مەنبە بېسىمىنى كۆرسىتىدۇ. بۇ چەكلەش پارامېتىرى ، MOSFET غا ئىشلىتىلگەن مەشغۇلات بېسىمى چوقۇم BUDS دىن تۆۋەن بولۇشى كېرەك.

(6) ئەڭ چوڭ توك تارقىتىش

ئەڭ چوڭ توك تارقىتىش PDSM مۇ چەكلىمە پارامېتىرى بولۇپ ، MOSFET ئىقتىدارىنىڭ ناچارلاشماي تۇرۇپ رۇخسەت قىلىنغان ئەڭ چوڭ توك مەنبەسىنىڭ تارقىلىشىنى كۆرسىتىدۇ. ئىشلەتكەندە ، MOSFET نىڭ ئەمەلىي توك سەرپىياتى PDSM دىن تۆۋەن بولۇشى ھەمدە مەلۇم ئارىلىق قالدۇرۇشى كېرەك.

(7) ئەڭ چوڭ سۇ چىقىرىش مەنبەسى

ئەڭ چوڭ سۇ چىقىرىش مەنبەسى IDSM يەنە بىر چەكلىمە پارامېتىرى بولۇپ ، MOSFET نورمال مەشغۇلات قىلغاندا ، ئېرىق بىلەن مەنبە ئوتتۇرىسىدا ئۆتۈشكە رۇخسەت قىلىنغان ئەڭ چوڭ توكنى كۆرسىتىدۇ. MOSFET نىڭ مەشغۇلات ئېقىمى IDSM دىن ئېشىپ كەتمەسلىكى كېرەك.

1. MOSFET نى كېڭەيتىشكە ئىشلىتىشكە بولىدۇ. MOSFET كۈچەيتكۈچنىڭ كىرگۈزۈش توسالغۇسى ئىنتايىن يۇقىرى بولغاچقا ، تۇتاشتۇرۇش كوندېنساتورى كىچىك بولىدۇ ، ئېلېكترولىتلىق كوندېنساتورنى ئىشلىتىشنىڭ ھاجىتى يوق.

2. MOSFET نىڭ يۇقىرى كىرگۈزۈش توسالغۇسى توسالغۇنى ئۆزگەرتىشكە ئىنتايىن ماس كېلىدۇ. ئۇ كۆپ باسقۇچلۇق كۈچەيتكۈچنىڭ كىرگۈزۈش باسقۇچىدا توسالغۇنى ئۆزگەرتىشكە ئىشلىتىلىدۇ.

3. MOSFET نى ئۆزگىرىشچان قارشىلىق ئورنىدا ئىشلىتىشكە بولىدۇ.

4. MOSFET نى دائىملىق تۇراقلىق مەنبە سۈپىتىدە ئىشلىتىشكە بولىدۇ.

5. MOSFET نى ئېلېكترونلۇق ئالماشتۇرغۇچ ئورنىدا ئىشلىتىشكە بولىدۇ.

 

MOSFET نىڭ ئىچكى قارشىلىقى تۆۋەن ، يۇقىرى بېسىملىق توك بېسىمى ، تېز ئالماشتۇرۇش ۋە قار كۆچۈش ئېنىرگىيىسى قاتارلىق ئالاھىدىلىكلەرگە ئىگە. لايىھەلەنگەن توكنىڭ ئۇزۇنلۇقى 1A-200A ، توك بېسىمى 30V-1200V. بىز خېرىدارلارنىڭ قوللىنىشچان ساھەلىرى ۋە قوللىنىش پىلانىغا ئاساسەن ئېلېكتر پارامېتىرلىرىنى تەڭشىيەلەيمىز ، خېرىدارلارنىڭ مەھسۇلاتنىڭ ئىشەنچلىكلىكى ، ئومۇمىي ئايلىنىش ئۈنۈمى ۋە مەھسۇلات باھاسىنىڭ رىقابەت كۈچىنى ئۆستۈرىمىز.

 

MOSFET vs Transistor سېلىشتۇرۇش

(1) MOSFET توك بېسىمىنى كونترول قىلىش ئېلېمېنتى ، ترانس ist ور بولسا نۆۋەتتىكى كونترول ئېلېمېنتى. سىگنال مەنبەسىدىن پەقەت ئاز مىقداردا توك ئېلىشقا رۇخسەت قىلىنغاندا ، MOSFET ئىشلىتىش كېرەك. سىگنال بېسىمى تۆۋەن بولۇپ ، سىگنال مەنبەسىدىن كۆپ مىقداردا توك ئېلىشقا رۇخسەت قىلىنغاندا ، تىرانسفورماتور ئىشلىتىش كېرەك.

. ئۇ ئىككى قۇتۇپلۇق ئۈسكۈنە دەپ ئاتىلىدۇ.

.

. شۇڭلاشقا ، MOSFETs چوڭ تىپتىكى توپلاشتۇرۇلغان توك يولىدا كەڭ قوللىنىلدى.

 

MOSFET نىڭ سۈپىتى ۋە قۇتۇپلىقىغا قانداق ھۆكۈم قىلىش كېرەك

كۆپ مېتىرنىڭ دائىرىسىنى RX1K غا تاللاڭ ، قارا سىناق قوغۇشۇننى D قۇتۇبىغا ، قىزىل سىناق بولسا S قۇتۇبىغا تۇتىشىدۇ. G ۋە D قۇتۇبىنى قولىڭىز بىلەن بىرلا ۋاقىتتا تۇتۇڭ. MOSFET شۇئان ئۆتكۈزگۈچ ھالەتتە بولۇشى كېرەك ، يەنى مېتىر يىڭنىسى كىچىكرەك قارشىلىق كۈچىگە قاراپ تەۋرەيدۇ. ، ئاندىن قولىڭىز بىلەن G ۋە S قۇتۇبىغا تېگىڭ ، MOSFET نىڭ ھېچقانداق ئىنكاسى بولماسلىقى كېرەك ، يەنى مېتىر يىڭنىسى نۆل ئورۇنغا قايتمايدۇ. بۇ ۋاقىتتا ، MOSFET نىڭ ياخشى تۇرۇبا ئىكەنلىكىگە ھۆكۈم قىلىش كېرەك.

كۆپ مېتىرنىڭ دائىرىسىنى RX1K غا تاللاڭ ، ھەمدە MOSFET نىڭ ئۈچ قېپى ئوتتۇرىسىدىكى قارشىلىقنى ئۆلچەڭ. ئەگەر بىر مىخ بىلەن باشقا ئىككى مىخنىڭ قارشىلىقى چەكسىز بولسا ، ھەمدە سىناق قوغۇشۇننى ئالماشتۇرغاندىن كېيىن يەنىلا چەكسىز بولسا ، ئۇنداقتا بۇ مىخ G قۇتۇبى ، قالغان ئىككى ساندۇق S قۇتۇبى ۋە D قۇتۇبى. ئاندىن كۆپ قۇتۇپ ئىشلىتىپ S قۇتۇبى بىلەن D قۇتۇبى ئوتتۇرىسىدىكى قارشىلىق قىممىتىنى بىر قېتىم ئۆلچەڭ ، سىناق قوغۇشۇننى ئالماشتۇرۇڭ ۋە قايتا ئۆلچەڭ. قارشىلىق قىممىتى كىچىكرەك بولسا قارا. سىناق قوغۇشۇن S قۇتۇبىغا ، قىزىل سىناق قوغۇشۇن D قۇتۇبىغا ئۇلىنىدۇ.

 

MOSFET بايقاش ۋە ئىشلىتىش ئالدىنى ئېلىش تەدبىرلىرى

1. كۆرسەتكۈچ كۆپ مېتىر ئىشلىتىپ MOSFET نى ئېنىقلاڭ

1) قارشىلىق ئۆلچەش ئۇسۇلىنى ئىشلىتىپ ، MOSFET ئۇلىنىشىدىكى ئېلېكترودنى ئېنىقلاڭ

MOSFET نىڭ PN ئۇلىنىشىنىڭ ئالدى ۋە تەتۈر قارشىلىق قىممىتى ئوخشىمايدىغان ھادىسىگە ئاساسەن ، MOSFET ئۇلىنىشىدىكى ئۈچ ئېلېكترودنى پەرقلەندۈرگىلى بولىدۇ. كونكرېت ئۇسۇل: كۆپ مېتىرنى R × 1k دائىرىسىگە تەڭشەڭ ، ھەر قانداق ئىككى ئېلېكترودنى تاللاڭ ھەمدە ئۇلارنىڭ ئالدى ۋە تەتۈر قارشىلىق قىممىتىنى ئۆلچەڭ. ئىككى ئېلېكترودنىڭ ئالدى ۋە تەتۈر قارشىلىق قىممىتى تەڭ بولغاندا ۋە نەچچە مىڭ ئوم بولغاندا ، ئۇنداقتا بۇ ئىككى ئېلېكترود ئايرىم-ئايرىم ھالدا D ۋە D مەنبە بولىدۇ. MOSFETs ئۇلىنىشى ئۈچۈن ، سۇ چىقىرىش ۋە مەنبە ئۆز-ئارا ئالمىشىپ تۇرىدىغان بولغاچقا ، قالغان ئېلېكترود چوقۇم G دەرۋازىسى بولۇشى كېرەك. سىز يەنە ھەر بىر ئېلېكتر قۇتۇبىغا كۆپ مېتىرلىق قارا سىناق قوغۇشۇن (قىزىل سىناق قوغۇشۇننىمۇ قوبۇل قىلىشقا بولىدۇ) غا تېگىشسىڭىز بولىدۇ ، باشقا سىناقلار كەلتۈرۈپ چىقىرىدۇ. قالغان ئىككى ئېلېكترودقا تەرتىپ بويىچە تېگىپ قارشىلىق قىممىتىنى ئۆلچەڭ. ئىككى قېتىم ئۆلچەنگەن قارشىلىق قىممىتى تەخمىنەن تەڭ بولغاندا ، قارا سىناق قوغۇشۇن بىلەن ئۇچراشقان ئېلېكترود دەرۋازا ، قالغان ئىككى ئېلېكترود ئايرىم-ئايرىم ھالدا سۇ چىقىرىش ۋە مەنبە. ئەگەر ئىككى قېتىم ئۆلچەم قىلىنغان قارشىلىق قىممىتى ھەر ئىككىسى ناھايىتى چوڭ بولسا ، بۇ ئۇنىڭ PN ئۇلىنىشىنىڭ تەتۈر يۆنىلىشى ئىكەنلىكىدىن دېرەك بېرىدۇ ، يەنى ھەر ئىككىسى تەتۈر قارشىلىق. ئۇنىڭ N قانال MOSFET ئىكەنلىكىنى جەزملەشتۈرگىلى بولىدۇ ، قارا سىناق قوغۇشۇن دەرۋازىغا ئۇلىنىدۇ. ئەگەر ئىككى قېتىم ئۆلچەم قىلىنغان قارشىلىق قىممىتى قارشىلىق قىممىتى ئىنتايىن كىچىك بولسا ، بۇ ئۇنىڭ ئالدى PN ئۇلىنىشى ، يەنى ئالغا ئىلگىرىلەش قارشىلىقىنى كۆرسىتىدۇ ، ھەمدە ئۇ P قانال MOSFET دەپ بېكىتىلدى. قارا سىناق قوغۇشۇنمۇ دەرۋازىغا ئۇلانغان. ئەگەر يۇقارقى ئەھۋال كۆرۈلمىسە ، سىز قارا ۋە قىزىل سىناق قوغۇشۇننىڭ ئورنىنى ئېلىپ ، تورنى ئېنىقلىغۇچە يۇقىرىدىكى ئۇسۇل بويىچە سىناق ئېلىپ بارسىڭىز بولىدۇ.

 

2) قارشىلىق ئۆلچەش ئۇسۇلىنى ئىشلىتىپ MOSFET نىڭ سۈپىتىنى ئېنىقلاڭ

قارشىلىقنى ئۆلچەش ئۇسۇلى بولسا كۆپ مېتىر ئىشلىتىپ MOSFET نىڭ مەنبەسى بىلەن سۇ چىقىرىش ، دەرۋازا ۋە مەنبە ، دەرۋازا ۋە سۇ چىقىرىش ئېغىزى ، G1 دەرۋازىسى ۋە G2 دەرۋازىسىنىڭ قارشىلىقىنى ئۆلچەش بولۇپ ، ئۇنىڭ MOSFET قوللانمىسىدا كۆرسىتىلگەن قارشىلىق قىممىتىگە ماس كېلىدىغان-كەلمەيدىغانلىقىنى ئېنىقلاش. باشقۇرۇش ياخشى ياكى ناچار. كونكرېت ئۇسۇل: ئالدى بىلەن ، كۆپ مېتىرنى R × 10 ياكى R × 100 دائىرىسىگە تەڭشەڭ ، ھەمدە S مەنبە بىلەن D ئېرىق ئوتتۇرىسىدىكى قارشىلىقنى ئۆلچەڭ ، ئادەتتە ئون نەچچە ئوم ئارىلىقىدا بىر نەچچە مىڭ ئومغىچە (بۇنى كۆرگىلى بولىدۇ) ھەر خىل مودېللارنىڭ تۇرۇبىسى ، ئۇلارنىڭ قارشىلىق قىممىتى ئوخشىمايدۇ) ، ئەگەر ئۆلچەملىك قارشىلىق قىممىتى نورمال قىممەتتىن يۇقىرى بولسا ، بۇ بەلكىم ئىچكى ئالاقىنىڭ ياخشى بولماسلىقىدىن بولۇشى مۇمكىن. ئەگەر ئۆلچەنگەن قارشىلىق قىممىتى چەكسىز بولسا ، ئۇ بەلكىم بۇزۇلغان قۇتۇپ بولۇشى مۇمكىن. ئاندىن كۆپ مېتىرنى R × 10k ئارىلىقىغا تەڭشەڭ ، ئاندىن G1 بىلەن G2 دەرۋازىسى ، دەرۋازا بىلەن مەنبە ئوتتۇرىسىدىكى ، دەرۋازا بىلەن ئېرىق ئوتتۇرىسىدىكى قارشىلىق قىممىتىنى ئۆلچەڭ. ئۆلچەنگەن قارشىلىق قىممىتىنىڭ ھەممىسى چەكسىز بولغاندا ، ئۇنداقتا بۇ نەيچىنىڭ نورمال ئىكەنلىكىنى بىلدۈرىدۇ ئەگەر يۇقارقى قارشىلىق قىممىتى بەك كىچىك بولسا ياكى يول بولسا ، بۇ نەيچىنىڭ ناچارلىقىدىن دېرەك بېرىدۇ. دىققەت قىلىشقا تېگىشلىكى شۇكى ، ئەگەر نەيچىدە ئىككى دەرۋازا بۇزۇلسا ، زاپچاسنى ئالماشتۇرۇش ئۇسۇلىنى بايقاشقا ئىشلىتىشكە بولىدۇ.

 

3) كىرگۈزۈش سىگنالى كىرگۈزۈش ئۇسۇلىنى ئىشلىتىپ MOSFET نىڭ كۈچەيتىش ئىقتىدارىنى مۆلچەرلەڭ

كونكرېت ئۇسۇل: كۆپ ئۆلچەملىك قارشىلىقنىڭ R × 100 سەۋىيىسىنى ئىشلىتىڭ ، قىزىل سىناق قوغۇشۇننى S مەنبەگە ئۇلاڭ ، قارا سىناق سۇ چىقىرىشنى كەلتۈرۈپ چىقىرىدۇ D. MOSFET غا 1.5V توك بېسىمى قوشۇڭ. بۇ ۋاقىتتا ، ئېرىق بىلەن مەنبە ئوتتۇرىسىدىكى قارشىلىق قىممىتى مېتىر يىڭنىسى ئارقىلىق كۆرسىتىلىدۇ. ئاندىن MOSFET ئېغىزىنىڭ G دەرۋازىسىنى قولىڭىز بىلەن چىملاڭ ، ھەمدە ئادەم بەدىنىنىڭ قوزغىتىلغان توك بېسىمى سىگنالىنى دەرۋازىغا قوشۇڭ. بۇنداق بولغاندا ، نەيچىنىڭ كۈچەيتمە رولى سەۋەبىدىن ، سۇ چىقىرىش مەنبەسى توك بېسىمى VDS ۋە سۇ چىقىرىش ئېقىمى Ib ئۆزگىرىدۇ ، يەنى سۇ چىقىرىش بىلەن مەنبە ئوتتۇرىسىدىكى قارشىلىق كۈچى ئۆزگىرىدۇ. بۇنىڭدىن كۆرۈۋېلىشقا بولىدۇكى ، مېتىر يىڭنىسىنىڭ زور دەرىجىدە تەۋرەنگەن. ئەگەر قولدا تۇتۇلغان تور يىڭنىسىنىڭ يىڭنىسى ئازراق تەۋرەنسە ، بۇ نەيچىنىڭ كۈچەيتىش ئىقتىدارىنىڭ ناچارلىقىدىن دېرەك بېرىدۇ. ئەگەر يىڭنە زور تەۋرەنسە ، بۇ نەيچىنىڭ كۈچەيتىش ئىقتىدارىنىڭ چوڭلىقىدىن دېرەك بېرىدۇ ئەگەر يىڭنە ھەرىكەتلەنمىسە ، بۇ نەيچىنىڭ ناچارلىقىدىن دېرەك بېرىدۇ.

 

يۇقارقى ئۇسۇلغا ئاساسەن ، بىز MOSFET 3DJ2F ئۇلىنىشىنى ئۆلچەش ئۈچۈن كۆپ مېتىرنىڭ R × 100 ئۆلچىمىدىن پايدىلىنىمىز. ئالدى بىلەن نەيچىنىڭ G ئېلېكترودىنى ئېچىڭ ھەمدە سۇ چىقىرىش مەنبەسىگە قارشى تۇرۇش RDS نى 600Ω دەپ ئۆلچەڭ. G ئېلېكترودنى قولىڭىز بىلەن تۇتقاندىن كېيىن ، مېتىر يىڭنىسى سولغا سەكرەيدۇ. كۆرسىتىلگەن قارشىلىق كۆرسەتكۈچى RDS 12kΩ. ئەگەر مېتىر يىڭنىسى چوڭراق تەۋرەنسە ، بۇ نەيچىنىڭ ياخشىلىقىدىن دېرەك بېرىدۇ. ھەمدە تېخىمۇ چوڭ كۈچەيتىش ئىقتىدارىغا ئىگە.

 

بۇ ئۇسۇلنى قوللانغاندا دىققەت قىلىشقا تېگىشلىك بىر قانچە نۇقتا بار: بىرىنچى ، MOSFET نى سىناق قىلغاندا ۋە قولىڭىز بىلەن دەرۋازىنى تۇتقاندا ، كۆپ مېتىرلىق يىڭنە ئوڭغا (قارشىلىق قىممىتى تۆۋەنلەيدۇ) ياكى سولغا (قارشىلىق قىممىتى ئاشىدۇ). . بۇ ئادەم بەدىنى كەلتۈرۈپ چىقارغان AC توك بېسىمىنىڭ بىر قەدەر يۇقىرى بولغانلىقى ، ئوخشىمىغان MOSFET لارنىڭ قارشىلىق دائىرىسى بىلەن ئۆلچىگەندە ئوخشىمىغان خىزمەت نۇقتىلىرى بولۇشى مۇمكىن (تويۇنغان رايوندا ياكى تويۇنمىغان رايوندا مەشغۇلات قىلىدۇ). سىناق شۇنى ئىسپاتلىدىكى ، كۆپىنچە تۇرۇبىلارنىڭ RDS كۆپىيىدۇ. دېمەك ، قول سائىتى سولغا سەكرەيدۇ. بىر نەچچە تۇرۇبىنىڭ RDS تۆۋەنلەپ ، قول قولنىڭ ئوڭغا سەكرىشىنى كەلتۈرۈپ چىقىرىدۇ.

ئەمما سائەت قولنىڭ قايسى يۆنىلىشتە بولۇشىدىن قەتئىينەزەر ، قول سائىتى تېخىمۇ چوڭ تەۋرىنىش بولسىلا ، بۇ نەيچىنىڭ تېخىمۇ چوڭ كۈچەيتىش ئىقتىدارىغا ئىگە ئىكەنلىكىدىن دېرەك بېرىدۇ. ئىككىنچىدىن ، بۇ ئۇسۇل MOSFETs ئۈچۈنمۇ ئىشلەيدۇ. ئەمما دىققەت قىلىشقا تېگىشلىكى شۇكى ، MOSFET نىڭ كىرگۈزۈش قارشىلىقى يۇقىرى ، G دەرۋازىسىنىڭ رۇخسەت قىلىنغان توك بېسىمى بەك يۇقىرى بولۇپ كەتمەسلىكى كېرەك ، شۇڭا قول بىلەن دەرۋازىنى بىۋاسىتە قىسىپ قويماڭ. بۇرمىلاش ماشىنىسىنىڭ يېپىق تۇتقۇچنى ئىشلىتىپ ، مېتال تاياق بىلەن دەرۋازىغا تېگىشىڭىز كېرەك. ، ئادەم بەدىنى كەلتۈرۈپ چىقارغان توكنىڭ دەرۋازىغا بىۋاسىتە قوشۇلۇشىنىڭ ئالدىنى ئېلىپ ، دەرۋازىنىڭ بۇزۇلۇشىنى كەلتۈرۈپ چىقىرىدۇ. ئۈچىنچىسى ، ھەر قېتىملىق ئۆلچەشتىن كېيىن ، GS قۇتۇبى قىسقا توك يولى بولۇشى كېرەك. چۈنكى ، GS ئۇلىنىش كوندېنساتورىدا VGS توك بېسىمىنى ھاسىل قىلىدىغان ئاز مىقداردا توك بولىدۇ. نەتىجىدە ، قايتا ئۆلچەشتە مېتىرنىڭ قولى ھەرىكەتلەنمەسلىكى مۇمكىن. توكنى قويۇپ بېرىشنىڭ بىردىنبىر ئۇسۇلى GS ئېلېكترود ئارىسىدىكى توكنى قىسقا توك يولىغا يەتكۈزۈش.

4) قارشىلىق ئۆلچەش ئۇسۇلىنى ئىشلىتىپ ، بەلگىسى يوق MOSFET نى ئېنىقلاڭ

بىرىنچىسى ، قارشىلىق دەرىجىسىنى ئۆلچەش ئۇسۇلىنى ئىشلىتىپ قارشىلىق قىممىتى بار ئىككى ساندۇقنى تېپىڭ ، يەنى مەنبە S ۋە سۇ چىقىرىش ئېغىزى D. قالغان ئىككى ساندۇق بىرىنچى دەرۋازا G1 ، ئىككىنچى دەرۋازا G2. ئالدى بىلەن ئىككى سىناق قوغۇشۇن بىلەن ئۆلچەنگەن S مەنبەسى بىلەن D ئېرىق ئوتتۇرىسىدىكى قارشىلىق قىممىتىنى يېزىڭ. سىناق يېتەكچىسىنى ئالماشتۇرۇڭ ۋە قايتا ئۆلچەڭ. ئۆلچەنگەن قارشىلىق قىممىتىنى يېزىڭ. قارشىلىق قىممىتى ئىككى ھەسسە چوڭ بولغانسى قارا سىناق قوغۇشۇن. ئۇلانغان ئېلېكترود بولسا D ئېرىق. قىزىل سىناق قوغۇشۇن مەنبەسى S. بىلەن ئۇلىنىدۇ ، بۇ ئۇسۇل ئارقىلىق ئېنىقلانغان S ۋە D قۇتۇپلىرىمۇ نەيچىنىڭ كۈچەيتىش ئىقتىدارىنى مۆلچەرلەش ئارقىلىق تەكشۈرگىلى بولىدۇ. دېمەك ، چوڭايتىش ئىقتىدارىغا ئىگە قارا سىناق قوغۇشۇن D قۇتۇبىغا ئۇلانغان. قىزىل سىناق قوغۇشۇن يەر يۈزىگە 8 قۇتۇپقا ئۇلىنىدۇ. ھەر ئىككى خىل ئۇسۇلنىڭ سىناق نەتىجىسى ئوخشاش بولۇشى كېرەك. سۇ چىقىرىش D ۋە مەنبە S نىڭ ئورنىنى بېكىتكەندىن كېيىن ، توك يولىنى D ۋە S. نىڭ مۇناسىپ ئورنىغا ئاساسەن ئورنىتىڭ ، ئادەتتە G1 ۋە G2 مۇ تەرتىپ بويىچە ماسلىشىدۇ. بۇ G1 ۋە G2 دىن ئىبارەت ئىككى دەرۋازىنىڭ ئورنىنى بەلگىلەيدۇ. بۇ D ، S ، G1 ۋە G2 ساندۇقلىرىنىڭ تەرتىپىنى بەلگىلەيدۇ.

5) تەتۈر قارشىلىق قىممىتىدىكى ئۆزگىرىشتىن پايدىلىنىپ ، ئۆتكۈزگۈچنىڭ چوڭ-كىچىكلىكىنى ئېنىقلاڭ

VMOSN قانىلىنىڭ كۈچەيتىلىشى MOSFET نىڭ ئۆتكۈزۈشچانلىقىنى ئۆلچەشتە ، قىزىل سىناق قوغۇشۇننى ئىشلىتىپ S مەنبەنى تۇتاشتۇرسىڭىز بولىدۇ ، قارا سىناق بولسا سۇ چىقىرىشنى كەلتۈرۈپ چىقىرىدۇ. بۇ مەنبە بىلەن ئېرىق ئوتتۇرىسىدىكى تەتۈر بېسىمنى قوشقانغا باراۋەر. بۇ ۋاقىتتا دەرۋازا ئوچۇق توك يولى بولۇپ ، نەيچىنىڭ تەتۈر قارشىلىق قىممىتى ئىنتايىن تۇراقسىز. كۆپ مېتىرنىڭ ئوم دائىرىسىنى R × 10kΩ يۇقىرى قارشىلىق دائىرىسىگە تاللاڭ. بۇ ۋاقىتتا ، مېتىردىكى توك بېسىمى تېخىمۇ يۇقىرى بولىدۇ. G تورىغا قولىڭىزنى تۇتسىڭىز ، نەيچىنىڭ تەتۈر قارشىلىق قىممىتىنىڭ كۆرۈنەرلىك ئۆزگىرىدىغانلىقىنى بايقايسىز. ئۆزگىرىش قانچە چوڭ بولسا ، نەيچىنىڭ ئۆتكۈزگۈچ قىممىتى شۇنچە يۇقىرى بولىدۇ. ئەگەر سىناق قىلىنىۋاتقان نەيچىنىڭ ئۆتكۈزۈشچانلىقى ئىنتايىن كىچىك بولسا ، بۇ ئۇسۇلنى ئىشلىتىپ قاچان ، تەتۈر قارشىلىق ئازراق ئۆزگىرىدۇ.

 

MOSFET ئىشلىتىشنىڭ ئالدىنى ئېلىش تەدبىرلىرى

1) MOSFET نى بىخەتەر ئىشلىتىش ئۈچۈن ، تۇرۇبا يولىنىڭ تارقىلىش كۈچى ، ئەڭ چوڭ سۇ چىقىرىش مەنبەسى بېسىمى ، ئەڭ چوڭ دەرۋازا مەنبەسى بېسىمى ۋە ئەڭ چوڭ توك يولى قاتارلىق پارامېتىرلارنىڭ چەك قىممىتى توك يولى لايىھىسىدە ئېشىپ كەتمەيدۇ.

2) ھەر خىل MOSFET لارنى ئىشلەتكەندە ، چوقۇم تەلەپكە مايىل بولغان ئاساستا چوقۇم توك يولىغا ئۇلىنىشى ، MOSFET بىر تەرەپلىمىلىكىنىڭ قۇتۇپلۇقىغا دىققەت قىلىش كېرەك. مەسىلەن ، MOSFET ئېغىزىنىڭ دەرۋازىسى بىلەن سۇ چىقىرىش ئوتتۇرىسىدا PN ئۇلىنىشى بار ، N قانال تۇرۇبىسىنىڭ دەرۋازىسى ئاكتىپ تەرەپلىمىلىك بولمايدۇ. P قانال تۇرۇبىسىنىڭ دەرۋازىسى سەلبىي تەرەپلىمىلىك بولمايدۇ.

3) MOSFET نىڭ كىرگۈزۈش توسالغۇسى ئىنتايىن يۇقىرى بولغاچقا ، توشۇش ۋە ساقلاش جەريانىدا مىخلار قىسقا توك يولى بولۇشى كېرەك ، چوقۇم مېتال قالقان بىلەن ئورالغان بولۇشى كېرەك ، سىرتقى كەلتۈرۈپ چىقىرىدىغان يوشۇرۇن ئىقتىدارنىڭ دەرۋازىنىڭ بۇزۇلۇپ كېتىشىنىڭ ئالدىنى ئېلىش كېرەك. بولۇپمۇ دىققەت قىلىڭ ، MOSFET نى سۇلياۋ قۇتىغا قويغىلى بولمايدۇ. ئەڭ ياخشىسى ئۇنى مېتال ساندۇقتا ساقلاش كېرەك. شۇنىڭ بىلەن بىر ۋاقىتتا ، تۇرۇبا نەملىكىنى ساقلاشقا دىققەت قىلىڭ.

4) MOSFET دەرۋازىسىنىڭ ئىندۇكسىيە بۇزۇلۇشىنىڭ ئالدىنى ئېلىش ئۈچۈن ، بارلىق سىناق قوراللىرى ، خىزمەت ئورۇندۇقى ، ساتىدىغان تۆمۈر ۋە توك يولىنىڭ ئۆزى چوقۇم ياخشى بولۇشى كېرەك. مىخ ساتقاندا ، ئالدى بىلەن مەنبەنى ساتقۇچى توك يولىغا ئۇلىنىشتىن بۇرۇن ، تۇرۇبا بارلىق قوغۇشۇن ئۇچى بىر-بىرىگە قىسقا توك يولى بولۇشى ، كەپشەرلەش تاماملانغاندىن كېيىن قىسقا توك يولى ماتېرىيالىنى ئېلىۋېتىش كېرەك. زاپچاس رېشاتكىسىدىكى نەيچىنى ئېلىۋەتكەندە ، مۇۋاپىق ئۇسۇللارنى قوللىنىپ ، ئادەم بەدىنىنىڭ يەر يۈزىگە كاپالەتلىك قىلىشى كېرەك ، مەسىلەن ئۇلاش ھالقىسى ئىشلىتىش. ئەلۋەتتە ، ئەگەر ئىلغار بولسا گاز بىلەن قىزىتىلغان پولات تۆمۈر MOSFET لارنى كەپشەرلەشكە تېخىمۇ قۇلايلىق بولۇپ ، بىخەتەرلىككە كاپالەتلىك قىلىدۇ توك ئۈزۈلۈشتىن بۇرۇن تۇرۇبىنى توك يولىغا قىستۇرماسلىق ياكى تارتىپ چىقارماسلىق كېرەك. MOSFET نى ئىشلەتكەندە يۇقارقى بىخەتەرلىك تەدبىرلىرىگە دىققەت قىلىش كېرەك.

5) MOSFET نى قاچىلىغاندا ئورنىتىش ئورنىغا دىققەت قىلىڭ ھەمدە ئىسسىنىش ئېلېمېنتىغا يېقىن بولۇپ قېلىشتىن ساقلىنىڭ. تۇرۇبا زاپچاسلىرىنىڭ تەۋرىنىشىنىڭ ئالدىنى ئېلىش ئۈچۈن ، تۇرۇبا قېپىنى چىڭىتىش كېرەك مىخ قوغۇشۇن ئېگىلىپ كەتكەندە ، يىلتىز چوڭلۇقىدىن 5 مىللىمېتىر چوڭ بولۇشى ، مىخنىڭ ئېگىلىپ ھاۋانىڭ ئېقىپ كېتىشىدىن ساقلىنىشى كېرەك.

قۇۋۋەت MOSFETs ئۈچۈن ياخشى ئىسسىقلىق تارقىتىش شارائىتى تەلەپ قىلىنىدۇ. كۈچلۈك MOSFET لار يۈك بېسىش شارائىتىدا ئىشلىتىلگەنلىكى ئۈچۈن ، يېتەرلىك ئىسسىقلىق ساقلاش ئۈسكۈنىسى لايىھىلىنىشى كېرەك ، بۇ ئەھۋالنىڭ تېمپېراتۇرىسىنىڭ باھا قىممىتىدىن ئېشىپ كەتمەسلىكىگە كاپالەتلىك قىلىش كېرەك ، بۇنداق بولغاندا ئۈسكۈنىنىڭ ئۇزۇن مۇددەت مۇقىم ۋە ئىشەنچلىك ئىشلىيەلەيدۇ.

قىسقىسى ، MOSFETs نىڭ بىخەتەر ئىشلىتىلىشىگە كاپالەتلىك قىلىش ئۈچۈن ، دىققەت قىلىشقا تېگىشلىك نۇرغۇن ئىشلار بار ، شۇنداقلا ھەر خىل بىخەتەرلىك تەدبىرلىرىمۇ بار. كۆپ ساندىكى كەسپىي تېخنىكا خادىملىرى ، بولۇپمۇ ئېلېكترونلۇق ھەۋەسكارلارنىڭ كۆپىنچىسى چوقۇم ئۆزىنىڭ ئەمەلىي ئەھۋالىغا قاراپ مېڭىشى ھەمدە MOSFET نى بىخەتەر ۋە ئۈنۈملۈك ئىشلىتىشنىڭ ئەمەلىي ئۇسۇللىرىنى قوللىنىشى كېرەك.