ئېلېكتر يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىلىرى سانائەت ، ئىستېمال ، ھەربىي ۋە باشقا ساھەلەردە كەڭ قوللىنىلىدۇ ، ھەمدە ئىستراتېگىيىلىك ئورنى يۇقىرى. رەسىمدىكى ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرىنىڭ ئومۇمىي رەسىمىنى كۆرۈپ باقايلى:
توك يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىلىرىنى توك سىگنالىنىڭ كونترول قىلىش دەرىجىسىگە ئاساسەن تولۇق تىپ ، يېرىم كونترول قىلىنىدىغان تىپ ۋە كونترول قىلغىلى بولمايدىغان تۈرگە ئايرىشقا بولىدۇ. ياكى ھەيدەش توك يولىنىڭ سىگنال خۇسۇسىيىتىگە ئاساسەن ، ئۇنى توك بېسىمى تىپى ، توك قوزغىتىش تىپى دەپ ئايرىشقا بولىدۇ.
| تۈرگە ئايرىش | تىپى | كونكرېت يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىلىرى |
| ئېلېكتر سىگنالىنىڭ كونتروللۇقى | يېرىم كونترول قىلىنىدىغان تىپ | SCR |
| تولۇق كونترول | GTO 、 GTR ， MOSFET 、 IGBT | |
| كونترول قىلغىلى بولمايدۇ | Power Diode | |
| ماشىنا سىگنال خۇسۇسىيىتى | توك بېسىمى قوزغىتىش تىپى | IGBT 、 MOSFET 、 SITH |
| نۆۋەتتىكى قوزغىتىش تىپى | SCR 、 GTO 、 GTR | |
| ئۈنۈملۈك سىگنال دولقۇنى | تومۇر قوزغاتقۇچ تىپى | SCR 、 GTO |
| ئېلېكترونلۇق كونترول تىپى | GTR 、 MOSFET 、 IGBT | |
| نۆۋەتتىكى توشۇغۇچى ئېلېكترونلار قاتنىشىدىغان ئەھۋاللار | bipolar device | Power Diode 、 SCR 、 GTO 、 GTR 、 BSIT 、 BJT |
| Unipolar device | MOSFET 、 SIT | |
| بىرىكمە ئۈسكۈنى | MCT, IGBT, SITH ۋە IGCT |
ئوخشىمىغان قۇۋۋەت يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىلىرىنىڭ توك بېسىمى ، توك سىغىمى ، توسقۇنلۇق ئىقتىدارى ۋە چوڭ-كىچىكلىكى قاتارلىق ئوخشىمىغان ئالاھىدىلىكلىرى بار. ئەمەلىي ئىشلىتىشتە ، ئوخشىمىغان ساھە ۋە ئېھتىياجغا ئاساسەن مۇۋاپىق ئۈسكۈنىلەرنى تاللاش كېرەك.
يېرىم ئۆتكۈزگۈچ سانائىتى تۇغۇلغاندىن تارتىپلا ئۈچ ئەۋلاد ماددى ئۆزگىرىشلەرنى باشتىن كەچۈردى. ھازىرغا قەدەر ، Si ۋەكىللىك قىلغان تۇنجى يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىيالى يەنىلا ئېلېكتر يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىلىرى ساھەسىدە ئىشلىتىلىدۇ.
| يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىيالى | Bandgap (eV) | ئېرىتىش نۇقتىسى (K) | main application | |
| 1-ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللىرى | Ge | 1.1 | 1221 | تۆۋەن بېسىملىق ، تۆۋەن چاستوتىلىق ، ئوتتۇراھال توكلۇق تىرانسفورموتور ، فوتو ئېلېكتر ئۈسكۈنىسى |
| 2-ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللىرى | Si | 0.7 | 1687 | |
| 3-ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللىرى | GaAs | 1.4 | 1511 | مىكرو دولقۇن ، مىللىمېتىر دولقۇن ئۈسكۈنىلىرى ، نۇر تارقىتىدىغان ئۈسكۈنىلەر |
| SiC | 3.05 | 2826 | 1. يۇقىرى تېمپېراتۇرا ، يۇقىرى چاستوتىلىق ، رادىئاتسىيەگە چىداملىق يۇقىرى قۇۋۋەتلىك ئۈسكۈنىلەر 2. كۆك ، دەرىجىسى ، بىنەپشە نۇر تارقىتىدىغان دىئود ، يېرىم ئۆتكۈزگۈچ لازېر | |
| GaN | 3.4 | 1973-يىل | ||
| AIN | 6.2 | 2470 | ||
| C | 5.5 | 00 3800 | ||
| ZnO | 3.37 | 2248 | ||
يېرىم كونترول قىلىنىدىغان ۋە تولۇق كونترول قىلىنىدىغان ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرىنىڭ ئالاھىدىلىكىنى يىغىنچاقلاڭ:
| ئۈسكۈنىنىڭ تىپى | SCR | GTR | MOSFET | IGBT |
| كونترول تىپى | تومۇر قوزغاتقۇچ | نۆۋەتتىكى كونترول | توك بېسىمىنى كونترول قىلىش | كىنو مەركىزى |
| self-shutoff line | قىسقارتىش توختىتىلىدۇ | ئۆزلۈكىدىن تاقاش ئۈسكۈنىسى | ئۆزلۈكىدىن تاقاش ئۈسكۈنىسى | ئۆزلۈكىدىن تاقاش ئۈسكۈنىسى |
| خىزمەت چاستوتىسى | ＜ 1khz | ＜ 30khz | 20khz-Mhz | ＜ 40khz |
| ھەيدەش كۈچى | كىچىك | big | كىچىك | كىچىك |
| زىياننى ئالماشتۇرۇش | big | big | big | big |
| ئۆتكۈزگۈچ زىيان | كىچىك | كىچىك | big | كىچىك |
| توك بېسىمى ۋە ھازىرقى سەۋىيىسى | 最大 | big | ئەڭ تۆۋەن | تېخىمۇ كۆپ |
| تىپىك قوللىنىشچان پروگراممىلار | ئوتتۇراھال چاستوتا ئىندۇكسىيە قىزىتىش | UPS چاستوتا ئايلاندۇرغۇچ | توك بىلەن تەمىنلەش | UPS چاستوتا ئايلاندۇرغۇچ |
| باھاسى | ئەڭ تۆۋەن | تۆۋەن | ئوتتۇرىدا | ئەڭ قىممەت |
| ھەرىكەتچان تەڭشەش ئۈنۈمى | have | have | none | have |
MOSFETs بىلەن تونۇشۇڭ
MOSFET نىڭ كىرگۈزۈش توسالغۇسى يۇقىرى ، شاۋقۇنى تۆۋەن ، ئىسسىقلىق مۇقىملىقى ياخشى. ئۇنىڭ ئاددىي ئىشلەپچىقىرىش جەريانى ۋە كۈچلۈك رادىئاتسىيەسى بار ، شۇڭا ئۇ ئادەتتە كۈچەيتكۈچ توك يولى ياكى توك يولىغا ئىشلىتىلىدۇ.
.
(2) ئوخشىمىغان جەريانلارغا ئاساسەن ، ئۇ TrenchMOS دەپ ئايرىلىدۇ: ئۆستەڭ MOSFET ، ئاساسلىقى 100V ئىچىدىكى تۆۋەن بېسىملىق رايوندا. SGT (بۆلۈش دەرۋازىسى) MOSFET: بۆلۈنگەن دەرۋازا MOSFET ، ئاساسلىقى 200V ئىچىدىكى ئوتتۇرا ۋە تۆۋەن بېسىملىق ساھەدە. SJ MOSFET: دەرىجىدىن تاشقىرى ئۇلىنىش MOSFET ، ئاساسلىقى يۇقىرى بېسىملىق 600-800V;
ئوچۇق توك يولى توك يولى قاتارلىق توك ئالماشتۇرۇشتا ، سۇ چىقىرىش ئېغىزى ئوچۇق ئېرىق دەپ ئاتىلىدۇ. ئۈستى ئوچۇق توك يولىدا ، توك بېسىمى قانچىلىك يۇقىرى ئۇلانغان بولۇشىدىن قەتئىينەزەر ، يۈك ئېقىمىنى ئاچقىلى ۋە ئۆچۈرگىلى بولىدۇ. ئۇ كۆڭۈلدىكىدەك ئوخشىتىش ئالماشتۇرۇش ئۈسكۈنىسى. بۇ ئالماشتۇرۇش ئۈسكۈنىسى سۈپىتىدە MOSFET نىڭ پرىنسىپى.
بازار ئۈلۈشى جەھەتتە ، MOSFETs ئاساسەن دېگۈدەك ئاساسلىق خەلقئارالىق ئىشلەپچىقارغۇچىلارنىڭ قولىغا مەركەزلەشكەن. بۇنىڭ ئىچىدە ، ئىنفىنون 2015-يىلى IR (ئامېرىكا خەلقئارا تۈزەش شىركىتى) نى سېتىۋېلىپ ، سانائەت باشلامچىسىغا ئايلانغان. ON يېرىم ئۆتكۈزگۈچ يەنە 2016-يىلى 9-ئايدا Fairchild يېرىم ئۆتكۈزگۈچنى سېتىۋېلىشنى تاماملىدى. بازار ئۈلۈشى ئىككىنچى ئورۇنغا ئۆتتى ، ئاندىن سېتىش رەت تەرتىپى رېنېساس ، توشىبا ، IWC ، ST ، ۋىشاي ، ئەنشى ، ماگنا قاتارلىقلار.
ئاساسىي ئېقىمدىكى MOSFET ماركىلىرى ئامېرىكا ، ياپون ۋە كورېيەدىن ئىبارەت بىر قانچە تۈرگە ئايرىلىدۇ.
ئامېرىكا يۈرۈشلۈكلىرى: ئىنفىنون ، IR ، فايىرچېلد ، يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ، ST ، TI ، PI ، AOS قاتارلىقلار.
ياپونچە: توشىبا ، رېنېساس ، ROHM قاتارلىقلار.
كورېيە يۈرۈشلۈكلىرى: ماگنا ، KEC ، AUK ، مورىنا خىروشى ، شىنەن ، KIA
MOSFET يۈرۈشلۈك تۈرلىرى
ئۇنىڭ PCB تاختىسىغا ئورنىتىش ئۇسۇلىغا ئاساسەن ، MOSFET ئورالمىسىنىڭ ئاساسلىق ئىككى خىل شەكلى بار: قىستۇرما (تۆشۈك ئارقىلىق) ۋە يەر يۈزى ئېغىزى (Surface Mount). ?
قىستۇرما تىپى MOSFET نىڭ ساندۇقلىرىنىڭ PCB تاختىسىنىڭ ئورنىتىش تۆشۈكىدىن ئۆتىدىغانلىقى ۋە PCB تاختىسىغا كەپشەرلەنگەنلىكىدىن دېرەك بېرىدۇ. كۆپ ئۇچرايدىغان قىستۇرما ئورالمىلار تۆۋەندىكىلەرنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ: قوش لىنىيىلىك بوغچا (DIP) ، ترانس ist ورستور لىنىيىسى بولىقى (TO) ۋە pin كاتەكچە ساندۇقى (PGA).
قىستۇرما ئورالما
يەر يۈزىگە ئورنىتىش بولسا MOSFET ساندۇقلىرى ۋە ئىسسىقلىق تارقىتىش فاڭجېنى PCB تاختىسىنىڭ يۈزىدىكى تاختايلارغا كەپشەرلەنگەن جاي. تىپىك بولغان يەر يۈزى ئورالما ئورالمىلىرى: ترانسېنىستور لىنىيىسى (D-PAK) ، كىچىك سىزىقلىق ترانسېنىستور (SOT) ، كىچىك سىزىقلىق ئورالما (SOP) ، تۆت چاسا تەكشى ئورالما (QFP) ، سۇلياۋ قوغۇشۇن ئۆزەك توشۇغۇچى (PLCC) قاتارلىقلارنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ.
surface mount pack
تېخنىكىنىڭ تەرەققىي قىلىشىغا ئەگىشىپ ، ئاساسىي تاختا ۋە گرافىك كارتىسى قاتارلىق PCB تاختىلىرى ھازىر بىۋاسىتە قىستۇرما ئورالمىلارنى ئاز ئىشلىتىدۇ ، تېخىمۇ كۆپ يەر يۈزىگە ئوراش ئورالمىسى ئىشلىتىلىدۇ.
1. قوش لىنىيىلىك بولاق (DIP)
DIP بوغچىسىغا ئىككى قۇر ساندۇق بار بولۇپ ، DIP قۇرۇلمىسى بار ئۆزەك ئېغىزىغا قىستۇرۇش كېرەك. ئۇنىڭ ھاسىل قىلىش ئۇسۇلى SDIP (Shrink DIP) بولۇپ ، كىچىكلىتىلگەن قوش لىنىيىلىك ئورالما. پىننىڭ زىچلىقى DIP نىڭكىدىن 6 ھەسسە يۇقىرى.
DIP ئورالما قۇرۇلما شەكلى تۆۋەندىكىلەرنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ: كۆپ قەۋەتلىك ساپال قوش لىنىيىلىك DIP ، يەككە قەۋەتلىك ساپال قوش لىنىيىلىك DIP ، قوغۇشۇن رامكىسى DIP (ئەينەك ساپال پېچەتلەش تىپى ، سۇلياۋ ئورالغان قۇرۇلما تىپى ، ساپال تۆۋەن ئېرىتىلگەن ئەينەك قاپلاش قاتارلىقلارنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ). تىپ) قاتارلىقلار DIP ئورالمىسىنىڭ ئالاھىدىلىكى شۇكى ، ئۇ PCB تاختىسىنىڭ تۆشۈك ئارقىلىق كەپشەرلەشنى ئاسانلا ھېس قىلالايدۇ ھەمدە ئاساسىي تاختا بىلەن ماسلىشىشچانلىقى ياخشى.
قانداقلا بولمىسۇن ، ئۇنىڭ ئورالما رايونى ۋە قېلىنلىقى بىر قەدەر چوڭ بولغاچقا ، توكقا چېتىش ۋە توك چىقىرىش جەريانىدا مىخ ئاسانلا بۇزۇلۇپ كېتىدۇ ، ئىشەنچلىكلىكى ناچار. شۇنىڭ بىلەن بىر ۋاقىتتا ، بۇ جەرياننىڭ تەسىرىدىن ، ساندۇق سانى ئادەتتە 100 دىن ئېشىپ كەتمەيدۇ. شۇڭلاشقا ، ئېلېكترون سانائىتىنىڭ يۇقىرى دەرىجىدە بىر گەۋدىلىشىش جەريانىدا ، DIP ئورالمىسى تارىخ سەھنىسىدىن تەدرىجىي چېكىنىپ چىقتى.
2. Transistor Outline Package (TO)
دەسلەپكى ئورالما ئۆلچىمى ، مەسىلەن TO-3P ، TO-247 ، TO-92 ، TO-92L ، TO-220 ، TO-220F ، TO-251 قاتارلىقلار ھەممىسى قىستۇرما ئورالما لايىھىسى.
TO-3P / 247: ئۇ ئوتتۇرا يۇقىرى بېسىملىق ۋە يۇقىرى توكلۇق MOSFET لار ئۈچۈن كۆپ ئىشلىتىلىدىغان ئورالما شەكلى. بۇ مەھسۇلات يۇقىرى بېسىملىق بېسىم ۋە كۈچلۈك پارچىلىنىشقا قارشى تۇرۇش ئالاھىدىلىكىگە ئىگە. ?
TO-220 / 220F: TO-220F پۈتۈنلەي سۇلياۋ ئورالما بولۇپ ، رادىئاتسىيەگە قاچىلىغاندا ئىزولياتور تاختىسى قوشۇشنىڭ ھاجىتى يوق. TO-220 نىڭ ئوتتۇرىسىغا مىخلانغان مېتال ۋاراق بار ، رادىئاتسىيە ئورناتقاندا ئىزولياتور تاختىسى تەلەپ قىلىنىدۇ. بۇ ئىككى يۈرۈشلۈك ئۇسلۇبتىكى MOSFET نىڭ سىرتقى كۆرۈنۈشى ئوخشاش بولۇپ ، ئالماشتۇرغىلى بولىدۇ. ?
TO-251: بۇ ئورالغان مەھسۇلات ئاساسلىقى تەننەرخنى تۆۋەنلىتىش ۋە مەھسۇلات كۆلىمىنى ئازايتىش ئۈچۈن ئىشلىتىلىدۇ. ئۇ ئاساسلىقى ئوتتۇرا بېسىم ۋە يۇقىرى توك 60A دىن تۆۋەن ، يۇقىرى بېسىملىق 7N دىن تۆۋەن مۇھىتتا ئىشلىتىلىدۇ. ?
TO-92: بۇ ئورالما تەننەرخنى تۆۋەنلىتىش ئۈچۈن پەقەت تۆۋەن بېسىملىق MOSFET (توك 10A دىن تۆۋەن ، توك بېسىمى 60V دىن تۆۋەن) ۋە يۇقىرى بېسىملىق 1N60 / 65 ئۈچۈن ئىشلىتىلىدۇ.
يېقىنقى يىللاردىن بۇيان ، قىستۇرما ئوراپ قاچىلاش جەريانىنىڭ كەپشەرلەش تەننەرخىنىڭ يۇقىرى بولۇشى ۋە ياماق تۈرىدىكى مەھسۇلاتلارنىڭ ئىسسىقلىق تارقىتىش ئىقتىدارىنىڭ تۆۋەن بولۇشى سەۋەبىدىن ، يەر يۈزىگە ئورنىتىش بازىرىغا بولغان ئېھتىياج داۋاملىق ئاشتى ، بۇمۇ TO ئورالمىسىنىڭ تەرەققىي قىلىشىنى كەلتۈرۈپ چىقاردى. يەر يۈزىگە قاچىلاش.
TO-252 (D-PAK دەپمۇ ئاتىلىدۇ) ۋە TO-263 (D2PAK) ھەر ئىككىسى يەر يۈزىگە ئورالغان ئورالمىلار .。
مەھسۇلاتنىڭ سىرتقى كۆرۈنۈشى
TO252 / D-PAK سۇلياۋ ئۆزەك بولىقى بولۇپ ، ئادەتتە توك تىرانسفورموتور ۋە توك بېسىمىنى مۇقىملاشتۇرىدىغان ئۆزەكلەرنى ئوراشقا ئىشلىتىلىدۇ. ئۇ ھازىرقى ئاساسىي ئېقىم بوغچىلىرىنىڭ بىرى. بۇ ئورالما ئۇسۇلىنى قوللانغان MOSFET نىڭ ئۈچ ئېلېكترود ، دەرۋازا (G) ، سۇ چىقىرىش (D) ۋە مەنبە (S) بار. سۇ چىقىرىش (D) مىخ ئۈزۈلۈپ ئىشلىتىلمەيدۇ. ئەكسىچە ، كەينىدىكى ئىسسىقلىق كۆلچىكى PCB غا بىۋاسىتە كەپشەرلەنگەن ئېرىق (D) سۈپىتىدە ئىشلىتىلىدۇ. بىر تەرەپتىن ئۇ چوڭ ئېقىن چىقىرىشقا ئىشلىتىلىدۇ ، يەنە بىر تەرەپتىن PCB ئارقىلىق ئىسسىقلىق تارقىتىدۇ. شۇڭلاشقا ، PCB دا ئۈچ D-PAK ياپقۇچ بار ، سۇ چىقىرىش (D) تاختىسى تېخىمۇ چوڭ. ئۇنىڭ ئورالما ئۆلچىمى تۆۋەندىكىچە:
TO-252 / D-PAK بوغچا چوڭلۇقى ئۆلچىمى
TO-263 بولسا TO-220 نىڭ بىر خىل شەكلى. ئۇ ئاساسلىقى ئىشلەپچىقىرىش ئۈنۈمى ۋە ئىسسىقلىقنىڭ تارقىلىشىنى ياخشىلاش ئۈچۈن لايىھەلەنگەن. ئۇ ئىنتايىن يۇقىرى توك ۋە توك بېسىمىنى قوللايدۇ. ئۇ 150A دىن تۆۋەن ۋە 30V دىن يۇقىرى ئوتتۇراھال بېسىملىق يۇقىرى توكلۇق MOSFET لاردا كۆپ ئۇچرايدۇ. D2PAK (TO-263AB) دىن باشقا ، ئۇ يەنە TO263-2 ، TO263-3 ، TO263-5 ، TO263-7 ۋە باشقا ئۇسلۇبلارنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ ، بۇلار TO-263 غا بويسۇنىدۇ ، ئاساسلىقى ساندۇقلارنىڭ سانى ۋە ئارىلىقى ئوخشىمايدۇ. .
TO-263 / D2PAK بوغچا چوڭلۇقى ئۆلچىمىs
3. Pin grid array pack (PGA)
PGA (Pin Grid Array Package) ئۆزىكىنىڭ ئىچى ۋە سىرتىدا كۆپ كۋادرات شەكىللىك ساندۇق بار. ھەر بىر كۋادرات ساندۇق ساندۇقى ئۆزەكنىڭ ئەتراپىدا بەلگىلىك ئارىلىقتا ئورۇنلاشتۇرۇلغان. ساندۇق سانىغا ئاساسەن ، ئۇنى 2 دىن 5 گىچە چەمبەر شەكىللەندۈرگىلى بولىدۇ. قاچىلاش جەريانىدا ئۆزەكنى ئالاھىدە PGA ئېغىزىغا قىستۇرۇڭ. ئۇ ئاسان توكقا چېتىش ۋە توك چىقىرىش ۋە يۇقىرى ئىشەنچلىك بولۇشتەك ئەۋزەللىككە ئىگە ، ھەمدە تېخىمۇ يۇقىرى چاستوتىغا ماسلىشالايدۇ.
PGA يۈرۈشلۈك ئۇسلۇبى
ئۇنىڭ ئۆزەك پلاستىنكىلىرىنىڭ كۆپىنچىسى ساپال ماتېرىيالدىن ياسالغان ، بەزىلىرى ئالاھىدە سۇلياۋ يوپۇقنى ئاستىرتتىن ئىشلىتىدۇ. تېخنىكا جەھەتتە ، پىن مەركىزىنىڭ ئارىلىقى ئادەتتە 2.54 مىللىمېتىر ، ساندۇق سانى 64 دىن 447 گىچە بولىدۇ. بۇ خىل ئورالمىنىڭ ئالاھىدىلىكى شۇكى ، ئورالما رايونى (ھەجمى) قانچە كىچىك بولسا ، توك سەرپىياتى شۇنچە تۆۋەن بولىدۇ. ) ئۇ بەرداشلىق بېرەلەيدۇ ، ئەكسىچە. ئۆزەكنىڭ بۇ ئورالما ئۇسلۇبى دەسلەپكى مەزگىللەردە كۆپ ئۇچرايدىغان بولۇپ ، كۆپىنچە CPU قاتارلىق يۇقىرى قۇۋۋەتلىك ئىستېمال مەھسۇلاتلىرىنى ئوراپ قاچىلاشقا ئىشلىتىلگەن. مەسىلەن ، ئىنتېلنىڭ 80486 ۋە Pentium ھەممىسى بۇ ئورالما ئۇسلۇبىنى ئىشلىتىدۇ. ئۇ MOSFET ئىشلەپچىقارغۇچىلار تەرىپىدىن كەڭ كۆلەمدە قوبۇل قىلىنمايدۇ.
4. كىچىك تىپتىكى تىرانسفورماتور بوغچىسى (SOT)
SOT (كىچىك لىنىيىلىك ترانس ist ور) ياماق تىپىدىكى كىچىك تىپتىكى تىرانسفورموتور بولىقى بولۇپ ، ئاساسلىقى SOT23 ، SOT89 ، SOT143 ، SOT25 (يەنى SOT23-5) قاتارلىقلارنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ. SOT323 ، SOT363 / SOT26 (يەنى SOT23-6) ۋە باشقا تۈرلەر ھاسىل قىلىنغان ، چوڭلۇقى TO بولاقلىرىغا قارىغاندا كىچىكرەك.
SOT بوغچا تىپى
SOT23 كۆپ ئىشلىتىلىدىغان ترانسېنىستور بولىقى بولۇپ ، زاپچاسنىڭ ئۇزۇن تەرىپىنىڭ ئىككى تەرىپىگە تىزىلغان يىغىپ ساقلىغۇچى ، قويۇپ بەرگۈچى ۋە ئاساسى ئۈچ قانات شەكىللىك مىخ بار. بۇنىڭ ئىچىدە بۇلغىما قويۇپ بەرگۈچى بىلەن ئاساسى بىر تەرەپتە. ئۇلار تۆۋەن قۇۋۋەتلىك تىرانسفورماتور ، مەيدان ئېففېكتى ترانسفورماتور ۋە قارشىلىق تورى بىلەن بىرىكمە ترانسفورماتورلاردا كۆپ ئۇچرايدۇ. ئۇلارنىڭ كۈچلۈك كۈچى بار ، ئەمما ئېرىشچانلىقى ياخشى ئەمەس. كۆرۈنۈش تۆۋەندىكى (a) رەسىمدە كۆرسىتىلدى.
SOT89 نىڭ ترانسېنىستورنىڭ بىر تەرىپىگە تارقىتىلغان ئۈچ قىسقا ساندۇق بار. يەنە بىر تەرىپى بولسا ئىسسىقلىق تارقىتىش ئىقتىدارىنى ئاشۇرۇش ئۈچۈن ئاساسقا ئۇلانغان مېتال ئىسسىقلىق ساندۇقى. ئۇ كرېمنىيلىق توك يۈزىگە ئورنىتىش ترانسزورتىدا كۆپ ئۇچرايدۇ ، تېخىمۇ يۇقىرى توك ئىشلىتىشكە ماس كېلىدۇ. كۆرۈنۈش تۆۋەندىكى (b) رەسىمدە كۆرسىتىلدى. ?
SOT143 نىڭ ئىككى تەرىپىدىن چىقىرىلىدىغان تۆت قىسقا قانات شەكىللىك مىخ بار. پىننىڭ تېخىمۇ كەڭ ئۇچى يىغىپ ساقلىغۇچى. بۇ خىل ئورالما يۇقىرى چاستوتىلىق تىرانسفورموتوردا كۆپ ئۇچرايدۇ ، ئۇنىڭ كۆرۈنۈشى تۆۋەندىكى رەسىم (c) دە كۆرسىتىلدى. ?
SOT252 يۇقىرى قۇۋۋەتلىك ترانس ist ور بولۇپ ، بىر تەرەپتىن ئۈچ دانە پىنيىن بار ، ئوتتۇرىدىكى پىنتا قىسقا ھەم يىغىپ ساقلىغۇچى. يەنە بىر ئۇچىدىكى چوڭراق ئۇلىنىشقا ئۇلاڭ ، بۇ ئىسسىقلىقنىڭ تارقىلىشى ئۈچۈن مىس ۋاراق ، ئۇنىڭ كۆرۈنۈشى تۆۋەندىكى (d) رەسىمدە كۆرسىتىلگەندەك.
كۆپ ئۇچرايدىغان SOT بوغچا كۆرۈنۈشىنى سېلىشتۇرۇش
تۆت تېرمىنال SOT-89 MOSFET ئادەتتە ئاساسىي تاختىدا ئىشلىتىلىدۇ. ئۇنىڭ ئۆلچىمى ۋە ئۆلچىمى تۆۋەندىكىچە:
SOT-89 MOSFET چوڭلۇقى ئۆلچىمى (بىرلىكى: mm)
5. كىچىك سىزىق بولىقى (SOP)
SOP (كىچىك سىزىقلىق ئورالما) يەر يۈزىگە ئورالغان ئورالمىلارنىڭ بىرى ، ئۇ SOL ياكى DFP دەپمۇ ئاتىلىدۇ. بۇ ساندۇقلار ئورالمىنىڭ ئىككى تەرىپىدىن دېڭىز يىلپىزى قانىتى (L شەكلىدە) سىزىلغان. ماتېرىياللار سۇلياۋ ۋە ساپالدىن ياسالغان. SOP ئورالما ئۆلچىمى SOP-8 ، SOP-16 ، SOP-20 ، SOP-28 قاتارلىقلارنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ. SOP دىن كېيىنكى سان ساندۇق سانىنى كۆرسىتىدۇ. كۆپىنچە MOSFET SOP بوغچىسى SOP-8 ئۆلچىمىنى قوللىنىدۇ. بۇ كەسىپ ھەمىشە «P» نى چىقىرىپ تاشلاپ ، ئۇنى SO (كىچىك سىزىق) دەپ قىسقارتىدۇ.
SOP-8 يۈرۈشلۈك چوڭلۇقى
SO-8 تۇنجى قېتىم PHILIP شىركىتى تەرىپىدىن ياسالغان. ئۇ سۇلياۋغا قاچىلانغان بولۇپ ، ئىسسىقلىق تارقىتىشنىڭ ئاستى تاختىسى يوق ، ئىسسىقلىقنىڭ تارقىلىشى ياخشى ئەمەس. ئۇ ئادەتتە تۆۋەن قۇۋۋەتلىك MOSFETs ئۈچۈن ئىشلىتىلىدۇ. كېيىن ، TSOP (نېپىز كىچىك سىزىقلىق ئورالما) ، VSOP (ئىنتايىن كىچىك سىزىقلىق ئورالما) ، SSOP (كىچىكلىتىش SOP) ، TSSOP (نېپىز كىچىكلىتىش SOP) قاتارلىق ئۆلچەملىك ئۆلچەملەر تەدرىجىي بارلىققا كەلدى. بۇنىڭ ئىچىدە TSOP ۋە TSSOP ئادەتتە MOSFET ئورالمىسىدا ئىشلىتىلىدۇ.
SOP ئادەتتە MOSFETs ئۈچۈن ئىشلىتىلىدۇ
6. Quad Flat Package (QFP)
QFP (پىلاستىك Quad Flat Package) دىكى ئۆزەك پلاستىنكىسىنىڭ ئارىلىقى ئىنتايىن كىچىك بولۇپ ، پىنيىن ئىنتايىن نېپىز. ئۇ ئادەتتە چوڭ ياكى دەرىجىدىن تاشقىرى چوڭ توپلاشتۇرۇلغان توك يولىدا ئىشلىتىلىدۇ ، ساندۇق سانى ئادەتتە 100 دىن ئاشىدۇ. بۇ خىل شەكىلدە ئورالغان ئۆزەك چوقۇم SMT يۈزىگە ئورنىتىش تېخنىكىسىنى ئىشلىتىپ ئۆزەكنى ئاساسىي تاختىغا ساتالايدۇ. بۇ ئورالما ئۇسۇلىنىڭ تۆت چوڭ ئالاھىدىلىكى بار: SM SMD يۈزىگە ئورنىتىش تېخنىكىسىنىڭ PCB توك يولى تاختىسىغا سىم ئورنىتىشىغا ماس كېلىدۇ. High يۇقىرى چاستوتىلىق ئىشلىتىشكە ماس كېلىدۇ. Operating مەشغۇلات قىلىش ئاسان ، ئىشەنچلىكلىكى يۇقىرى. Chip ئۆزەك رايونى بىلەن ئورالما رايونىنىڭ نىسبىتى كىچىك. PGA ئوراپ قاچىلاش ئۇسۇلىغا ئوخشاش ، بۇ ئورالما ئۇسۇلى ئۆزەكنى سۇلياۋ ئورالمىغا ئوراپ ، ئۆزەك ۋاقتىدا ئىشلەۋاتقاندا ھاسىل بولغان ئىسسىقلىقنى تارقىتىۋېتەلمەيدۇ. ئۇ MOSFET ئىقتىدارىنىڭ ياخشىلىنىشىنى چەكلەيدۇ. ھەمدە سۇلياۋ ئورالمىنىڭ ئۆزى ئۈسكۈنىنىڭ چوڭ-كىچىكلىكىنى ئاشۇرىدۇ ، بۇ يېرىم ئۆتكۈزگۈچنىڭ يېنىك ، نېپىز ، قىسقا ۋە كىچىك بولۇش يۆنىلىشىدىكى تەرەققىيات تەلىپىگە ماس كەلمەيدۇ. ئۇنىڭدىن باشقا ، بۇ خىل ئوراپ قاچىلاش ئۇسۇلى يەككە ئۆزەكنى ئاساس قىلغان بولۇپ ، ئۇنىڭدا ئىشلەپچىقىرىش ئۈنۈمى تۆۋەن ۋە ئورالما تەننەرخى يۇقىرى بولۇش مەسىلىسى بار. شۇڭلاشقا ، QFP مىكرو بىر تەرەپ قىلغۇچ / دەرۋازا ساندۇقى قاتارلىق رەقەملىك لوگىكىلىق LSI توك يولىدا ئىشلىتىشكە تېخىمۇ ماس كېلىدۇ ، شۇنداقلا VTR سىگنال بىر تەرەپ قىلىش ۋە ئاۋازلىق سىگنال بىر تەرەپ قىلىش قاتارلىق ئوخشىشىپ كېتىدىغان LSI توك يولى مەھسۇلاتلىرىنى ئوراپ قاچىلاشقىمۇ ماس كېلىدۇ.
7 lead قوغۇشۇنسىز تۆت خىل تەكشى بولاق (QFN)
QFN (Quad Flat باشلامچى بولاق) بوغچىسىغا تۆت تەرىپىگە ئېلېكترود ئالاقىسى ئورنىتىلغان. قوغۇشۇن بولمىغاچقا ، ئورنىتىش رايونى QFP دىن كىچىك ، ئېگىزلىكى QFP دىن تۆۋەن. بۇنىڭ ئىچىدە ، ساپال QFN يەنە LCC (قوغۇشۇنسىز ئۆزەك توشۇغۇچى) دەپمۇ ئاتىلىدۇ ، ئەرزان باھالىق سۇلياۋ QFN ئەينەك ئېپوسسىمان رېلىن بېسىلغان يەر ئاستى ماتېرىيال ماتېرىيالى سۇلياۋ LCC ، PCLC ، P-LCC قاتارلىقلار دەپ ئاتىلىدۇ. كىچىك تاختا چوڭلۇقى ، ھەجىمى كىچىك ، سۇلياۋ پېچەتلەنگەن ماتېرىيال. QFN ئاساسلىقى توپلاشتۇرۇلغان توك يولى ئورالمىسىغا ئىشلىتىلىدۇ ، MOSFET ئىشلىتىلمەيدۇ. قانداقلا بولمىسۇن ، ئىنتېل توپلاشتۇرۇلغان قوزغاتقۇچ ۋە MOSFET ھەل قىلىش چارىسىنى ئوتتۇرىغا قويغانلىقى ئۈچۈن ، ئۇ QMN-56 بولىقىدا DrMOS نى چىقاردى («56» ئۆزەكنىڭ كەينىدىكى 56 ئۇلىنىش ساندۇقىنى كۆرسىتىدۇ).
دىققەت قىلىشقا تېگىشلىكى شۇكى ، QFN بولىقى دەرىجىدىن تاشقىرى نېپىز كىچىك سىزىقلىق يۈرۈشلۈك (TSSOP) بىلەن ئوخشاش سىرتقى قوغۇشۇن سەپلىمىسىگە ئىگە ، ئەمما چوڭلۇقى TSSOP غا قارىغاندا% 62 كىچىك. QFN مودېل سانلىق مەلۇماتلىرىغا قارىغاندا ، ئۇنىڭ ئىسسىقلىق ئىقتىدارى TSSOP ئورالمىسىدىن% 55 يۇقىرى ، ئېلېكتر ئىقتىدارى (ئىندۇكسىيە ۋە سىغىمچانلىقى) TSSOP ئورالمىسىدىن ئايرىم-ئايرىم ھالدا% 60 ۋە% 30 يۇقىرى. ئەڭ چوڭ كەمچىلىكى شۇكى ، رېمونت قىلىش تەس.
QFN-56 بولىقىدىكى DrMOS
ئەنئەنىۋى دىسكا DC / DC قەدەممۇ-قەدەم توك ئالماشتۇرۇش توك تەمىناتى تېخىمۇ يۇقىرى توك زىچلىقىدىكى تەلەپنى قاندۇرالمايدۇ ، شۇنداقلا يۇقىرى توك ئالماشتۇرۇش چاستوتىدىكى پارازىت پارامېتىر تەسىرى مەسىلىسىنى ھەل قىلالمايدۇ. تېخنىكىنىڭ يېڭىلىنىشى ۋە تەرەققىي قىلىشىغا ئەگىشىپ ، قوزغاتقۇچ ۋە MOSFETs نى بىرلەشتۈرۈپ كۆپ ئۆزەكلىك مودۇل ياساش رېئاللىققا ئايلاندى. بۇ بىرىكتۈرۈش ئۇسۇلى خېلى كۆپ بوشلۇقنى تېجەپ ، توك سەرپىياتىنىڭ زىچلىقىنى ئاشۇرالايدۇ. قوزغاتقۇچ ۋە MOSFET لارنى ئەلالاشتۇرۇش ئارقىلىق ئۇ رېئاللىققا ئايلاندى. قۇۋۋەت ئۈنۈمى ۋە يۇقىرى سۈپەتلىك DC ئېقىمى ، بۇ DrMOS توپلاشتۇرۇلغان قوزغاتقۇچ IC.
Renesas 2-ئەۋلاد DrMOS
QFN-56 قوغۇشۇنسىز ئورالما DrMOS ئىسسىقلىق توسالغۇسىنى ئىنتايىن تۆۋەن قىلىدۇ. ئىچكى سىم باغلاش ۋە مىس قىسقۇچ لايىھىلەش ئارقىلىق ، سىرتقى PCB سىملىرىنى ئەڭ تۆۋەن چەككە چۈشۈرگىلى بولىدۇ ، بۇ ئارقىلىق ئىندۇكسىيە ۋە قارشىلىق كۈچى تۆۋەنلەيدۇ. بۇنىڭدىن باشقا ، ئىشلىتىلگەن چوڭقۇر قاناللىق كرېمنىي MOSFET جەريان يەنە ئۆتكۈزگۈچ ، ئالماشتۇرۇش ۋە دەرۋازا زەربىسىنى كۆرۈنەرلىك ئازايتالايدۇ. ئۇ ھەرخىل كونتروللىغۇچلار بىلەن ماسلىشالايدۇ ، ئوخشىمىغان مەشغۇلات ھالىتىنى ئەمەلگە ئاشۇرالايدۇ ھەمدە ئاكتىپ باسقۇچ ئۆزگەرتىش ھالىتى APS (ئاپتوماتىك باسقۇچ ئالماشتۇرۇش) نى قوللايدۇ. QFN ئورالمىسىدىن باشقا ، ئىككى تەرەپلىك تەكشى قوغۇشۇنسىز ئورالما (DFN) يەنە يېڭى ئېلېكترونلۇق ئوراپ قاچىلاش جەريانى بولۇپ ، ON يېرىم ئۆتكۈزگۈچنىڭ ھەرقايسى زاپچاسلىرىدا كەڭ قوللىنىلدى. QFN غا سېلىشتۇرغاندا ، DFN نىڭ ئىككى تەرىپىدە قوغۇشۇن چىقىرىش ئېلېكتىروسى بىر قەدەر ئاز.
8 、 سۇلياۋ قوغۇشۇن ئۆزەك توشۇغۇچى (PLCC)
PLCC (Plastic Quad Flat Package) نىڭ كۋادرات شەكلى بار بولۇپ ، DIP بوغچىسىدىن كۆپ كىچىك. ئۇنىڭ ئەتراپىدا 32 دانە مىخ بار. مىخلار ئورالمىنىڭ تۆت تەرىپىدىن T شەكىللىك ھالەتتە چىقىرىلىدۇ. ئۇ سۇلياۋ مەھسۇلات. مىخ مەركىزىنىڭ ئارىلىقى 1.27 مىللىمېتىر ، ساندۇقنىڭ سانى 18 دىن 84 كىچە بولىدۇ. J شەكىللىك ساندۇقلار ئاسانلا شەكلى ئۆزگىرىپ كەتمەيدۇ ، QFP غا قارىغاندا مەشغۇلات قىلىش ئاسان ، ئەمما كەپشەرلىگەندىن كېيىن تاشقى كۆرۈنۈشنى تەكشۈرۈش تېخىمۇ تەس. PLCC ئورالمىسى SMT يۈزىگە ئورنىتىش تېخنىكىسى ئارقىلىق PCB غا سىم ئورنىتىشقا ماس كېلىدۇ. ئۇنىڭ كىچىكلىكى ۋە ئىشەنچلىكلىكى يۇقىرى. PLCC ئورالمىسى بىر قەدەر كۆپ ئۇچرايدىغان بولۇپ ، لوگىكىلىق LSI ، DLD (ياكى پروگرامما لوگىكا ئۈسكۈنىسى) ۋە باشقا توك يولىلاردا ئىشلىتىلىدۇ. بۇ ئورالما شەكلى كۆپىنچە ئاساسىي تاختا BIOS دا ئىشلىتىلىدۇ ، ئەمما ھازىر MOSFETs تا ئاز ئۇچرايدۇ.
ئاساسىي ئېقىمدىكى كارخانىلارنى ماسلاشتۇرۇش ۋە ياخشىلاش
مەركىزى بىر تەرەپ قىلغۇچنىڭ تۆۋەن بېسىملىق ۋە يۇقىرى توكنىڭ تەرەققىيات يۈزلىنىشى سەۋەبىدىن ، MOSFET لارنىڭ چوڭ چىقىرىش ئېقىمى ، قارشىلىق كۈچى تۆۋەن ، تۆۋەن ئىسسىقلىق تارقىتىش ، ئىسسىقلىقنىڭ تېز تارقىلىشى ۋە كىچىكلىكى بولۇشى تەلەپ قىلىنىدۇ. MOSFET ئىشلەپچىقارغۇچىلار ئۆزەك ئىشلەپچىقىرىش تېخنىكىسى ۋە جەريانلىرىنى ياخشىلاشتىن باشقا ، ئوراپ قاچىلاش تېخنىكىسىنى داۋاملىق ياخشىلايدۇ. ئۆلچەملىك تاشقى كۆرۈنۈش ئۆلچىمىگە ماسلىشىش ئاساسىدا ، ئۇلار يېڭى ئورالما شەكىللىرىنى ئوتتۇرىغا قويدى ۋە ئۆزلىرى ئىجاد قىلغان يېڭى ئورالمىلارغا ماركا نامىنى تىزىملىتىدۇ.
1 、 RENESAS WPAK ، LFPAK ۋە LFPAK-I ئورالمىلىرى
WPAK بولسا Renesas تەتقىق قىلىپ چىققان يۇقىرى ئىسسىقلىق رادىئاتسىيىسى. D-PAK بولىقىنى تەقلىد قىلىش ئارقىلىق ، ئۆزەك ئىسسىقلىق ساقلاش ئۈسكۈنىسى ئاساسىي تاختىغا كەپشەرلىنىدۇ ، ئىسسىقلىق ئاساسىي تاختا ئارقىلىق تارقىلىدۇ ، بۇنداق بولغاندا كىچىك ئورالما WPAK يەنە D-PAK نىڭ چىقىرىش ئېقىمىغا يېتەلەيدۇ. WPAK-D2 ئىككى يۇقىرى / تۆۋەن MOSFET نى ئوراپ ، سىم ئىندۇكسىيەسىنى تۆۋەنلىتىدۇ.
Renesas WPAK يۈرۈشلۈك چوڭلۇقى
LFPAK ۋە LFPAK-I بولسا Renesas تەتقىق قىلىپ ياساپ چىققان باشقا ئىككى كىچىك شەكىل ئامىلى بولۇپ ، SO-8 بىلەن ماسلىشالايدۇ. LFPAK D-PAK غا ئوخشايدۇ ، ئەمما D-PAK دىن كىچىك. LFPAK-i ئىسسىقلىق ساقلاش ساندۇقىنى يۇقىرى ئورۇنغا قويۇپ ، ئىسسىقلىق ساقلاش ئۈسكۈنىسى ئارقىلىق ئىسسىقلىق تارقىتىدۇ.
Renesas LFPAK ۋە LFPAK-I بولىقى
2. Vishay Power-PAK ۋە قۇتۇپ- PAK ئورالمىسى
Power-PAK بولسا Vishay شىركىتى تىزىملاتقان MOSFET بوغچا ئىسمى. Power-PAK ئىككى خىل ئىقتىدارنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ: Power-PAK1212-8 ۋە Power-PAK SO-8.
Vishay Power-PAK1212-8 بولىقى
Vishay Power-PAK SO-8 بولىقى
قۇتۇپ PAK قوش يۈزلۈك ئىسسىقلىق تارقىتىدىغان كىچىك ئورالما بولۇپ ، ۋىشاينىڭ يادرولۇق ئوراش تېخنىكىسىنىڭ بىرى. قۇتۇپ PAK ئادەتتىكى so-8 بولىقى بىلەن ئوخشاش. ئۇنىڭ ئورالمىنىڭ ئۈستى ۋە ئاستى تەرىپىدە تارقىلىش نۇقتىلىرى بار. ئورالمىنىڭ ئىچىدە ئىسسىقلىق توپلاش ئاسان ئەمەس ، مەشغۇلات ئېقىمىنىڭ نۆۋەتتىكى زىچلىقىنى SO-8 نىڭ ئىككى ھەسسىسىگە ئاشۇرغىلى بولىدۇ. ھازىر Vishay STMicroelectronics غا Polar PAK تېخنىكىسىنى ئىجازەت بەردى.
Vishay Polar PAK بولىقى
3. Onsemi SO-8 ۋە WDFN8 تەكشى قوغۇشۇن ئورالمىسى
ON يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئىككى خىل تەكشى قوغۇشۇنلۇق MOSFET نى ياساپ چىقتى ، بۇنىڭ ئىچىدە SO-8 ماسلاشتۇرۇلغان تەكشى قوغۇشۇننى نۇرغۇن تاختايلار ئىشلىتىدۇ. ON يېرىم ئۆتكۈزگۈچنىڭ يېڭىدىن بازارغا سېلىنغان NVMx ۋە NVTx قۇۋۋىتى MOSFETs ئىخچام DFN5 (SO-8FL) ۋە WDFN8 ئورالمىلىرىنى ئىشلىتىپ ، ئۆتكۈزگۈچ زىياننى ئەڭ تۆۋەن چەككە چۈشۈردى. ئۇنىڭدا يەنە QG ۋە سىغىمى تۆۋەن بولۇپ ، شوپۇرلارنىڭ زىيىنىنى ئازايتىدۇ.
يېرىم ئۆتكۈزگۈچ SO-8 تەكشى قوغۇشۇن بولىقى
ON يېرىم ئۆتكۈزگۈچ WDFN8 بولىقى
4. NXP LFPAK ۋە QLPAK ئورالمىسى
NXP (ئىلگىرىكى Philps) SO-8 ئوراش تېخنىكىسىنى LFPAK ۋە QLPAK غا ئۆستۈردى. بۇنىڭ ئىچىدە LFPAK دۇنيادىكى ئەڭ ئىشەنچلىك قۇۋۋەت SO-8 بولىقى دەپ قارىلىدۇ. ھالبۇكى QLPAK كىچىك كۆلەم ۋە تېخىمۇ يۇقىرى ئىسسىقلىق تارقىتىش ئالاھىدىلىكىگە ئىگە. ئادەتتىكى SO-8 غا سېلىشتۇرغاندا ، QLPAK PCB تاختا رايونىنى 6 * 5mm ئىگىلەيدۇ ، ئىسسىقلىق قارشىلىقى 1.5k / W.
NXP LFPAK بولىقى
NXP QLPAK ئورالمىسى
4. ST يېرىم ئۆتكۈزگۈچ PowerSO-8 بولىقى
STMicroelectronics نىڭ قۇۋۋىتى MOSFET ئۆزەك ئوراش تېخنىكىسى SO-8 ، PowerSO-8 ، PowerFLAT ، DirectFET ، PolarPAK قاتارلىقلارنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ ، بۇنىڭ ئىچىدە Power SO-8 بولسا SO-8 نىڭ ياخشىلانغان نۇسخىسى. بۇنىڭدىن باشقا ، PowerSO-10 ، PowerSO-20 ، TO-220FP ، H2PAK-2 ۋە باشقا ئورالمىلار بار.
STMicroelectronics Power SO-8 بولىقى
5. Fairchild يېرىم ئۆتكۈزگۈچ قۇۋۋىتى 56 يۈرۈشلۈك
Power 56 بولسا Farichild نىڭ ئالاھىدە ئىسمى ، ئۇنىڭ رەسمىي ئىسمى DFN5 × 6. ئۇنىڭ ئورالما رايونىنى ئادەتتە ئىشلىتىلىدىغان TSOP-8 بىلەن سېلىشتۇرۇشقا بولىدۇ ، نېپىز ئورالما زاپچاسلارنىڭ تازىلاش ئېگىزلىكىنى تېجەيدۇ ، ئاستىدىكى ئىسسىقلىق ساقلاش لايىھىسى ئىسسىقلىق قارشىلىقىنى تۆۋەنلىتىدۇ. شۇڭلاشقا ، نۇرغۇن ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرى ئىشلەپچىقارغۇچىلار DFN5 × 6 نى ئورۇنلاشتۇردى.
Fairchild Power 56 بولىقى
6. خەلقئارالىق تەڭشىگۈچ (IR) بىۋاسىتە FET بولىقى
بىۋاسىتە FET SO-8 ياكى كىچىكرەك ئىزىدا ئۈنۈملۈك يۇقىرى سوۋۇتۇش بىلەن تەمىنلەيدۇ ھەمدە كومپيۇتېر ، خاتىرە كومپيۇتېر ، تېلېگراف ۋە ئىستېمال ئېلېكترون ئۈسكۈنىلىرىدىكى AC-DC ۋە DC-DC توك ئۆزگەرتىش قوللىنىشچان پروگراممىلىرىغا ماس كېلىدۇ. DirectFET نىڭ مېتال قۇرۇلۇشى قوش يۈزلۈك ئىسسىقلىق تارقىتىش بىلەن تەمىنلەيدۇ ، ئۆلچەملىك سۇلياۋ دىسكا ئورالمىسىغا سېلىشتۇرغاندا ، يۇقىرى چاستوتىلىق DC-DC پۇل ئالماشتۇرغۇچنىڭ نۆۋەتتىكى بىر تەرەپ قىلىش ئىقتىدارىنى ئۈنۈملۈك بىر قاتلايدۇ. Direct FET بوغچىسى تەتۈر ئورنىتىلغان تىپ بولۇپ ، سۇ چىقىرىش (D) ئىسسىقلىق كۆلچىكى يۇقىرىغا قارىتىلغان ۋە مېتال قاپ بىلەن يېپىلغان ، بۇ ئىسسىقلىق ئارقىلىق تارقىلىدۇ. بىۋاسىتە FET ئورالمىسى ئىسسىقلىقنىڭ تارقىلىشىنى زور دەرىجىدە ياخشىلايدۇ ھەمدە ياخشى ئىسسىقلىق تارقىتىش بىلەن ئازراق بوشلۇق ئىگىلەيدۇ.
خۇلاسە
كەلگۈسىدە ، ئېلېكترونلۇق ياسىمىچىلىق كەسپىنىڭ دەرىجىدىن تاشقىرى نېپىز ، كىچىكلىتىش ، تۆۋەن بېسىملىق ۋە يۇقىرى توك يۆنىلىشىدە تەرەققىي قىلىشىغا ئەگىشىپ ، MOSFET نىڭ تاشقى كۆرۈنۈشى ۋە ئىچكى ئورالما قۇرۇلمىسىمۇ ياسىمىچىلىقنىڭ تەرەققىيات ئېھتىياجىغا تېخىمۇ ياخشى ماسلىشىش ئۈچۈن ئۆزگىرىدۇ. سانائەت. بۇنىڭدىن باشقا ، ئېلېكترونلۇق ئىشلەپچىقارغۇچىلارنىڭ تاللاش چەكلىمىسىنى تۆۋەنلىتىش ئۈچۈن ، MOSFET نىڭ مودۇللاشتۇرۇش ۋە سىستېما دەرىجىلىك ئورالما يۆنىلىشىدىكى تەرەققىيات يۈزلىنىشى كۈنسېرى گەۋدىلىنىدۇ ، مەھسۇلاتلار ئىقتىدار ۋە تەننەرخ قاتارلىق كۆپ خىل ئۆلچەمدىن ماس قەدەمدە تەرەققىي قىلىدۇ. . ئورالما MOSFET تاللاشتىكى مۇھىم پايدىلىنىش ئامىللىرىنىڭ بىرى. ئوخشىمىغان ئېلېكترونلۇق مەھسۇلاتلارنىڭ ئوخشىمىغان ئېلېكتر تەلىپى بار ، ئوخشىمىغان ئورنىتىش مۇھىتىمۇ ماس كېلىدىغان چوڭلۇق ئۆلچىمىگە ماس كېلىشىنى تەلەپ قىلىدۇ. ئەمەلىي تاللاشتا ، ئومۇمىي پرىنسىپ بويىچە ئەمەلىي ئېھتىياجغا ئاساسەن قارار چىقىرىش كېرەك. بەزى ئېلېكترونلۇق سىستېمىلار PCB نىڭ چوڭ-كىچىكلىكى ۋە ئىچكى ئېگىزلىكى بىلەن چەكلىنىدۇ. مەسىلەن ، ئالاقە سىستېمىسىنىڭ مودۇل توك بىلەن تەمىنلىشى ئادەتتە ئېگىزلىك چەكلىمىسى سەۋەبىدىن DFN5 * 6 ۋە DFN3 * 3 بولاقلىرىنى ئىشلىتىدۇ. بەزى ACDC توك تەمىناتىدا ، دەرىجىدىن تاشقىرى نېپىز لايىھىلەنگەن ياكى قاپنىڭ چەكلىمىسى سەۋەبىدىن TO220 ئورالغان توك MOSFET نى قۇراشتۇرۇشقا ماس كېلىدۇ. بۇ ۋاقىتتا ، مىخلارنى بىۋاسىتە يىلتىزغا قىستۇرغىلى بولىدۇ ، بۇ TO247 ئورالغان مەھسۇلاتلارغا ماس كەلمەيدۇ. بەزى دەرىجىدىن تاشقىرى نېپىز لايىھەلەر ئۈسكۈنە ساندۇقىنىڭ ئېگىلىپ تەكشى قويۇلۇشىنى تەلەپ قىلىدۇ ، بۇ MOSFET تاللاشنىڭ مۇرەككەپلىكىنى ئاشۇرىدۇ.
MOSFET نى قانداق تاللاش كېرەك
بىر ئىنژېنېر ماڭا ئۆزىنىڭ ئەزەلدىن MOSFET سانلىق مەلۇمات جەدۋىلىنىڭ بىرىنچى بېتىگە قارىمىغانلىقىنى ئېيتتى ، چۈنكى «ئەمەلىي» ئۇچۇرلار پەقەت ئىككىنچى بەت ۋە ئۇنىڭدىن باشقا يەرلەردە پەيدا بولدى. MOSFET سانلىق مەلۇمات جەدۋىلىدىكى ھەر بىر بەتتە لايىھىلىگۈچىلەر ئۈچۈن قىممەتلىك ئۇچۇرلار بار. ئەمما ئىشلەپچىقارغۇچىلار تەمىنلىگەن سانلىق مەلۇماتنى قانداق ئىزاھلاش ھەمىشە ئېنىق ئەمەس.
بۇ ماقالىدە MOSFETs نىڭ بىر قىسىم ھالقىلىق ئۆلچىمى ، ئۇلارنىڭ سانلىق مەلۇمات جەدۋىلىدە قانداق بايان قىلىنغانلىقى ۋە ئۇلارنى چۈشىنىشىڭىز كېرەك بولغان ئېنىق رەسىم بايان قىلىنغان. كۆپىنچە ئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەرگە ئوخشاش ، MOSFET مەشغۇلات تېمپېراتۇرىسىنىڭ تەسىرىگە ئۇچرايدۇ. شۇڭا يۇقىرىدا كۆرسىتىلگەن كۆرسەتكۈچلەر قوللىنىلىدىغان سىناق شارائىتىنى چۈشىنىش كېرەك. سىز «مەھسۇلات تونۇشتۇرۇش» تا كۆرگەن كۆرسەتكۈچلەرنىڭ «ئەڭ چوڭ» ياكى «تىپىك» قىممەت ئىكەنلىكىنى چۈشىنىشمۇ ئىنتايىن مۇھىم ، چۈنكى بەزى سانلىق مەلۇمات جەدۋىلىدە ئېنىق چۈشەنچە يوق.
توك بېسىمى دەرىجىسى
MOSFET نى بەلگىلەيدىغان ئاساسلىق ئالاھىدىلىك ئۇنىڭ سۇ چىقىرىش مەنبەلىك توك بېسىمى VDS ياكى «سۇ چىقىرىش مەنبەسىنىڭ بۇزۇلۇش بېسىمى» بولۇپ ، بۇ دەرۋازا مەنبە ۋە سۇ چىقىرىش ئېقىمىغا قىسقا ۋاقىت توك يەتكۈزگەندە MOSFET بۇزۇلۇشقا بەرداشلىق بېرەلەيدىغان ئەڭ يۇقىرى توك بېسىمى. is 250μA. . VDS يەنە «25 سېلسىيە گرادۇسلۇق مۇتلەق ئەڭ چوڭ توك بېسىمى» دەپمۇ ئاتىلىدۇ ، ئەمما شۇنى ئۇنتۇپ قالماسلىق كېرەككى ، بۇ مۇتلەق توك بېسىمى تېمپېراتۇرىغا باغلىق ، ئادەتتە سانلىق مەلۇمات جەدۋىلىدە «VDS تېمپېراتۇرا كوئېففىتسېنتى» بار. سىز يەنە شۇنى چۈشىنىشىڭىز كېرەككى ، ئەڭ چوڭ VDS توك بېسىمى ۋە توك يولىدا بولۇشى مۇمكىن بولغان توك بېسىمى ۋە تەۋرىنىش. مەسىلەن ، 30V لىق توك بىلەن 100VV ، 5ns لىك تاياقچە 30V لىق توك مەنبەسىنى ئىشلەتسىڭىز ، توك بېسىمى ئۈسكۈنىنىڭ مۇتلەق ئەڭ يۇقىرى چېكىدىن ئېشىپ كېتىدۇ ھەمدە ئۈسكۈنە قار كۆچۈش ھالىتىگە كىرىشى مۇمكىن. بۇ خىل ئەھۋالدا MOSFET نىڭ ئىشەنچلىكلىكىگە كاپالەتلىك قىلغىلى بولمايدۇ. يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا تېمپېراتۇرا كوئېففىتسېنتى پارچىلىنىش بېسىمىنى كۆرۈنەرلىك ئۆزگەرتەلەيدۇ. مەسىلەن ، بىر قىسىم N قانالدىكى MOSFET نىڭ توك بېسىمى 600V بولغان مۇسبەت تېمپېراتۇرا كوئېففىتسېنتى بار. ئۇلار ئەڭ يۇقىرى ئۇلىنىش تېمپېراتۇرىسىغا يېقىنلاشقاندا ، تېمپېراتۇرا كوئېففىتسېنتى بۇ MOSFET لارنىڭ 650V MOSFET غا ئوخشاش ھەرىكەت قىلىشىنى كەلتۈرۈپ چىقىرىدۇ. نۇرغۇن MOSFET ئىشلەتكۈچىلەرنىڭ لايىھىلەش قائىدىسى% 10 تىن% 20 كىچە تۆۋەنلەش ئامىلىنى تەلەپ قىلىدۇ. بەزى لايىھەلەردە ، ئەمەلىي پارچىلىنىش بېسىمىنىڭ 25 سېلسىيە گرادۇسلۇق باھادىن% 5 تىن% 10 كىچە يۇقىرى ئىكەنلىكىنى ئويلاشقاندا ، ئەمەلىي لايىھەگە ماس كېلىدىغان لايىھە پەرقى قوشۇلىدۇ ، بۇ لايىھەگە ئىنتايىن پايدىلىق. MOSFETs نى توغرا تاللاشتا ئوخشاشلا مۇھىم ، دەرۋازا مەنبەلىك توك بېسىمى VGS نىڭ ئۆتكۈزۈش جەريانىدىكى رولىنى چۈشىنىش. بۇ توك بېسىمى ئەڭ يۇقىرى RDS (ھالەتتە) ھالەتتە MOSFET نىڭ تولۇق ئۆتكۈزۈلۈشىگە كاپالەتلىك قىلىدىغان توك بېسىمى. شۇڭلاشقا قارشىلىقنىڭ ھەمىشە VGS سەۋىيىسى بىلەن مۇناسىۋەتلىك ئىكەنلىكىنىڭ سەۋەبى ، پەقەت مۇشۇ توك بېسىمىدىلا ئۈسكۈنىنى ئاچقىلى بولىدۇ. بىر مۇھىم لايىھىلەش نەتىجىسى شۇكى ، سىز RDS (on) دەرىجىسىگە يېتىش ئۈچۈن ئىشلىتىلگەن ئەڭ تۆۋەن VGS دىن تۆۋەن توك بېسىمى بىلەن MOSFET نى تولۇق ئاچالمايسىز. مەسىلەن ، 3.3V لىق مىكرو كونتروللىغۇچ ئارقىلىق MOSFET نى تولۇق قوزغىتىش ئۈچۈن ، VGS = 2.5V ياكى ئۇنىڭدىن تۆۋەن بولغان MOSFET نى قوزغىتىشىڭىز كېرەك.
قارشىلىق كۆرسىتىش ، دەرۋازا ھەققى ۋە «لاياقەتلىك سان».
MOSFET نىڭ قارشىلىق كۈچى ھەمىشە بىر ياكى بىر قانچە دەرۋازا مەنبەلىك توك بېسىمىدا بەلگىلىنىدۇ. ئەڭ يۇقىرى RDS (on) چېكى ئادەتتىكى قىممەتتىن% 20 تىن% 50 كىچە يۇقىرى بولىدۇ. RDS (on) نىڭ ئەڭ يۇقىرى چېكى ئادەتتە 25 سېلسىيە گرادۇسلۇق ئۇلىنىش تېمپېراتۇرىسىدىكى قىممەتنى كۆرسىتىدۇ. تېخىمۇ يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا ، 1-رەسىمدە كۆرسىتىلگەندەك ، RDS (on)% 30 تىن% 150 كىچە ئۆرلەيدۇ. ناھايىتى توغرا ئۇسۇل.
رەسىم 1 RDS (on) ئەڭ يۇقىرى مەشغۇلات تېمپېراتۇرىسىنىڭ% 30 تىن% 150 كىچە بولغان ئارىلىقتا تېمپېراتۇرا بىلەن ئۆسىدۇ
N- قانال ۋە P قانال MOSFETs ئۈچۈن قارشىلىق كۆرسىتىش ئىنتايىن مۇھىم. توك مەنبەسىنى ئالماشتۇرۇشتا ، Qg توك مەنبەسىنى ئالماشتۇرۇشتا ئىشلىتىلىدىغان N قانال MOSFETs نىڭ ئاچقۇچلۇق تاللاش ئۆلچىمى ، چۈنكى Qg توك ئالماشتۇرۇش زىيىنىغا تەسىر كۆرسىتىدۇ. بۇ زىيانلارنىڭ ئىككى خىل تەسىرى بار: بىرى ئالماشتۇرۇش ۋە تاقاش MOSFET غا تەسىر قىلىدىغان ئالماشتۇرۇش ۋاقتى. يەنە بىرى ، ھەر بىر ئالماشتۇرۇش جەريانىدا دەرۋازا سىغىمىنى توك قاچىلاشقا ئېھتىياجلىق ئېنېرگىيە. ئەستە تۇتۇشقا تىگىشلىك بىر ئىش شۇكى ، Qg دەرۋازا مەنبەلىك توك بېسىمىغا باغلىق ، گەرچە تۆۋەن Vgs ئىشلىتىش ئالماشتۇرۇش زىيىنىنى ئازايتقان تەقدىردىمۇ. قوللىنىشچان پروگراممىلارنى ئالماشتۇرۇشتا ئىشلىتىلىدىغان MOSFET نى سېلىشتۇرۇشنىڭ تېز ئۇسۇلى بولۇش سۈپىتى بىلەن ، لايىھىلىگۈچىلەر ھەمىشە توك يەتكۈزۈش زىيىنى ئۈچۈن RDS (on) ۋە Qg دىن تەركىب تاپقان يەككە فورمۇلانى ئىشلىتىدۇ: RDS (on) xQg. بۇ «لاياقەتلىك سان» (FOM) ئۈسكۈنىنىڭ ئىقتىدارىنى خۇلاسىلەپ ، MOSFET لارنى تىپىك ياكى ئەڭ چوڭ قىممەت جەھەتتە سېلىشتۇرۇشقا يول قويىدۇ. ئۈسكۈنىلەر ئارا توغرا سېلىشتۇرۇشقا كاپالەتلىك قىلىش ئۈچۈن ، ئوخشاش VGS نىڭ RDS (on) ۋە Qg ئۈچۈن ئىشلىتىلىدىغانلىقىغا ، نەشردە تىپىك ۋە ئەڭ چوڭ قىممەتنىڭ ئارىلاشتۇرۇلماسلىقىغا كاپالەتلىك قىلىشىڭىز كېرەك. تۆۋەن FOM قوللىنىشچان پروگراممىلارنى ئالماشتۇرۇشتا سىزگە تېخىمۇ ياخشى ئىقتىدار بېرىدۇ ، ئەمما ئۇ كاپالەتكە ئىگە ئەمەس. ئەڭ ياخشى سېلىشتۇرۇش نەتىجىسىنى پەقەت ئەمەلىي توك يولىدىلا ئېرىشكىلى بولىدۇ ، بەزى ئەھۋاللاردا ھەر بىر MOSFET ئۈچۈن توك يولىنى ياخشى تەڭشەشكە توغرا كېلىدۇ. ئوخشىمىغان سىناق شارائىتىغا ئاساسەن ، توك ۋە توكنىڭ تارقىلىشى دەرىجىسىگە ئايرىلىدۇ ، كۆپىنچە MOSFET سانلىق مەلۇمات جەدۋىلىدە بىر ياكى بىر نەچچە ئۇدا سۇ چىقىرىش ئېقىمى بار. سىز سانلىق مەلۇمات جەدۋىلىگە ئەستايىدىللىق بىلەن قاراپ ، دەرىجىنىڭ كۆرسىتىلگەن ئەھۋال تېمپېراتۇرىسىدا (مەسىلەن TC = 25 ° C) ياكى مۇھىت تېمپېراتۇرىسىدا (مەسىلەن TA = 25 ° C) بار-يوقلۇقىنى بىلىشنى ئويلايسىز. بۇ قىممەتلەرنىڭ قايسىسى ئەڭ مۇناسىۋەتلىك بولسا ئۈسكۈنىنىڭ ئالاھىدىلىكى ۋە قوللىنىلىشىغا باغلىق (2-رەسىمگە قاراڭ).
رەسىم 2 مۇتلەق ئەڭ چوڭ نۆۋەتتىكى ۋە قۇۋۋەت قىممىتى ھەقىقىي سانلىق مەلۇمات
قولدا ئىشلىتىلىدىغان ئۈسكۈنىلەردە ئىشلىتىلىدىغان كىچىك يەر يۈزىگە ئورنىتىش ئۈسكۈنىلىرىگە نىسبەتەن ، نۆۋەتتىكى ئەڭ مۇناسىۋەتلىك سەۋىيىسى 70 سېلسىيە گرادۇسلۇق مۇھىت تېمپېراتۇرىسىدا بولۇشى مۇمكىن. ئىسسىقلىق ساقلاش ماشىنىسى ۋە مەجبۇرىي ھاۋا سوۋۇتۇش ئۈسكۈنىسى ئۈچۈن ، ھازىرقى TA = 25 at سەۋىيىسى ئەمەلىي ئەھۋالغا تېخىمۇ يېقىنلىشىشى مۇمكىن. بەزى ئۈسكۈنىلەرگە نىسبەتەن ، ئۆلۈش ئەڭ يۇقىرى ئۇلىنىش تېمپېراتۇرىسىدا ئورالما چەكلىمىسىدىنمۇ كۆپ توك بىر تەرەپ قىلالايدۇ. بەزى سانلىق مەلۇمات جەدۋىلىدە ، بۇ «ئۆلۈش چەكلىمىسى» ھازىرقى سەۋىيىسى «ئورالما چەكلىك» نۆۋەتتىكى سەۋىيىگە قوشۇمچە ئۇچۇرلار بولۇپ ، سىزگە ئۆلۈكنىڭ كۈچلۈكلۈكىنى كۆرسىتىپ بېرەلەيدۇ. مۇشۇنىڭغا ئوخشاش كۆز قاراشلار ئۈزلۈكسىز توكنىڭ تارقىلىشىغا ماس كېلىدۇ ، بۇ تېمپېراتۇراغىلا ئەمەس ، بەلكى دەل ۋاقتىدا بولىدۇ. PD = 4W دا TA = 70 at دە 10 سېكۇنت ئۇدا مەشغۇلات قىلىۋاتقان ئۈسكۈنىنى تەسەۋۋۇر قىلىپ بېقىڭ. «ئۈزلۈكسىز» ۋاقىت دەۋرىنى تەشكىل قىلىدىغان نەرسە MOSFET بوغچىسىغا ئاساسەن ئوخشىمايدۇ ، شۇڭا سانلىق مەلۇمات جەدۋىلىدىن نورماللاشقان ئىسسىقلىق ئۆتكۈنچى توسۇلۇش پىلانىنى ئىشلىتىپ ، 10 سېكۇنت ، 100 سېكۇنت ياكى 10 مىنۇتتىن كېيىن توكنىڭ تارقىلىشىنىڭ قانداق بولىدىغانلىقىنى كۆرمەكچى بولىسىز. . 3-رەسىمدە كۆرسىتىلگەندەك ، بۇ ئالاھىدە ئۈسكۈنىنىڭ 10 سېكۇنتلۇق تومۇردىن كېيىنكى ئىسسىقلىق قارشىلىق كوئېففىتسېنتى تەخمىنەن 0.33 ئەتراپىدا بولىدۇ ، يەنى بۇ ئورالما تەخمىنەن 10 مىنۇتتىن كېيىن ئىسسىقلىق تويۇنۇشقا يەتكەندىن كېيىن ، ئۈسكۈنىنىڭ ئىسسىقلىق تارقىتىش ئىقتىدارى 4W نىڭ ئورنىدا ئاران 1.33W بولىدۇ. . گەرچە ئۈسكۈنىنىڭ ئىسسىقلىق تارقىتىش ئىقتىدارى ياخشى سوۋۇتۇش جەريانىدا تەخمىنەن 2W غا يېتىدۇ.
3-رەسىم توك تومۇرى ئىشلىتىلگەندە MOSFET نىڭ ئىسسىقلىق قارشىلىقى
ئەمەلىيەتتە ، بىز MOSFET نى قانداق تاللاشنى تۆت باسقۇچقا بۆلەلەيمىز.
بىرىنچى قەدەم: N قانىلى ياكى P قانىلىنى تاللاڭ
لايىھىلىشىڭىزگە ماس كېلىدىغان ئۈسكۈنىنى تاللاشنىڭ بىرىنچى قەدىمى N قانال ياكى P قانال MOSFET نى ئىشلىتىشنى قارار قىلىش. تىپىك توك ئىشلىتىشتە ، MOSFET يەرگە ئۇلىنىپ ، يۈك ئاساسىي توك بېسىمىغا ئۇلانغاندا ، MOSFET تۆۋەن تەرەپتىكى ۋىكليۇچاتېلنى شەكىللەندۈرىدۇ. تۆۋەن تەرەپتىكى ۋىكليۇچاتېلدا ئۈسكۈنىنى تاقاش ياكى تاقاشقا ئېھتىياجلىق توك بېسىمىنى ئويلاشقانلىقتىن ، N قانال MOSFET نى ئىشلىتىش كېرەك. MOSFET ئاپتوبۇسقا ئۇلىنىپ يەرگە يۈكلەنگەندە ، يۇقىرى تەرەپتىكى ئالماشتۇرغۇچ ئىشلىتىلىدۇ. P قانال MOSFETs ئادەتتە بۇ توپلوگىدا ئىشلىتىلىدۇ ، بۇمۇ توك بېسىمىنى ئويلىشىش سەۋەبىدىن بولىدۇ. قوللىنىشچان پروگراممىڭىزغا ماس كېلىدىغان ئۈسكۈنىنى تاللاش ئۈچۈن ، چوقۇم ئۈسكۈنىنى ھەيدەش ئۈچۈن كېرەكلىك توك بېسىمىنى ۋە لايىھىلىشىڭىزدىكى ئەڭ ئاسان ئۇسۇلنى بەلگىلىشىڭىز كېرەك. كېيىنكى قەدەمدە لازىملىق توك بېسىمىنى ياكى ئۈسكۈنىنىڭ بەرداشلىق بېرەلەيدىغان ئەڭ يۇقىرى توك بېسىمىنى بەلگىلەش. توك بېسىمى قانچە يۇقىرى بولسا ، ئۈسكۈنىنىڭ تەننەرخى شۇنچە يۇقىرى بولىدۇ. ئەمەلىي تەجرىبىگە ئاساسلانغاندا ، باھالانغان توك بېسىمى ئاساسىي توك بېسىمى ياكى ئاممىۋى ئاپتوبۇس بېسىمىدىن چوڭ بولۇشى كېرەك. بۇ يېتەرلىك قوغداش بىلەن تەمىنلەيدۇ ، بۇنداق بولغاندا MOSFET مەغلۇپ بولمايدۇ. MOSFET نى تاللىغاندا ، ئېرىقتىن مەنبەگە ، يەنى ئەڭ چوڭ VDS غا بەرداشلىق بېرەلەيدىغان ئەڭ چوڭ توك بېسىمىنى ئېنىقلاش كېرەك. شۇنى بىلىش كېرەككى ، MOSFET نىڭ ئەڭ چوڭ توك بېسىمى تېمپېراتۇرا بىلەن ئۆزگىرىشكە بەرداشلىق بېرەلەيدۇ. لايىھىلىگۈچىلەر چوقۇم پۈتكۈل مەشغۇلات تېمپېراتۇرىسى دائىرىسىدە توك بېسىمىنىڭ ئۆزگىرىشىنى سىناق قىلىشى كېرەك. باھالانغان توك بېسىمىنىڭ چوقۇم يېتەرلىك پەرقى بولۇشى كېرەك ، بۇ ئۆزگىرىش دائىرىسىنى قاپلاپ ، توك يولىنىڭ مەغلۇپ بولماسلىقىغا كاپالەتلىك قىلىدۇ. لايىھىلەش ئىنژېنېرلىرى ئويلىشىشى كېرەك بولغان باشقا بىخەتەرلىك ئامىللىرى ماتور ياكى تىرانسفورموتور قاتارلىق ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرىنى ئالماشتۇرۇش ئارقىلىق قوزغىتىلغان توك بېسىمىنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ. ئوخشاش بولمىغان قوللىنىشچان پروگراممىلارنىڭ دەرىجىسى ئوخشاش بولمايدۇ. ئادەتتە ئېلىپ يۈرۈشكە ئەپلىك ئۈسكۈنىلەر ئۈچۈن 20V ، FPGA توك بىلەن تەمىنلەش ئۈچۈن 20-30V ، 85-220VAC قوللىنىشچان پروگراممىلاردا 450-600V.
ئىككىنچى قەدەم: باھالانغان توكنى ئېنىقلاڭ
ئىككىنچى قەدەم ، MOSFET نىڭ ھازىرقى دەرىجىسىنى تاللاش. توك يولىنىڭ سەپلىمىسىگە ئاساسەن ، بۇ باھالانغان توك بارلىق ئەھۋال ئاستىدا يۈك كۆتۈرەلەيدىغان ئەڭ چوڭ توك بولۇشى كېرەك. توك بېسىمى ئەھۋالىغا ئوخشاش ، لايىھىلىگۈچى سىستېما نۆۋەتتىكى چاقماق ھاسىل قىلغان تەقدىردىمۇ ، تاللانغان MOSFET نىڭ نۆۋەتتىكى باھاغا بەرداشلىق بېرەلەيدىغانلىقىغا كاپالەتلىك قىلىشى كېرەك. نۆۋەتتىكى ئىككى خىل ئەھۋال ئۈزلۈكسىز ھالەت ۋە تومۇر سوقۇشى. ئۇدا ئۆتكۈزگۈچ ھالەتتە ، MOSFET مۇقىم ھالەتتە ، بۇ ئۈسكۈنە ئارقىلىق توك ئۈزلۈكسىز ئاقىدۇ. تومۇر سوقۇشى ئۈسكۈنىدە ئېقىۋاتقان چوڭ دولقۇن (ياكى تاياق ئېقىمى) نى كۆرسىتىدۇ. بۇ شارائىتتىكى ئەڭ چوڭ توك بېكىتىلگەندىن كېيىن ، بۇ ئەڭ چوڭ توكنى بىر تەرەپ قىلالايدىغان ئۈسكۈنىنى تاللاش خالاس. باھالانغان توكنى تاللىغاندىن كېيىن ، ئۆتكۈزگۈچ زىياننىمۇ ھېسابلاش كېرەك. ئەمەلىي ئەھۋال ئاستىدا ، MOSFET كۆڭۈلدىكىدەك ئۈسكۈنى ئەمەس ، چۈنكى ئۆتكۈزۈش جەريانىدا ئېلېكتر ئېنېرگىيىسى يوقىلىدۇ ، بۇ توك ئۆتكۈزۈش زىيىنى دەپ ئاتىلىدۇ. MOSFET ئۈسكۈنىنىڭ RDS (ON) تەرىپىدىن بەلگىلىنىدىغان ۋە تېمپېراتۇرا بىلەن كۆرۈنەرلىك ئۆزگىرىدىغان «ئاچقاندا» ئۆزگىرىشچان قارشىلىق كۈچىگە ئوخشايدۇ. ئۈسكۈنىنىڭ توك سەرپىياتىنى Iload2 × RDS (ON) ئارقىلىق ھېسابلىغىلى بولىدۇ. تېمپېراتۇرا بىلەن قارشىلىق كۈچى ئۆزگىرىدىغان بولغاچقا ، توك يوقىتىشمۇ ماس ھالدا ئۆزگىرىدۇ. MOSFET غا قوللىنىلغان توك بېسىمى VGS قانچە يۇقىرى بولسا ، RDS (ON) شۇنچە كىچىك بولىدۇ. ئەكسىچە ، RDS (ON) قانچە يۇقىرى بولىدۇ. سىستېما لايىھىلىگۈچىسىگە نىسبەتەن ، سىستېما بېسىمىغا ئاساسەن سودا-سېتىقلار مۇشۇ يەردىن كېلىدۇ. ئېلىپ يۈرۈشكە ئەپلىك لايىھەلەرگە نىسبەتەن تۆۋەن بېسىملىق توك ئىشلىتىش ئاسان (ۋە كۆپ ئۇچرايدۇ) ، سانائەت لايىھىلىرىگە بولسا ، تېخىمۇ يۇقىرى توك بېسىمىنى ئىشلىتىشكە بولىدۇ. شۇنىڭغا دىققەت قىلىڭكى ، RDS (ON) قارشىلىق كۈچى توك بىلەن ئازراق ئۆسىدۇ. ئىشلەپچىقارغۇچى تەمىنلىگەن تېخنىكىلىق سانلىق مەلۇمات جەدۋىلىدە RDS (ON) قارشىلىق كۆرسەتكۈچىنىڭ ھەرخىل ئېلېكتر پارامېتىرلىرىدىكى ئۆزگىرىشلەرنى تاپقىلى بولىدۇ. تېخنىكا ئۈسكۈنىلەرنىڭ ئالاھىدىلىكىگە كۆرۈنەرلىك تەسىر كۆرسىتىدۇ ، چۈنكى بەزى تېخنىكىلار ئەڭ يۇقىرى VDS نى ئاشۇرغاندا RDS (ON) نى ئاشۇرۇشقا مايىل. بۇ خىل تېخنىكىغا نىسبەتەن ، ئەگەر سىز VDS ۋە RDS (ON) نى ئازايتىشنى ئويلىسىڭىز ، ئۆزەكنىڭ چوڭ-كىچىكلىكىنى ئاشۇرۇشىڭىز كېرەك ، بۇ ئارقىلىق ماس كېلىدىغان ئورالما ئۆلچىمى ۋە مۇناسىۋەتلىك تەرەققىيات تەننەرخىنى ئاشۇرۇشىڭىز كېرەك. بۇ ساھەدە ئۆزەكنىڭ چوڭ-كىچىكلىكىنى ئاشۇرۇشنى كونترول قىلماقچى بولغان بىر قانچە تېخنىكا بار ، بۇنىڭ ئىچىدە ئەڭ مۇھىمى قانال ۋە توك تەڭپۇڭلاشتۇرۇش تېخنىكىسى. ئۆستەڭ تېخنىكىسىدا ، ۋافېرغا چوڭقۇر ئورەك ئورنىتىلغان بولۇپ ، ئادەتتە تۆۋەن بېسىملىق توكقا ئىشلىتىلىدۇ ، قارشىلىقتىكى RDS (ON) نى ئازايتىدۇ. ئەڭ چوڭ VDS نىڭ RDS (ON) غا بولغان تەسىرىنى ئازايتىش ئۈچۈن ، تەرەققىيات جەريانىدا ئېپىتاكسىيىلىك ئۆسۈش ئىستونى / قىستۇرما ئىستون جەريانى قوللىنىلدى. مەسىلەن ، Fairchild يېرىم ئۆتكۈزگۈچ SuperFET دەپ ئاتىلىدىغان تېخنىكىنى تەتقىق قىلىپ ياساپ چىقتى ، ئۇ RDS (ON) نى ئازايتىش ئۈچۈن قوشۇمچە ئىشلەپچىقىرىش قەدەملىرىنى قوشىدۇ. RDS (ON) غا بولغان بۇ مۇھىم نۇقتا ، چۈنكى ئۆلچەملىك MOSFET نىڭ بۇزۇلۇش بېسىمىنىڭ ئېشىشىغا ئەگىشىپ ، RDS (ON) شىددەت بىلەن ئېشىپ ، ئۆلۈش كۆلىمىنىڭ ئېشىشىنى كەلتۈرۈپ چىقىرىدۇ. SuperFET جەريانى RDS (ON) بىلەن ۋافېر چوڭلۇقى ئوتتۇرىسىدىكى يوشۇرۇن مۇناسىۋەتنى تۈز سىزىقلىق مۇناسىۋەتكە ئۆزگەرتىدۇ. بۇنداق بولغاندا ، SuperFET ئۈسكۈنىلىرى كىچىك ئۆلۈش ئۆلچىمىدە كۆڭۈلدىكىدەك تۆۋەن RDS (ON) نى ئەمەلگە ئاشۇرالايدۇ ، ھەتتا بۇزۇلۇش بېسىمى 600V غا يېتىدۇ. نەتىجىدە ۋافېرنىڭ چوڭ-كىچىكلىكىنى% 35 تۆۋەنلەتكىلى بولىدۇ. ئاخىرقى ئىشلەتكۈچىلەرگە نىسبەتەن ، بۇ بوغچا كۆلىمىنىڭ كۆرۈنەرلىك تۆۋەنلىگەنلىكىدىن دېرەك بېرىدۇ.
ئۈچىنچى قەدەم: ئىسسىقلىق تەلىپىنى ئېنىقلاڭ
MOSFET نى تاللاشنىڭ كېيىنكى قەدىمى سىستېمىنىڭ ئىسسىقلىق ئېھتىياجىنى ھېسابلاش. لايىھىلىگۈچىلەر چوقۇم ئوخشىمىغان ئىككى خىل ئەھۋالنى ئويلىشىشى كېرەك ، ئەڭ ناچار ئەھۋال ۋە رېئال ئەھۋال. ئەڭ ناچار ئەھۋالنى ھېسابلاش نەتىجىسىنى ئىشلىتىش تەۋسىيە قىلىنىدۇ ، چۈنكى بۇ نەتىجە تېخىمۇ چوڭ بىخەتەرلىك پەرقى بىلەن تەمىنلەيدۇ ۋە سىستېمىنىڭ مەغلۇپ بولماسلىقىغا كاپالەتلىك قىلىدۇ. يەنە بەزى ئۆلچەش سانلىق مەلۇماتلىرى بار ، ئۇلار MOSFET سانلىق مەلۇمات جەدۋىلىگە دىققەت قىلىشى كېرەك. مەسىلەن ئورالغان ئۈسكۈنە بىلەن مۇھىتنىڭ يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۇلىنىشى ۋە ئەڭ يۇقىرى تېمپېراتۇرا. ئۈسكۈنىنىڭ ئۇلىنىش تېمپېراتۇرىسى ئەڭ يۇقىرى مۇھىت تېمپېراتۇرىسى بىلەن ئىسسىقلىق قارشىلىقى ۋە توكنىڭ تارقىلىشىنىڭ مەھسۇلاتىغا تەڭ (ئۇلىنىش تېمپېراتۇرىسى = ئەڭ يۇقىرى مۇھىت تېمپېراتۇرىسى + [ئىسسىقلىق قارشىلىقى × توكنىڭ تارقىلىشى]). بۇ تەڭلىمىگە ئاساسەن ، سىستېمىنىڭ ئەڭ چوڭ توك تارقىتىشىنى ھەل قىلغىلى بولىدۇ ، بۇ ئېنىقلىما ئارقىلىق I2 × RDS (ON) غا تەڭ. لايىھىلىگۈچى ئۈسكۈنىدىن ئۆتىدىغان ئەڭ چوڭ توكنى بەلگىلىگەچكە ، RDS (ON) نى ئوخشىمىغان تېمپېراتۇرىدا ھېسابلىغىلى بولىدۇ. دىققەت قىلىشقا ئەرزىيدىغىنى شۇكى ، ئاددىي ئىسسىقلىق مودېللىرىنى بىر تەرەپ قىلغاندا ، لايىھىلىگۈچىلەر يەنە يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۇلىنىش / ئۈسكۈنە قېپى ۋە قاپ / مۇھىتنىڭ ئىسسىقلىق سىغىمىنى ئويلىشىشى كېرەك. بۇ بېسىپ چىقىرىلغان توك يولى تاختىسى ۋە ئورالمىنىڭ دەرھال قىزىماسلىقىنى تەلەپ قىلىدۇ. قار كۆچۈشنىڭ بۇزۇلۇشى يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىسىدىكى تەتۈر توك بېسىمىنىڭ ئەڭ يۇقىرى قىممەتتىن ئېشىپ كەتكەنلىكى ۋە ئۈسكۈنىنىڭ ئېقىمىنى ئاشۇرۇش ئۈچۈن كۈچلۈك ئېلېكتر مەيدانى شەكىللەندۈرىدىغانلىقىدىن دېرەك بېرىدۇ. بۇ توك توك تارقىتىدۇ ، ئۈسكۈنىنىڭ تېمپېراتۇرىسىنى ئۆرلىتىدۇ ، بەلكىم ئۈسكۈنىگە زىيان يەتكۈزۈشى مۇمكىن. يېرىم ئۆتكۈزگۈچ شىركەتلىرى ئۈسكۈنىلەردە قار كۆچۈش سىنىقى ئېلىپ بارىدۇ ، قار كۆچۈش بېسىمىنى ھېسابلايدۇ ياكى ئۈسكۈنىنىڭ كۈچلۈكلىكىنى سىنايدۇ. باھالانغان قار كۆچۈش بېسىمىنى ھېسابلاشنىڭ ئىككى خىل ئۇسۇلى بار بىرى ستاتىستىكىلىق ئۇسۇل ، يەنە بىرى ئىسسىقلىق ھېسابلاش. ئىسسىقلىق ھېسابلاش كەڭ قوللىنىلىدۇ ، چۈنكى ئۇ تېخىمۇ قوللىنىشچان. نۇرغۇن شىركەتلەر ئۈسكۈنىلىرىنى سىناشنىڭ تەپسىلاتلىرىنى تەمىنلىدى. مەسىلەن ، فايىرچېلد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ «Power MOSFET قار كۆچۈش كۆرسەتمىسى» بىلەن تەمىنلەيدۇ (Power MOSFET قار كۆچۈش كۆرسەتمىسى-فايىرچېلد تور بېكىتىدىن چۈشۈرگىلى بولىدۇ). ھېسابلاشتىن باشقا ، تېخنىكا يەنە قار كۆچۈش تەسىرىگە زور تەسىر كۆرسىتىدۇ. مەسىلەن ، ئۆلۈش كۆلىمىنىڭ ئېشىشى قار كۆچۈشنىڭ قارشىلىقىنى ئاشۇرىدۇ ۋە ئاخىرىدا ئۈسكۈنىنىڭ كۈچلۈكلىكىنى ئاشۇرىدۇ. ئاخىرقى ئىشلەتكۈچىلەرگە نىسبەتەن ، بۇ سىستېمىدىكى چوڭراق ئورالمىلارنى ئىشلىتىشنى كۆرسىتىدۇ.
4-قەدەم: ئالماشتۇرۇش ئىقتىدارىنى بەلگىلەڭ
MOSFET نى تاللاشنىڭ ئاخىرقى قەدىمى MOSFET نىڭ ئالماشتۇرۇش ئىقتىدارىنى بەلگىلەش. ئالماشتۇرۇش ئىقتىدارىغا تەسىر كۆرسىتىدىغان نۇرغۇن پارامېتىرلار بار ، ئەمما ئەڭ مۇھىمى دەرۋازا / سۇ چىقىرىش ، دەرۋازا / مەنبە ۋە سۇ چىقىرىش / مەنبە سىغىمى. بۇ كوندېنساتورلار ئۈسكۈنىدە ئالماشتۇرۇش زىيىنى پەيدا قىلىدۇ ، چۈنكى ئۇلار ھەر قېتىم ئالماشتۇرغاندا توك قاچىلايدۇ. شۇڭا MOSFET نىڭ ئالماشتۇرۇش سۈرئىتى تۆۋەنلەيدۇ ، ئۈسكۈنىنىڭ ئۈنۈمىمۇ تۆۋەنلەيدۇ. ئالماشتۇرۇش جەريانىدا ئۈسكۈنىدىكى ئومۇمىي زىياننى ھېسابلاش ئۈچۈن ، لايىھىلىگۈچى چوقۇم قوزغىتىش (Eon) دىكى زىيان ۋە تاقاش (Eoff) دىكى زىياننى ھېسابلىشى كېرەك. MOSFET ۋىكليۇچاتېلنىڭ ئومۇمىي كۈچىنى تۆۋەندىكى تەڭلىمە ئارقىلىق ئىپادىلىگىلى بولىدۇ: Psw = (Eon + Eoff) × ئالماشتۇرۇش چاستوتىسى. دەرۋازا ھەققى (Qgd) ئالماشتۇرۇش ئىقتىدارىغا ئەڭ چوڭ تەسىر كۆرسىتىدۇ. ئىقتىدار ئالماشتۇرۇشنىڭ مۇھىملىقىغا ئاساسەن ، بۇ ئالماشتۇرۇش مەسىلىسىنى ھەل قىلىش ئۈچۈن يېڭى تېخنىكىلار توختىماي تەرەققىي قىلدۇرۇلدى. ئۆزەكنىڭ چوڭ-كىچىكلىكىنى ئاشۇرۇش دەرۋازا ھەققىنى ئاشۇرىدۇ. بۇ ئۈسكۈنىنىڭ چوڭ-كىچىكلىكىنى ئاشۇرىدۇ. ئالماشتۇرۇش زىيىنىنى ئازايتىش ئۈچۈن ، قانالنىڭ ئاستى ئاستى ئوكسىدلىنىش قاتارلىق يېڭى تېخنىكىلار بارلىققا كېلىپ ، دەرۋازا ھەققىنى تۆۋەنلىتىشنى مەقسەت قىلىدۇ. مەسىلەن ، يېڭى تېخنىكا SuperFET RDS (ON) ۋە دەرۋازا ھەققى (Qg) نى ئازايتىش ئارقىلىق ئۆتكۈزگۈچ زىياننى ئەڭ تۆۋەن چەككە چۈشۈرۈپ ، ئالماشتۇرۇش ئىقتىدارىنى يۇقىرى كۆتۈرەلەيدۇ. بۇنداق بولغاندا ، MOSFETs ئالماشتۇرۇش جەريانىدا يۇقىرى سۈرئەتلىك بېسىملىق توك ئۆتكۈزگۈچ (dv / dt) ۋە نۆۋەتتىكى ئۆتكۈزگۈچ (di / dt) غا تاقابىل تۇرالايدۇ ، ھەتتا تېخىمۇ يۇقىرى ئالماشتۇرۇش چاستوتىسىدا ئىشەنچلىك مەشغۇلات قىلالايدۇ.
يوللانغان ۋاقتى: 10-ئاينىڭ 23-كۈنىدىن 20-كۈنىگىچە
