MOSFETs (مېتال-ئوكسىد-يېرىم ئۆتكۈزگۈچ مەيدان-ئۈنۈم ترانس ist ور) ھەمىشە تولۇق كونترول قىلىنىدىغان ئۈسكۈنىلەر دەپ قارىلىدۇ. چۈنكى MOSFET نىڭ مەشغۇلات ھالىتى (ئېچىش ياكى تاقاش) دەرۋازا بېسىمى (Vgs) تەرىپىدىن پۈتۈنلەي كونترول قىلىنغان بولۇپ ، ئىككى قۇتۇپلۇق ترانس ist ور (BJT) دىكىگە ئوخشاش ئاساسىي توكقا باغلىق ئەمەس.
MOSFET دە ، دەرۋازا بېسىمى Vgs مەنبە بىلەن سۇ چىقىرىش ئوتتۇرىسىدا ئۆتكۈزگۈچ قانالنىڭ شەكىللەنگەن ياكى شەكىللەنمىگەنلىكىنى ، شۇنداقلا ئۆتكۈزگۈچ قانالنىڭ كەڭلىكى ۋە ئۆتكۈزۈشچانلىقىنى بەلگىلەيدۇ. Vgs چەكتىن ئېشىپ كەتكەن توك بېسىمىدىن ئېشىپ كەتكەندە ، ئۆتكۈزگۈچ قانال شەكىللىنىپ ، MOSFET ھالىتىگە كىرىدۇ. Vgs Vt نىڭ ئاستىغا چۈشكەندە ، ئۆتكۈزگۈچ قانىلى غايىب بولۇپ ، MOSFET ئۈزۈلۈپ قالغان ھالەتتە. بۇ كونترول پۈتۈنلەي كونترول قىلىنغان ، چۈنكى دەرۋازا بېسىمى باشقا توك ياكى توك بېسىمى پارامېتىرلىرىغا تايانماي MOSFET نىڭ مەشغۇلات ھالىتىنى مۇستەقىل ۋە ئېنىق كونترول قىلالايدۇ.
بۇنىڭغا سېلىشتۇرغاندا ، يېرىم كونترول قىلىنىدىغان ئۈسكۈنىلەرنىڭ مەشغۇلات ھالىتى (مەسىلەن ، تىرىستور) كونترول بېسىمى ياكى توكنىڭ تەسىرىگە ئۇچراپلا قالماي ، باشقا ئامىللارنىڭ تەسىرىگە ئۇچرايدۇ (مەسىلەن ، ئانود بېسىمى ، توك قاتارلىقلار). نەتىجىدە ، تولۇق كونترول قىلىنغان ئۈسكۈنىلەر (مەسىلەن ، MOSFETs) ئادەتتە كونترولنىڭ توغرىلىقى ۋە ئەۋرىشىملىكى جەھەتتە تېخىمۇ ياخشى ئىقتىدار بىلەن تەمىنلەيدۇ.
يىغىپ ئېيتقاندا ، MOSFETs پۈتۈنلەي كونترول قىلىنىدىغان ئۈسكۈنىلەر بولۇپ ، مەشغۇلات ھالىتى دەرۋازا بېسىمى بىلەن پۈتۈنلەي كونترول قىلىنىدۇ ، يۇقىرى ئېنىقلىق ، ئەۋرىشىم ۋە تۆۋەن توك سەرپىياتىغا ئىگە.
يوللاش ۋاقتى: 20-سېنتەبىردىن 2024-يىلغىچە
