تەتۈر يۆنىلىشلىك MOSFET قىزىتىشنىڭ سەۋەبلىرى نېمە؟

Inverter نىڭ MOSFET ئالماشتۇرۇش ھالىتىدە ئىشلەيدۇ ، MOSFET ئارقىلىق ئېقىۋاتقان توك ئىنتايىن يۇقىرى. ئەگەر MOSFET مۇۋاپىق تاللانمىسا ، قوزغىتىش بېسىمى ئامپلىتسىيەسى يېتەرلىك بولمىسا ياكى توك يولىنىڭ تارقىلىشى ياخشى بولمىسا ، ئۇ MOSFET نىڭ قىزىشىنى كەلتۈرۈپ چىقىرىشى مۇمكىن.

 

1 ، تەتۈر ئايلىنىش MOSFET قىزىتىش ئېغىر ، بۇنىڭغا دىققەت قىلىش كېرەكMOSFETتاللاش

ئالماشتۇرۇش ھالىتىدىكى تەتۈر ئايلىنىشتىكى MOSFET ئادەتتە ئۇنىڭ سۇ چىقىرىش ئېقىمىنى ئىمكانقەدەر چوڭ ، قارشىلىق كۈچىنىڭ كىچىكلىكىنى تەلەپ قىلىدۇ ، بۇنداق بولغاندا MOSFET نىڭ تويۇنۇش بېسىمىنى تۆۋەنلەتكىلى بولىدۇ ، بۇ ئارقىلىق ئىستېمال قىلىنغاندىن كېيىن MOSFET نى ئازايتقىلى بولىدۇ. ئىسسىقلىق.

MOSFET قوللانمىسىنى تەكشۈرۈپ بېقىڭ ، بىز MOSFET نىڭ قارشىلىق كۈچىنىڭ توك بېسىمى قانچە يۇقىرى بولسا ، ئۇنىڭ قارشىلىق كۈچىنىڭ شۇنچە يۇقىرى بولىدىغانلىقىنى ، ھەمدە توك چىقىرىش ئېقىمى يۇقىرى ، MOSFET نىڭ توك بېسىمى تۆۋەن بولغانلارنىڭ قارشىلىق كۈچىنىڭ ئادەتتە نەچچە ئوندىن تۆۋەن بولىدىغانلىقىنى بايقايمىز. milliohms.

5A نىڭ يۈك ئېقىمى دەپ پەرەز قىلساق ، بىز دائىم ئىشلىتىلىدىغان MOSFETRU75N08R تەتۈر ئايلىنىشنى تاللايمىز ھەمدە 500V 840 توك بېسىمىغا بەرداشلىق بېرەلەيمىز ، ئۇلارنىڭ سۇ چىقىرىش ئېقىمى 5A ياكى ئۇنىڭدىن يۇقىرى ، ئەمما ئىككى MOSFET نىڭ قارشىلىق كۈچى ئوخشىمايدۇ ، ئوخشاش توكنى قوزغىتىدۇ. ، ئۇلارنىڭ ئىسسىقلىق پەرقى ناھايىتى چوڭ. 75N08R نىڭ قارشىلىق كۆرسەتكۈچى ئاران 0.008Ω ، 840 نىڭ قارشىلىق كۆرسەتكۈچى بولسا 75N08R نىڭ قارشىلىق كۆرسەتكۈچى ئاران 0.008Ω ، 840 نىڭ قارشىلىق كۈچى 0.85Ω. MOSFET ئارقىلىق ئېقىۋاتقان يۈك ئېقىمى 5A بولغاندا ، 75N08R نىڭ MOSFET نىڭ توك بېسىمىنىڭ تۆۋەنلىشى ئاران 0.04V ، MOSFET نىڭ MOSFET ئىستېمالى ئاران 0.2W ، ھالبۇكى 840 نىڭ MOSFET نىڭ توك بېسىمى 4.25W غا يېتىدۇ. MOSFET نىڭ ئېگىزلىكى 21.25W. بۇنىڭدىن كۆرۈۋېلىشقا بولىدۇكى ، MOSFET نىڭ قارشىلىق كۈچى 75N08R نىڭ قارشىلىق كۈچىگە ئوخشىمايدۇ ، ئۇلارنىڭ ئىسسىقلىق تارقىتىشىمۇ ئوخشىمايدۇ. MOSFET نىڭ قارشىلىق كۈچى قانچە كىچىك بولسا ، MOSFET نىڭ قارشىلىق كۈچى شۇنچە ياخشى ، يۇقىرى ئىستېمالدىكى MOSFET تۇرۇبىسى بىر قەدەر چوڭ.

 

2 ، قوزغىتىش بېسىمى ئامپلتۇدىنىڭ قوزغىتىش توك يولى يېتەرلىك ئەمەس

MOSFET توك بېسىمىنى كونترول قىلىش ئۈسكۈنىسى ، ئەگەر سىز MOSFET تۇرۇبا ئىستېمالىنى ئازايتماقچى بولسىڭىز ، ئىسسىقلىقنى ئازايتماقچى بولسىڭىز ، MOSFET دەرۋازا قوزغاتقۇچنىڭ توك بېسىمى ئامپلىتۇدىيىسى يېتەرلىك بولۇشى ، تومۇرنىڭ چېتىنى تىك تۇرغۇزۇشى كېرەك.MOSFETتۇرۇبا بېسىمى تۆۋەنلەپ ، MOSFET تۇرۇبا ئىستېمالىنى ئازايتىڭ.

 

3 ، MOSFET ئىسسىقلىقنىڭ تارقىلىشى ياخشى سەۋەب ئەمەس

Inverter MOSFET قىزىتىش ئېغىر. تەتۈر ئايلانما MOSFET تۇرۇبا ئىستېمالى كۆپ بولغاچقا ، خىزمەت ئادەتتە ئىسسىقلىق ساقلاش ئۈسكۈنىسىنىڭ يېتەرلىك چوڭ سىرتقى رايونىنى تەلەپ قىلىدۇ ، ئىسسىقلىق ساقلاش ساندۇقى بىلەن MOSFET نىڭ ئۆزىمۇ قويۇق ئالاقىدە بولۇشى كېرەك (ئادەتتە ئىسسىقلىق ئۆتكۈزگۈچ بىلەن سىرلىنىشى كېرەك) كرېمنىي مېيى) ، ئەگەر سىرتقى ئىسسىقلىق كۆلچىكى كىچىكرەك بولسا ياكى MOSFET نىڭ ئۆزى بىلەن ئىسسىقلىق ساقلاش ئۈسكۈنىسىنىڭ ئالاقىسىگە يەتمىسە ، MOSFET قىزىتىشنى كەلتۈرۈپ چىقىرىشى مۇمكىن.

Inverter MOSFET ئىسسىنىشنىڭ ئېغىر بولۇشى خۇلاسە چىقىرىشنىڭ تۆت سەۋەبى بار.

MOSFET ئازراق قىزىتىش نورمال ھادىسە ، ئەمما ئىسسىنىش ئېغىر ، ھەتتا MOSFET نىڭ كۆيۈپ كېتىشىنى كەلتۈرۈپ چىقىرىدۇ ، تۆۋەندىكى تۆت سەۋەب بار:

 

1 ، توك يولى لايىھىلەش مەسىلىسى

MOSFET توك يولى ھالىتىدە ئەمەس ، بەلكى تۈز سىزىقلىق مەشغۇلاتتا ئىشلىسۇن. ئۇ يەنە MOSFET قىزىتىشنىڭ سەۋەبلىرىنىڭ بىرى. ئەگەر N-MOS ئالماشتۇرۇشنى قىلىۋاتقان بولسا ، G دەرىجىلىك توك بېسىمى تولۇق توك بىلەن تەمىنلەش ئۈچۈن بىر قانچە V يۇقىرى بولۇشى كېرەك ، P-MOS بولسا بۇنىڭ ئەكسىچە. تولۇق ئېچىلمىغان ۋە توك بېسىمىنىڭ تۆۋەنلىشى بەك چوڭ بولۇپ ، توك سەرپىياتىنى كەلتۈرۈپ چىقىرىدۇ ، ئوخشاش DC توسالغۇسى تېخىمۇ چوڭ ، توك بېسىمى تۆۋەنلەيدۇ ، شۇڭا U * I مۇ كۆپىيىدۇ ، زىيان ئىسسىقلىق دېگەنلىك. بۇ توك يولى لايىھىلەشتىكى ئەڭ ساقلانغان خاتالىق.

 

2 ، چاستوتىسى بەك يۇقىرى

ئاساسلىق سەۋەبى بەزىدە ھەددىدىن زىيادە ھەددىدىن زىيادە قوغلىشىش ، نەتىجىدە چاستوتا كۆپىيىدۇ ،MOSFETچوڭ زىيان ، شۇڭا ئىسسىقلىقمۇ كۆپىيىدۇ.

 

3 ، ئىسسىقلىق لايىھىسى يېتەرلىك ئەمەس

ئەگەر توك بەك يۇقىرى بولسا ، MOSFET نىڭ نامدىكى نۆۋەتتىكى قىممىتى ئادەتتە ياخشى ئىسسىقلىق تارقىتىشنى تەلەپ قىلىدۇ. شۇڭا كىملىك ​​ئەڭ يۇقىرى توكقا يەتمەيدۇ ، ئۇ يەنە قاتتىق قىزىپ كېتىشى مۇمكىن ، يېتەرلىك ياردەمچى ئىسسىقلىق ساقلاش ئۈسكۈنىسىگە ئېھتىياجلىق بولۇشى مۇمكىن.

 

4 ، MOSFET تاللاش خاتا

ھوقۇققا خاتا ھۆكۈم قىلىش ، MOSFET نىڭ ئىچكى قارشىلىقى تولۇق ئويلاشمايدۇ ، نەتىجىدە ئالماشتۇرۇش توسالغۇسى كۈچىيىدۇ.