چوڭ ئورالما MOSFET قوزغاتقۇچ توك يولى

ئالدى بىلەن ، MOSFET تىپى ۋە قۇرۇلمىسى ، MOSFET بىر FET (يەنە بىرى JFET) ، كۈچەيتىلگەن ياكى خورىتىش تىپى ، P- قانال ياكى N قانىلى جەمئىي تۆت خىل قىلىپ ياسالغان ، ئەمما ئەمەلىي كۈچەيتىلگەن N نىڭ ئەمەلىي قوللىنىلىشى. قانال MOSFETs ۋە كۈچەيتىلگەن P قانال MOSFETs ، شۇڭا ئادەتتە NMOSFET دەپ ئاتىلىدۇ ، ياكى PMOSFET ئادەتتە تىلغا ئېلىنغان NMOSFET نى كۆرسىتىدۇ ، ياكى PMOSFET بۇ ئىككى خىلنى كۆرسىتىدۇ. كۈچەيتىلگەن بۇ ئىككى خىل MOSFETs غا نىسبەتەن ، NMOSFET لار قارشىلىق كۈچى تۆۋەن ۋە ئىشلەپچىقىرىش ئاسان بولغانلىقى ئۈچۈن كۆپ ئىشلىتىلىدۇ. شۇڭلاشقا ، NMOSFETs ئادەتتە توك بىلەن تەمىنلەش ۋە ماتورلۇق قوزغاتقۇچ قوللىنىشچان پروگراممىلىرىنى ئالماشتۇرۇشتا ئىشلىتىلىدۇ ، تۆۋەندىكى تونۇشتۇرۇشتا يەنە NMOSFET لارغا مەركەزلەشتى. پارازىت سىغىمچانلىقى ئۈچ ساندۇقنىڭ ئوتتۇرىسىدا مەۋجۇتMOSFET، ئۇ ئېھتىياجلىق ئەمەس ، بەلكى ئىشلەپچىقىرىش جەريانىدىكى چەكلىمىلەر سەۋەبىدىن. پارازىت سىغىمچانلىقىنىڭ بولۇشى قوزغاتقۇچ توك يولىنى لايىھىلەش ياكى تاللاش سەل قىيىن. ئېرىق بىلەن مەنبە ئوتتۇرىسىدا پارازىت دىئود بار. بۇ بەدەن دىئودى دەپ ئاتىلىدۇ ، ماتور قاتارلىق ئىندۇكسىيە يۈكنى ھەيدەشتە ئىنتايىن مۇھىم. مۇنداقچە قىلىپ ئېيتقاندا ، بەدەن دىئودى پەقەت يەككە MOSFET لاردىلا بار ، ئادەتتە IC ئۆزىكىدە يوق.

 

  

 

ھازىرMOSFETتۆۋەن بېسىملىق پروگراممىلارنى قوزغىتىڭ ، 5V توك بىلەن تەمىنلىگەندە ، بۇ قېتىم ئەگەر سىز ئەنئەنىۋى توتېم قۇتۇپ قۇرۇلمىسىنى ئىشلەتسىڭىز ، ترانسېنىستورنىڭ 0.7V لىق توك بېسىمى تۆۋەنلىشى سەۋەبىدىن ، ئېلېكتر بېسىمىدىكى دەرۋازىغا ئەمەلىي ئاخىرقى قوشۇلغان. 4.3 V. بۇ ۋاقىتتا ، بىز بەزى خەتەرلەرنىڭ مەۋجۇتلۇقىدا MOSFET نىڭ 4.5V لىق نامدىكى دەرۋازا بېسىمىنى تاللايمىز. 3V ياكى باشقا تۆۋەن بېسىملىق توك بىلەن تەمىنلەش سورۇنلىرىنى ئىشلىتىشتە ئوخشاش مەسىلە كۆرۈلىدۇ. قوش توك بېسىمى بەزى كونترول توك يولىدا ئىشلىتىلىدۇ ، لوگىكا بۆلىكىدە تىپىك 5V ياكى 3.3V رەقەملىك توك بېسىمى ئىشلىتىلىدۇ ، توك بۆلىكى 12V ھەتتا ئۇنىڭدىن يۇقىرى. ئىككى توك بېسىمى ئورتاق يەر ئارقىلىق ئۇلىنىدۇ. بۇنىڭدا تۆۋەن بېسىملىق تەرەپنىڭ يۇقىرى بېسىملىق تەرەپتىكى MOSFET نى ئۈنۈملۈك كونترول قىلالايدىغان توك يولى ئىشلىتىش تەلىپى قويۇلغان ، يۇقىرى بېسىملىق تەرەپتىكى MOSFET بولسا 1 ۋە 2 دە تىلغا ئېلىنغان ئوخشاش مەسىلىلەرگە دۇچ كېلىدۇ.

 

ئۈچ خىل ئەھۋالنىڭ ھەممىسىدە ، توتېم قۇتۇبى قۇرۇلمىسى چىقىرىش تەلىپىگە ماسلىشالمايدۇ ، نۇرغۇن ئۈستەل سىرتىدىكى MOSFET قوزغاتقۇچ IC لار دەرۋازا بېسىمىنى چەكلەش قۇرۇلمىسىنى ئۆز ئىچىگە ئالمايدۇ. كىرگۈزۈش بېسىمى مۇقىم قىممەت ئەمەس ، ئۇ ۋاقىت ياكى باشقا ئامىللار بىلەن ئوخشىمايدۇ. بۇ خىل ئۆزگىرىش PWM توك يولى تەرىپىدىن MOSFET تەمىنلىگەن قوزغاتقۇچ بېسىمىنىڭ تۇراقسىزلىقىنى كەلتۈرۈپ چىقىرىدۇ. MOSFET نى يۇقىرى دەرۋازا بېسىمىدىن بىخەتەر قىلىش ئۈچۈن ، نۇرغۇن MOSFET لار ئىچىگە توك بېسىمى تەڭشىگۈچ ئورنىتىپ ، دەرۋازا بېسىمىنىڭ ئامپلتۇدىسىنى زور كۈچ بىلەن چەكلەيدۇ. بۇ خىل ئەھۋالدا ، قوزغاتقۇچ بېسىمى توك بېسىمىنى تەڭشىگۈچتىن كۆپ تەمىنلىگەندە ، ئۇ بىرلا ۋاقىتتا چوڭ تۇراقلىق توك سەرپىياتىنى كەلتۈرۈپ چىقىرىدۇ ، ئەگەر قارشىلىق بېسىمى بۆلۈش پرىنسىپىنى ئىشلىتىپ ، دەرۋازا بېسىمىنى تۆۋەنلەتسىڭىز ، بىر قەدەر يۇقىرى بولىدۇ. كىرگۈزۈش بېسىمى ،MOSFETياخشى ئىشلەيدۇ ، دەرۋازا بېسىمى يېتەرلىك بولمىغاندا كىرگۈزۈش بېسىمى تۆۋەنلەپ ، تولۇق ئۆتكۈزۈشكە يەتمەيدۇ ، بۇ ئارقىلىق توك سەرپىياتى ئاشىدۇ.

 

بۇ يەردە نىسپىي كۆپ ئۇچرايدىغان توك يولى پەقەت NMOSFET قوزغاتقۇچ توك يولىنىڭ ئاددىي تەھلىل قىلىشى ئۈچۈن: Vl بىلەن Vh تۆۋەن ۋە يۇقىرى سەپلىمىلىك توك بىلەن تەمىنلەيدۇ ، ئىككى توك بېسىمى ئوخشاش بولىدۇ ، ئەمما Vl Vh دىن ئېشىپ كەتمەسلىكى كېرەك. Q1 ۋە Q2 تەتۈر توتېم قۇتۇبىنى شەكىللەندۈرىدۇ ، يەككە ھالەتنى ئەمەلگە ئاشۇرۇش ئۈچۈن ئىشلىتىلىدۇ ، شۇنىڭ بىلەن بىر ۋاقىتتا ، Q3 ۋە Q4 دىن ئىبارەت ئىككى شوپۇر تۇرۇبىسىنىڭ بىرلا ۋاقىتتا ئۆتكۈزۈلمەسلىكىگە كاپالەتلىك قىلىدۇ. R2 ۋە R3 PWM توك بېسىمى بىلەن تەمىنلەيدۇ R2 ۋە R3 PWM توك بېسىمىنى تەمىنلەيدۇ ، بۇ پايدىلىنىشنى ئۆزگەرتىش ئارقىلىق ، PWM سىگنال دولقۇنىدىكى توك يولىنىڭ بىر قەدەر تىك ۋە تۈز ئورنىدىن تۇرالايسىز. Q3 ۋە Q4 قوزغاتقۇچ ئېقىمى بىلەن تەمىنلەش ئۈچۈن ئىشلىتىلىدۇ ، دەل ۋاقتىدا ، Vh ۋە GND غا سېلىشتۇرغاندا Q3 ۋە Q4 پەقەت Vce توك بېسىمىنىڭ تۆۋەنلىشى بولۇپ ، بۇ توك بېسىمىنىڭ تۆۋەنلىشى ئادەتتە ئاران 0.3V ئەتراپىدا بولىدۇ ، تېخىمۇ تۆۋەن بولىدۇ. 0.7V دىن يۇقىرى Vce R5 ۋە R6 بولسا قايتۇرما قارشىلىق كۆرسەتكۈچ بولۇپ ، R5 ۋە R6 دەرۋازىسىغا ئىشلىتىلىدۇ ، دەرۋازا بېسىمىنى ئەۋرىشكە ئېلىشتا ئىشلىتىلىدىغان قايتۇرما قارشىلىق كۆرسەتكۈچ ، ئاندىن Q5 دىن ئۆتۈپ ، Q1 ۋە Q2 نىڭ ئاساسى ئۈستىدە كۈچلۈك سەلبىي ئىنكاس پەيدا قىلىدۇ ، شۇڭا چەكلىنىدۇ. دەرۋازا بېسىمى چەكلىك قىممەتكە يېتىدۇ. بۇ قىممەتنى R5 ۋە R6 ئارقىلىق تەڭشىگىلى بولىدۇ. ئاخىرىدا ، R1 ئاساسى توكنىڭ Q3 ۋە Q4 غىچە بولغان چەكلىمىسىنى تەمىنلەيدۇ ، R4 بولسا MOSFETs غا دەرۋازا ئېقىمىنىڭ چەكلىمىسىنى تەمىنلەيدۇ ، بۇ Q3Q4 مۇزنىڭ چەكلىمىسى. زۆرۈر تېپىلغاندا تېزلىتىش كوندېنساتورى R4 نىڭ ئۈستىدە پاراللېل ئۇلىنالايدۇ.