MOSFET بايقاش ئېقىمى MOSFETs يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ساھەسىدىكى ئەڭ ئاساسلىق ئۈسكۈنىلەرنىڭ بىرى بولۇش سۈپىتى بىلەن ، ھەر خىل مەھسۇلات لايىھىلەش ۋە تاختاي دەرىجىلىك توك يولىدا كەڭ قوللىنىلىدۇ. بولۇپمۇ يۇقىرى قۇۋۋەتلىك يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ساھەسىدە ، ھەر خىل قۇرۇلمىلارنىڭ MOSFETs ئورنىنى تولدۇرغۇسىز رول ئوينايدۇ. ئەلۋەتتە ، ئىشلىتىش نىسبىتى يۇقىرىMOSFETs بەزى كىچىك مەسىلىلەرنى كەلتۈرۈپ چىقاردى. MOSFET ئېقىپ كېتىش مەسىلىسىنىڭ بىرى ، ئوخشىمىغان جايلارنىڭ ھەل قىلىش چارىسى ئوخشىمايدۇ ، شۇڭا پايدىلىنىشىڭىز ئۈچۈن بىر قانچە ئۈنۈملۈك مەسىلىنى ھەل قىلىش ئۇسۇلىنى تەشكىللىدۇق.
Voor de detectie van MOSFET onderscheiden vier belangrijke aspen:MOSFET lekkage, kortsluitfouten, ontkoppeling, versterking. Als er een weerstandswaarde, maar niet gedetecteerd, MOSFET lekkage voorwaarden, die het belangrijkste onderzoek kunnen we verwijzen naar het volgende proces uit te voeren:
1, de link gate en de bron van de weerstand verwijderd, de multimeter rode en zwarte pennen zal niet veranderen, als je beweegt de lekkage weerstand na de metr bar geleidelijk terug naar een hoge weerstand of oneindig, dan is de de de de.MOSFET lekkage; zal niet veranderen بولسا er geen مەسىلىسى.
2 ، zal een transmissielijn naar de MOSFET دەرۋازىسى ۋە برون قۇتۇبىدا ئېلكائېر ۋېربوندېن بىلەن كۆرۈشتى ، ئالس رەقەملىك رەقەملىك كۆپ ئۆلچەملىك ناد ئونمىددېللىجك تېرۇگ نائار بىر ئىندىگ ، دان بولسا MOSFET گېنى مەسىلىسى.
MOSFET S ، de zwarte pen naar de afvoer van de MOSFET.
4 ، 100KΩ-200KΩ لىق ۋېربوندېن بىلەن ئۇچرىشىپ ، دەرۋازا بىلەن ئۇچرىشىپ قالدى. het algemeen zal 0 zijn, op het moment is onder de positieve electriciteit op base van deze weerstand aan de MOSFET دەرۋازىسى باتېرېج ئوپلادېن ، دەرۋازا ئېلېكتىروۋىچ دۇكىنىدىكى ۋات رېزۇلتېرى ، گېلېدىڭ ۋېرو ئېلىكتىرونلۇق سودا پونكىتى pass, zodat de digitale كۆپ مېتىرلىق كۆلچەك كۆلچىكى بىر تەرەپلىمىلىك ، بىر تەرەپلىمە قاراش.
يوللانغان ۋاقتى: 5-ئاينىڭ 25-كۈنىدىن 20-كۈنىگىچە
