MOSFET نىڭ تۆت رايونى قايسىلار؟

 

N قانالنى ئاشۇرۇشنىڭ تۆت رايونى MOSFET

(1) ئۆزگىرىشچان قارشىلىق رايونى (تويۇنمىغان رايون دەپمۇ ئاتىلىدۇ)

Ucs "Ucs (th) (توك بېسىمى توك بېسىمى) ، uDs" UGs-Ucs (th) ، قانال ئېچىلغان رەسىمدىكى ئالدىنئالا ئىزنىڭ سول تەرىپىدىكى رايون. بۇ رايوندا UDs نىڭ قىممىتى كىچىك ، قانالنىڭ قارشىلىق كۈچى پەقەت UG لار تەرىپىدىن كونترول قىلىنىدۇ. UG لار ئېنىق بولغاندا ، ip ۋە uD لار سىزىقلىق مۇناسىۋەتكە ئايلانغاندا ، بۇ رايون تۈز سىزىقلار قاتارىغا يېقىنلىشىدۇ. بۇ ۋاقىتتا ، ئېلېكتر بېسىمى UGS غا باراۋەر بولغان مەيدان ئۈنۈم تۇرۇبىسى D ، S

توك بېسىمى UGS ئۆزگىرىشچان قارشىلىق كونتروللۇقىدا.

(2) دائىملىق نۆۋەتتىكى رايون (تويۇنۇش رايونى ، كېڭەيتىش رايونى ، ئاكتىپ رايون دەپمۇ ئاتىلىدۇ)

Ucs ≥ Ucs (h) ۋە Ubs ≥ UcsUssth) ، ئالدىن قىسىش يولىنىڭ ئوڭ تەرىپىدىكى رەسىم ئۈچۈن ، ئەمما رايوندا ، رايوندا تېخى پارچىلىنىپ كەتمىگەن ، uG لار چوقۇم بولغاندا ، ib ئاساسەن يوق. UD لار بىلەن ئۆزگەرتىش ، دائىملىق-ھازىرقى ئالاھىدىلىك. مەن پەقەت UG لار تەرىپىدىن كونترول قىلىنىدۇ ، ئاندىن MOSFETD ، S نۆۋەتتىكى مەنبەنىڭ توك بېسىمى uGs كونتروللۇقىغا باراۋەر. MOSFET كۈچەيتمە توك يولىدا ئىشلىتىلىدۇ ، ئادەتتە MOSFET D نىڭ خىزمىتىدە ، S ئېلېكتر بېسىمى uGs كونترول ئېقىمىغا باراۋەر. كۈچەيتمە توك يولىدا ئىشلىتىلىدىغان MOSFET ئادەتتە رايوندا ئىشلەيدۇ ، شۇڭا كېڭەيتىش رايونى دەپمۇ ئاتىلىدۇ.

(3) كېسىش رايونى (كېسىلگەن رايون دەپمۇ ئاتىلىدۇ)

كېسىش رايونى (كېسىلگەن رايون دەپمۇ ئاتىلىدۇ) ucs "Ues (th)" بىلەن كۆرۈشۈش ئۈچۈن رايوننىڭ گورىزونتال ئوقىغا يېقىن بولغان رەسىم ئۈچۈن ، قانالنىڭ ھەممىسى قىسىلىپ قالغان ، تولۇق قىسقۇچ دەپ ئاتالغان ، io = 0 ، تۇرۇبا ئىشلىمەيدۇ.

(4) پارچىلىنىش رايونى

پارچىلىنىش رايونى رەسىمنىڭ ئوڭ تەرىپىدىكى رايونغا جايلاشقان. UD لارنىڭ كۆپىيىشىگە ئەگىشىپ ، PN ئۇلىنىشى بەك كۆپ تەتۈر بېسىم ۋە بۇزۇلۇشنىڭ تەسىرىگە ئۇچرايدۇ ، ip شىددەت بىلەن ئاشىدۇ. نەيچىنى مەشغۇلات قىلىپ ، پارچىلىنىش رايونىدا مەشغۇلات قىلىشتىن ساقلىنىش كېرەك. يۆتكىلىش ئالاھىدىلىكى ئەگرى سىزىق چىقىرىش ئالاھىدىلىكى ئەگرى سىزىقىدىن ھاسىل بولىدۇ. تېپىش ئۈچۈن گرافىك سۈپىتىدە قوللىنىلغان ئۇسۇلدا. مەسىلەن ، Ubs = 6V تىك سىزىقنىڭ 3-رەسىم (a) دە ، ئۇنىڭ i غا ماس كېلىدىغان ھەر خىل ئەگرى سىزىقلار بىلەن كېسىشىش ئېغىزى ، ib- Uss كوئوردېناتىدىكى Us قىممىتى ئەگرى سىزىققا ئۇلىنىدۇ ، يەنى يۆتكىلىش ئالاھىدىلىكى ئەگرى سىزىقىغا ئېرىشىش.

پارامېتىرلىرىMOSFET

MOSFET نىڭ نۇرغۇن پارامېتىرلىرى بار ، بۇنىڭ ئىچىدە DC پارامېتىرلىرى ، AC پارامېتىرلىرى ۋە چەكلىمە پارامېتىرلىرى بار ، ئەمما پەقەت تۆۋەندىكى ئاساسلىق پارامېتىرلار ئورتاق ئىشلىتىشكە دىققەت قىلىشى كېرەك: تويۇنغان سۇ مەنبەسىنىڭ نۆۋەتتىكى IDSS قىسىش بېسىمى يۇقىرى ، (ئۇلىنىش تىپىدىكى تۇرۇبا ۋە خورىشى تىپ تىپىدىكى ئىزولياتسىيىلىك دەرۋازا تۇرۇبىسى ياكى قوزغىتىش بېسىمى UT (كۈچەيتىلگەن ئىزولياتسىيىلىك دەرۋازا تۇرۇبىسى) ، ئۆتكۈزگۈچ ئۆتكۈزگۈچ gm ، ئېقىپ كېتىش مەنبەسىنىڭ بۇزۇلۇش بېسىمى BUDS ، ئەڭ چوڭ تارقىتىلغان توك PDSM ۋە ئەڭ چوڭ سۇ چىقىرىش مەنبەسى IDSM.

(1) تويۇنغان سۇ چىقىرىش ئېقىمى

تويۇنغان سۇ چىقىرىش ئېقىمى IDSS دەرۋازا بېسىمى UGS = 0 بولغاندا تۇتاشتۇرۇش ياكى خورىتىش تىپىدىكى ئىزولياتسىيىلىك دەرۋازا MOSFET.

(2) ئۈزۈلۈپ قالغان توك بېسىمى

چىملىق توك بېسىمى UP ئۇلىنىش تىپى ياكى خورىتىش تىپىدىكى ئىزولياتسىيىلىك دەرۋازا MOSFET دىكى دەرۋازا بېسىمى بولۇپ ، پەقەت ئېرىق بىلەن مەنبە ئوتتۇرىسىدا ئۈزۈلۈپ قالىدۇ. N- قانال تۇرۇبىسى UGS ئۈچۈن كىملىك ​​ئەگرى سىزىقى ئۈچۈن 4-25 دە كۆرسىتىلگەندەك ، IDSS ۋە UP نىڭ ئەھمىيىتىنى كۆرگىلى بولىدۇ.

MOSFET تۆت رايون

(3) توك بېسىمىنى قوزغىتىش

قوزغىتىش توك بېسىمى UT كۈچەيتىلگەن يېپىق ھالەتتىكى MOSFET دىكى دەرۋازا بېسىمى بولۇپ ، سۇ چىقىرىش مەنبەسىنى پەقەت ئۆتكۈزگۈچ قىلىدۇ.

(4) ئۆتكۈنچى

ئۆتكۈزگۈچ ئۆتكۈزگۈچ gm بولسا دەرۋازا مەنبەلىك توك بېسىمى UGS نىڭ سۇ چىقىرىش ئېقىمى كىملىكىدىكى كونترول قىلىش ئىقتىدارى ، يەنى سۇ چىقىرىش ئېقىمى كىملىكىنىڭ ئۆزگىرىشى بىلەن دەرۋازا مەنبەسى توك بېسىمى UGS نىڭ ئۆزگىرىش نىسبىتى. 9m بولسا كېڭەيتىش ئىقتىدارىنى ئۆلچەيدىغان مۇھىم پارامېتىرMOSFET.

(5) مەنبە بۇزۇلۇش بېسىمىنى چىقىرىۋېتىش

سۇ چىقىرىش مەنبەسىنىڭ بۇزۇلۇش بېسىمى BUDS دەرۋازا مەنبە بېسىمى UGS نى كۆرسىتىدۇ ، MOSFET نورمال مەشغۇلات ئەڭ چوڭ سۇ چىقىرىش مەنبە بېسىمىنى قوبۇل قىلالايدۇ. بۇ چەكلىمە پارامېتىرى ، MOSFET مەشغۇلات بېسىمىغا قوشۇلغان BUDS دىن تۆۋەن بولۇشى كېرەك.

(6) ئەڭ چوڭ توك تارقىتىش

ئەڭ چوڭ توك تارقىتىش PDSM مۇ چەكلىمە پارامېتىرى بولۇپ ،MOSFETئەڭ يۇقىرى رۇخسەت قىلىنغان توك مەنبەسىنىڭ تارقىلىشىدا ئىقتىدار ناچارلاشمايدۇ. MOSFET ئەمەلىي توك سەرپىياتىنى ئىشلەتكەندە PDSM دىن تۆۋەن بولۇشى ھەمدە بەلگىلىك ئارىلىق قالدۇرۇشى كېرەك.

(7) ئەڭ چوڭ سۇ چىقىرىش ئېقىمى

ئېقىپ كېتىشنىڭ ئەڭ چوڭ IDSM يەنە بىر چەكلىمە پارامېتىرى بولۇپ ، MOSFET نىڭ نورمال مەشغۇلاتىنى كۆرسىتىدۇ ، MOSFET نىڭ مەشغۇلات ئېقىمىدىن ئۆتۈشكە رۇخسەت قىلىنغان ئەڭ چوڭ توكنىڭ ئېقىش مەنبەسى IDSM دىن ئېشىپ كەتمەسلىكى كېرەك.

MOSFET مەشغۇلات پرىنسىپى

MOSFET نىڭ مەشغۇلات پرىنسىپى (N- قانالنى كۈچەيتىش MOSFET) VGS ئارقىلىق «ئىندۇكسىيە زەرەتلەش» مىقدارىنى كونترول قىلىش ، بۇ «ئىندۇكسىيە زەرەتلەش» ئارقىلىق شەكىللەنگەن ئۆتكۈزگۈچ قانالنىڭ ئەھۋالىنى ئۆزگەرتىش ، ئاندىن مەقسەتكە يېتىش. سۇ چىقىرىش ئېقىمىنى كونترول قىلىش. بۇنىڭدىكى مەقسەت سۇ چىقىرىش ئېقىمىنى كونترول قىلىش. تۇرۇبا ئىشلەپچىقىرىشتا ، ئىزولياتور قەۋىتىدە نۇرغۇنلىغان ئاكتىپ ئىئون ياساش جەريانىدا ، شۇڭا كۆرۈنمە يۈزىنىڭ قارشى تەرىپىدە تېخىمۇ كۆپ سەلبىي زەرەتلەر پەيدا بولىدۇ ، بۇ سەلبىي زەرەتلەرنى كەلتۈرۈپ چىقىرىدۇ.

دەرۋازا بېسىمى ئۆزگەرگەندە ، قانالدا قوزغىتىلغان توكنىڭ مىقدارىمۇ ئۆزگىرىدۇ ، ئۆتكۈزگۈچ قانالنىڭ كەڭلىكىمۇ ئۆزگىرىدۇ ، شۇڭا دەرۋازا بېسىمى بىلەن سۇ چىقىرىش ئېقىمى كىملىكى ئۆزگىرىدۇ.

MOSFET رولى

I. MOSFET نى كېڭەيتىشكە ئىشلىتىشكە بولىدۇ. MOSFET كۈچەيتكۈچنىڭ كىرگۈزۈش توسالغۇسى يۇقىرى بولغاچقا ، ئېلېكترولىزلىق كوندېنساتور ئىشلەتمەي ، تۇتاشتۇرۇش كوندېنساتورىنىڭ سىغىمى كىچىكرەك بولىدۇ.

ئىككىنچىدىن ، MOSFET نىڭ يۇقىرى كىرگۈزۈش توسالغۇسى توسالغۇنى ئۆزگەرتىشكە ئىنتايىن ماس كېلىدۇ. توسالغۇنى ئۆزگەرتىش ئۈچۈن كۆپ باسقۇچلۇق كۈچەيتكۈچ كىرگۈزۈش باسقۇچىدا كۆپ ئىشلىتىلىدۇ.

MOSFET نى ئۆزگىرىشچان قارشىلىق ئورنىدا ئىشلىتىشكە بولىدۇ.

تۆتىنچى ، MOSFET نى دائىملىق تۇراقلىق مەنبە قىلىپ ئىشلىتىشكە بولىدۇ.

بەشىنچى ، MOSFET نى ئېلېكترونلۇق ئالماشتۇرغۇچ ئورنىدا ئىشلىتىشكە بولىدۇ.