MOSFETs (مەيدان ئېففېكتى تۇرۇبىسى) نىڭ ئادەتتە ئۈچ دەرۋازىسى بار ، دەرۋازا (G قىسقا) ، مەنبە (S قىسقا) ۋە Drain (D قىسقا). بۇ ئۈچ ساندۇقنى تۆۋەندىكى ئۇسۇللار بىلەن پەرقلەندۈرۈشكە بولىدۇ:
I. Pin Identification
دەرۋازا (G):ئۇ ئادەتتە «G» دەپ بەلگە قويۇلغان ياكى باشقا ئىككى ساندۇققا قارشىلىق دەرىجىسىنى ئۆلچەش ئارقىلىق پەرقلەندۈرگىلى بولىدۇ ، چۈنكى بۇ دەرۋازىنىڭ توكسىز ھالەتتە توسالغۇسى ئىنتايىن يۇقىرى بولۇپ ، باشقا ئىككى مىخ بىلەن كۆرۈنەرلىك باغلانمايدۇ.
مەنبە (S):ئادەتتە «S» ياكى «S2» دەپ بەلگە قويۇلغان ، ئۇ نۆۋەتتىكى ئېقىش ساندۇقى بولۇپ ، ئادەتتە MOSFET نىڭ مەنپىي تېرمىنالىغا ئۇلىنىدۇ.
Drain (D):ئادەتتە «D» دەپ بەلگە قويۇلغان ، ئۇ نۆۋەتتىكى ئېقىش ساندۇقى بولۇپ ، سىرتقى توك يولىنىڭ مۇسبەت تېرمىنالىغا ئۇلىنىدۇ.
II. Pin Function
دەرۋازا (G):ئۇ MOSFET نىڭ ئالماشتۇرۇشىنى كونترول قىلىدىغان ئاچقۇچ بولۇپ ، دەرۋازادىكى توك بېسىمىنى كونترول قىلىپ ، MOSFET نىڭ ئېچىلىپ-چىقىشىنى كونترول قىلىدۇ. كۈچسىز ھالەتتە ، دەرۋازىنىڭ توسالغۇسى ئادەتتە ناھايىتى يۇقىرى بولۇپ ، باشقا ئىككى مىخ بىلەن كۆرۈنەرلىك مۇناسىۋىتى يوق.
مەنبە (S):نۆۋەتتىكى ئېقىش ساندۇقى بولۇپ ، ئادەتتە MOSFET نىڭ مەنپىي تېرمىنالىغا ئۇلىنىدۇ. NMOS دا ، مەنبە ئادەتتە ئاساسلىنىدۇ (GND); PMOS دا ، مەنبە ئاكتىپ تەمىنلەش (VCC) غا ئۇلىنىشى مۇمكىن.
Drain (D):ئۇ نۆۋەتتىكى چىقىش ئېغىزى بولۇپ ، سىرتقى توك يولىنىڭ مۇسبەت تېرمىنالىغا ئۇلىنىدۇ. NMOS دا ، سۇ چىقىرىش ئاكتىپ تەمىنلەش (VCC) ياكى يۈككە ئۇلىنىدۇ. PMOS دا ، ئېرىق يەر (GND) ياكى يۈككە ئۇلىنىدۇ.
III. ئۆلچەش ئۇسۇللىرى
كۆپ مېتىر ئىشلىتىڭ:
كۆپ مېتىرنى مۇۋاپىق قارشىلىق تەڭشىكىگە تەڭشەڭ (مەسىلەن R x 1k).
ھەر قانداق ئېلېكترودقا ئۇلانغان كۆپ مېتىرنىڭ مەنپىي تېرمىنالىدىن پايدىلىنىپ ، باشقا قەلەم بىلەن قالغان ئىككى قۇتۇپ بىلەن ئۆز-ئارا ئالاقىلىشىپ ، ئۇنىڭ قارشىلىقىنى ئۆلچەڭ.
ئەگەر ئىككى ئۆلچەملىك قارشىلىق قىممىتى تەخمىنەن تەڭ بولسا ، دەرۋازا (G) نىڭ مەنپىي قەلەم ئالاقىسى بولىدۇ ، چۈنكى قارشىلىق ئوتتۇرىسىدىكى دەرۋازا ۋە باشقا ئىككى ساندۇق ئادەتتە ناھايىتى چوڭ بولىدۇ.
كېيىنكى قەدەمدە ، كۆپ ئۆلچەملىك R × 1 چىشلىق چاق ، تېلېفون (S) غا ئۇلانغان قارا قەلەم ، ئېرىق (D) غا ئۇلانغان قىزىل قەلەم ، ئۆلچەملىك قارشىلىق قىممىتى نەچچە ئون ئومومغا بىر نەچچە ئوم بولۇشى كېرەك. كونكرېت شارائىت ئوتتۇرىسىدىكى مەنبە ۋە سۇ چىقىرىشنىڭ ئۆتكۈزگىلى بولىدىغانلىقىنى.
مىخ ئورۇنلاشتۇرۇشقا دىققەت قىلىڭ:
MINFETs ئېنىق بېكىتىلگەن pin ئورۇنلاشتۇرۇشى (مەسىلەن بىر قىسىم ئورالما شەكىللىرى) ئۈچۈن ، ھەر بىر مىخنىڭ ئورنى ۋە ئىقتىدارىنى pin ئورۇنلاشتۇرۇش دىئاگراممىسى ياكى سانلىق مەلۇمات جەدۋىلىگە قاراپ بەلگىلىگىلى بولىدۇ.
IV. ئالدىنى ئېلىش تەدبىرلىرى
MOSFETs نىڭ ئوخشىمىغان تىپلىرىدا ئوخشىمىغان پىنيىن ئورۇنلاشتۇرۇش ۋە بەلگە بولۇشى مۇمكىن ، شۇڭا ئىشلىتىشتىن بۇرۇن كونكرېت مودېلنىڭ سانلىق مەلۇمات جەدۋىلى ياكى ئورالما رەسىملىرىنى كۆرۈپ بېقىڭ.
ساندۇقلارنى ئۆلچەش ۋە ئۇلىغاندا ، تۇراقلىق توك قوغداشقا دىققەت قىلىپ ، MOSFET غا زىيان يەتكۈزۈشتىن ساقلىنىڭ.
MOSFET تېز سۈرئەتلىك توك بېسىمى كونترول قىلىنىدىغان ئۈسكۈنىلەر ، ئەمما ئەمەلىي قوللىنىشچان پروگراممىلاردا يەنىلا قوزغاتقۇچ توك يولىنىڭ لايىھىلىنىشى ۋە ئەلالاشتۇرۇشىغا دىققەت قىلىپ ، MOSFET نىڭ نورمال ۋە ئىشەنچلىك ئىشلىشىگە كاپالەتلىك قىلىش كېرەك.
خۇلاسىلەپ ئېيتقاندا ، MOSFET نىڭ ئۈچ قېپىنى مىخ پەرقلەندۈرۈش ، مىخلاش ئىقتىدارى ۋە ئۆلچەش ئۇسۇلى قاتارلىق ھەر خىل ئۇسۇللار بىلەن توغرا پەرقلەندۈرگىلى بولىدۇ.
يوللانغان ۋاقتى: 19-سېنتەبىردىن 20-سېنتەبىرگىچە