بۇ ئورالغانMOSFETpyroelectric ئىنفىرا قىزىل نۇرلۇق سېنزور. تىك تۆت بۇلۇڭلۇق رامكا سېزىمچان كۆزنەك. G pin يەر يۈزى تېرمىنالى ، D pin بولسا ئىچكى MOSFET سۇ چىقىرىش ئېغىزى ، S pin بولسا ئىچكى MOSFET مەنبەسى. توك يولىدا ، G يەر يۈزىگە ، D مۇسبەت توك بىلەن ئۇلىنىدۇ ، ئىنفىرا قىزىل نۇر سىگنالى دېرىزىدىن ، ئېلېكتر سىگنالى بولسا S.
ھۆكۈم دەرۋازىسى G.
MOS قوزغاتقۇچ ئاساسلىقى دولقۇن شەكلىنى شەكىللەندۈرۈش ۋە قوزغاتقۇچنى ئاشۇرۇش رولىنى ئوينايدۇ: ئەگەر G سىگنال دولقۇنى بولساMOSFETيېتەرلىك دەرىجىدە تىك ئەمەس ، ئۇ ئالماشتۇرۇش باسقۇچىدا زور مىقداردا توك يوقىتىدۇ. ئۇنىڭ ئەكىس تەسىرى توك يولىنى ئۆزگەرتىش ئۈنۈمىنى تۆۋەنلىتىش. MOSFET قاتتىق قىزىتما بولۇپ ، ئىسسىقلىق سەۋەبىدىن ئاسانلا بۇزۇلۇپ كېتىدۇ. MOSFETGS ئوتتۇرىسىدا بەلگىلىك ئىقتىدار بار. ئەگەر G سىگنال ھەيدەش ئىقتىدارى يېتەرلىك بولمىسا ، ئۇ دولقۇن شەكلىنىڭ سەكرەش ۋاقتىغا ئېغىر تەسىر كۆرسىتىدۇ.
قىسقا مۇساپىلىك GS قۇتۇبى ، كۆپ مېتىرنىڭ R × 1 دەرىجىسىنى تاللاڭ ، قارا سىناق قوغۇشۇننى S قۇتۇبىغا ئۇلاڭ ، قىزىل سىناق D قۇتۇبىغا تۇتىشىدۇ. قارشىلىق كۈچى بىر قانچە Ω دىن ئوندىن يۇقىرى بولۇشى كېرەك. ئەگەر مەلۇم بىر پىننىڭ ۋە ئۇنىڭ ئىككى مىخنىڭ قارشىلىق كۈچىنىڭ چەكسىز ئىكەنلىكى ، ھەمدە سىناق قوغۇشۇننى ئالماشتۇرغاندىن كېيىنمۇ چەكسىز ئىكەنلىكى بايقالسا ، بۇ پىننىڭ G قۇتۇبى ئىكەنلىكى جەزملەشتۈرۈلگەن ، چۈنكى ئۇ باشقا ئىككى ساندۇقتىن يېپىق ھالەتتە.
S مەنبەسىنى ئېنىقلاپ ، D نى چىقىرىۋېتىڭ
كۆپ مېتىرنى R × 1k قىلىپ تەڭشەپ ، ئايرىم-ئايرىم ھالدا ئۈچ ساندۇقنىڭ قارشىلىقىنى ئۆلچەڭ. ئالماشتۇرۇش سىنىقى يېتەكلەش ئۇسۇلىنى ئىشلىتىپ قارشىلىقنى ئىككى قېتىم ئۆلچەڭ. قارشىلىق كۈچى تۆۋەنرەك (ئادەتتە بىر قانچە مىڭ Ω دىن ئون مىڭدىن ئارتۇق) بولغان قارشىلىق. بۇ ۋاقىتتا ، قارا سىناق قوغۇشۇن S قۇتۇبى بولۇپ ، قىزىل سىناق قوغۇشۇن D قۇتۇبىغا ئۇلىنىدۇ. ئوخشىمىغان سىناق شارائىتى سەۋەبىدىن ، ئۆلچەملىك RDS (on) قىممىتى قوللانمىدا بېرىلگەن تىپىك قىممەتتىن يۇقىرى.
ھەققىدەMOSFET
ترانسېنىستورنىڭ N تىپلىق قانىلى بار ، شۇڭا ئۇ N قانال دەپ ئاتىلىدۇMOSFET، ياكىNMOS. P- قانال MOS (PMOS) FET مۇ بار ، ئۇ PMOSFET بولۇپ ، يېنىك دەرىجىدىكى N تىپلىق BACKGATE ۋە P تىپلىق مەنبە ۋە سۇ چىقىرىشتىن تەركىب تاپقان.
مەيلى N تىپلىق ياكى P تىپلىق MOSFET بولۇشىدىن قەتئىينەزەر ، ئۇنىڭ خىزمەت پرىنسىپى ئاساسەن ئوخشاش. MOSFET كىرگۈزۈش تېرمىنالىنىڭ دەرۋازىسىغا ئىشلىتىلگەن توك بېسىمى ئارقىلىق چىقىرىش تېرمىنالىنىڭ ئېقىمىدىكى توكنى كونترول قىلىدۇ. MOSFET توك بېسىمىنى كونترول قىلىدىغان ئۈسكۈنىدۇر. ئۇ دەرۋازىغا ئىشلىتىلگەن توك بېسىمى ئارقىلىق ئۈسكۈنىنىڭ ئالاھىدىلىكىنى كونترول قىلىدۇ. ئۇ تىرانسفورموتور ئالماشتۇرغاندا ئاساسىي توك سەۋەبىدىن كېلىپ چىققان توك ساقلاش ئۈنۈمىنى كەلتۈرۈپ چىقارمايدۇ. شۇڭلاشقا ، پروگراممىلارنى ئالماشتۇرۇشتا ،MOSFETsتىرانسفورموتورغا قارىغاندا تېز ئالماشتۇرۇشى كېرەك.
FET يەنە ئۇنىڭ نامىنى كىرگۈزۈش (دەرۋازا دەپ ئاتىلىدۇ) ئېلېكتر مەيدانىنى ئىزولياتور قەۋىتىگە توغرىلاپ ترانسېنىستوردىن ئېقىۋاتقان توكقا تەسىر كۆرسىتىدۇ. ئەمەلىيەتتە ، بۇ ئىزولياتوردىن ھېچقانداق توك ئېقىمايدۇ ، شۇڭا FET تۇرۇبىسىنىڭ GATE ئېقىمى ئىنتايىن كىچىك.
ئەڭ كۆپ ئۇچرايدىغان FET نېپىز بىر قەۋەت كرېمنىي ئوكسىدنى GATE ئاستىدىكى ئىزولياتور قىلىپ ئىشلىتىدۇ.
بۇ خىل تىرانسىزىمور مېتال ئوكسىد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ (MOS) ترانس ist ور ياكى مېتال ئوكسىد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ مەيدان ئېففېكتى ترانس ist ور (MOSFET) دەپ ئاتىلىدۇ. MOSFETs كىچىكرەك ۋە تېخىمۇ ئۈنۈملۈك بولغانلىقتىن ، ئۇلار نۇرغۇن قوللىنىشچان پروگراممىلاردا ئىككى قۇتۇپلۇق ترانس ist ورنىڭ ئورنىنى ئالدى.
يوللانغان ۋاقتى: 11-نويابىردىن 20-نويابىرغىچە
