Field Effect Transistor قىسقارتىلدىMOSFET. ئىككى ئاساسلىق تىپى بار: تۇتاشتۇرۇش مەيدانى ئۈنۈم نەيچىسى ۋە مېتال ئوكسىد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ مەيدان ئۈنۈم نەيچىسى. MOSFET يەنە كۆپ توشۇغۇچى بىلەن ئۆتكۈزگۈچكە چېتىشلىق كۆپ قۇتۇپلۇق ترانسېنىستور دەپمۇ ئاتىلىدۇ. ئۇلار توك بېسىمى كونترول قىلىنىدىغان يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىسى. كىرگۈزۈشچانلىقى يۇقىرى ، شاۋقۇن تۆۋەن ، توك سەرپىياتى تۆۋەن ۋە باشقا ئالاھىدىلىكلەر بولغاچقا ، ئىككى قۇتۇپلۇق ترانس ist ور ۋە توك ترانس ist ورنىڭ كۈچلۈك رىقابەتچىسىگە ئايلانغان.
I. MOSFET نىڭ ئاساسلىق پارامېتىرلىرى
1 ، DC پارامېتىرلىرى
تويۇنغان ئېرىق ئېقىمىنى دەرۋازا بىلەن مەنبە ئوتتۇرىسىدىكى توك بېسىمى نۆلگە تەڭ ، سۇ چىقىرىش بىلەن مەنبە ئوتتۇرىسىدىكى توك بېسىمى چىملىق توك بېسىمىدىن چوڭ بولغاندا ماس كېلىدىغان سۇ چىقىرىش ئېقىمى دەپ ئېنىقلىما بېرىشكە بولىدۇ.
چىملىق توك بېسىمى UP: UDS ئېنىق بولغاندا كىملىكنى كىچىك توكقا قىسقارتىش تەلەپ قىلىنغان UGS;
قوزغىتىش بېسىمى UT: UDS ئېنىق بولغاندا كىملىكنى مەلۇم قىممەتكە يەتكۈزۈش تەلەپ قىلىنغان UGS.
2 、 AC پارامېتىرلىرى
تۆۋەن چاستوتىلىق ئۆتكۈزگۈچ gm: دەرۋازا ۋە مەنبە بېسىمىنىڭ سۇ چىقىرىش ئېقىمىغا بولغان كونترول ئۈنۈمىنى تەسۋىرلەيدۇ.
قۇتۇپ ئارىلىقىدىكى سىغىمچانلىقى: MOSFET نىڭ ئۈچ ئېلېكترود ئارىسىدىكى سىغىمى قانچە كىچىك بولسا ، ئىقتىدارى شۇنچە ياخشى بولىدۇ.
3 parameters پارامېتىرلارنى چەكلەش
سۇ چىقىرىش ، مەنبە بۇزۇلۇش بېسىمى: سۇ چىقىرىش ئېقىمى شىددەت بىلەن ئۆرلىگەندە ، UDS بولغاندا قار كۆچۈشنى كەلتۈرۈپ چىقىرىدۇ.
دەرۋازا بۇزۇلۇش بېسىمى: ئۇلىنىش مەيدانى ئېففېكتى نورمال مەشغۇلات ، دەرۋازا ۋە PN ئۇلىنىش ئارىلىقىدىكى تەتۈر يۆنىلىشلىك ھالەتتە ، توك بەك چوڭ بولۇپ ، بۇزۇلۇشنى كەلتۈرۈپ چىقىرىدۇ.
II. ئالاھىدىلىكىMOSFETs
MOSFET نىڭ كۈچەيتىش ئىقتىدارى بار بولۇپ ، كۈچەيتىلگەن توك يولى ھاسىل قىلالايدۇ. ئۈچبۇلۇڭغا سېلىشتۇرغاندا ، ئۇنىڭ تۆۋەندىكىدەك ئالاھىدىلىكلىرى بار.
(1) MOSFET توك بېسىمىنى كونترول قىلىدىغان ئۈسكۈنە ، يوشۇرۇن ئىقتىدار UGS تەرىپىدىن كونترول قىلىنىدۇ.
(2) MOSFET نىڭ كىرىش ئېغىزىدىكى توك ئىنتايىن كىچىك ، شۇڭا ئۇنىڭ كىرگۈزۈش قارشىلىقى ئىنتايىن يۇقىرى.
(3) ئۇنىڭ تېمپېراتۇرىسىنىڭ مۇقىملىقى ياخشى ، چۈنكى ئۇ كۆپ توشۇغۇچىنى توك ئۆتكۈزۈشكە ئىشلىتىدۇ.
(4) ئۇنىڭ كۈچەيتمە توك يولىنىڭ توك بېسىمىنى ئاشۇرۇش كوئېففىتسېنتى ئۈچبۇلۇڭنىڭكىدىن كىچىك.
(5) رادىئاتسىيەگە تېخىمۇ چىداملىق.
ئۈچىنچىسى ،MOSFET and transistor سېلىشتۇرۇش
.
(2) MOSFET توك بېسىمىنى كونترول قىلىدىغان نۆۋەتتىكى ئۈسكۈنە ، كۈچەيتكۈچ كوئېففىتسېنتى كىچىك ، كۈچەيتىش ئىقتىدارى ناچار. triode نۆۋەتتىكى كونترول قىلىنىدىغان توك بېسىمى ئۈسكۈنىسى ، كۈچەيتىش ئىقتىدارى كۈچلۈك.
(3) MOSFET دەرۋازىسى ئاساسىي جەھەتتىن توك ئالمايدۇ ؛ ۋە ئۈچبۇلۇڭ خىزمىتى ، ئاساسى مەلۇم ئېقىننى سۈمۈرۈۋالىدۇ. شۇڭلاشقا ، MOSFET دەرۋازىسىنىڭ كىرىش قارشىلىقى ئۈچبۇلۇڭ كىرگۈزۈش قارشىلىقىدىن يۇقىرى.
. تىرانسفورماتورغا قارىغاندا تېمپېراتۇرا مۇقىملىقى ۋە رادىئاتسىيەگە قارشى تۇرۇش ئىقتىدارى ياخشى. مۇھىت شارائىتى كۆپ ئۆزگەرگەندە MOSFET نى تاللاش كېرەك.
. ئازايتىلدى.
(6) MOSFET نىڭ شاۋقۇن سۈرىتى كىچىك.
. كۆلەم توپلاشتۇرۇلغان توك يولى.
(8) ئۈچبۇلۇڭنىڭ قارشىلىق كۈچى چوڭ ، MOSFET نىڭ قارشىلىق كۈچى كىچىك ، شۇڭا MOSFET ئادەتتە يۇقىرى ئۈنۈملۈك ئالماشتۇرغۇچ ئورنىدا ئىشلىتىلىدۇ.
يوللانغان ۋاقتى: 5-ئايدىن 16-مايغىچە
