MOSFET (مېتال ئوكسىد-يېرىم ئۆتكۈزگۈچ مەيدان-ئېففېكتى ترانس ist ور) نىڭ ئۈچ قۇتۇبى بار:
دەرۋازا:G ، MOSFET نىڭ دەرۋازىسى ئىككى قۇتۇپلۇق ترانسېنىستورنىڭ ئاساسى بىلەن باراۋەر بولۇپ ، MOSFET نىڭ ئۆتكۈزۈلۈش ۋە كېسىلىشىنى كونترول قىلىشقا ئىشلىتىلىدۇ. MOSFETs دە ، دەرۋازا بېسىمى (Vgs) مەنبە بىلەن سۇ چىقىرىش ئوتتۇرىسىدا ئۆتكۈزگۈچ قانالنىڭ شەكىللەنگەن ياكى شەكىللەنمىگەنلىكىنى ، شۇنداقلا ئۆتكۈزگۈچ قانالنىڭ كەڭلىكى ۋە ئۆتكۈزۈشچانلىقىنى بەلگىلەيدۇ. دەرۋازا مېتال ، پولىسىيون قاتارلىق ماتېرىياللاردىن ياسالغان بولۇپ ، ئىزولياتور قەۋىتى (ئادەتتە كرېمنىي تۆت ئوكسىد) بىلەن قورشالغان بولۇپ ، توكنىڭ دەرۋازىغا بىۋاسىتە ياكى سىرتقا ئېقىشىنىڭ ئالدىنى ئالىدۇ.
مەنبە:S ، MOSFET نىڭ مەنبەسى ئىككى قۇتۇپلۇق ترانس ist ورنىڭ قويۇپ بەرگۈچىسىگە باراۋەر بولۇپ ، نۆۋەتتىكى ئېقىمى بار. N قانالدىكى MOSFETs دا ، مەنبە ئادەتتە توك بىلەن تەمىنلەشنىڭ مەنپىي تېرمىنالى (ياكى يەر) گە ئۇلىنىدۇ ، P قانالدىكى MOSFETs دا بولسا توك مەنبەسىنىڭ ئاكتىپ تېرمىنالىغا ئۇلىنىدۇ. مەنبە توك يولى (N- قانال) ياكى تۆشۈك (P- قانال) نى دەرۋازا بېسىمى يېتەرلىك بولغاندا ئېرىققا ئەۋەتىدىغان مۇھىم بۆلەكلەرنىڭ بىرى.
Drain:D ، MOSFET نىڭ سۇ چىقىرىشى ئىككى قۇتۇپلۇق ترانس ist ورنىڭ يىغىپ ساقلىغۇچىسىغا باراۋەر بولۇپ ، توك ئېقىۋاتقان جاي. سۇ چىقىرىش ئادەتتە يۈككە ئۇلىنىدۇ ھەمدە توك يولىدىكى توك چىقىرىش رولىنى ئوينايدۇ. MOSFET دا ، سۇ چىقىرىش تۇرۇبا يولىنىڭ يەنە بىر ئۇچى بولۇپ ، دەرۋازا بېسىمى مەنبە بىلەن سۇ چىقىرىش ئوتتۇرىسىدا ئۆتكۈزگۈچ قانالنىڭ شەكىللىنىشىنى كونترول قىلغاندا ، توك مەنبەدىن ئۆتكۈزگۈچ قانال ئارقىلىق ئېقىنغا ئېقىدۇ.
يىغىنچاقلىغاندا ، MOSFET نىڭ دەرۋازىسى كونترول قىلىش ۋە تاقاشقا ئىشلىتىلىدۇ ، مەنبە توك ئېقىمى ، ئېقىن ئېقىمى ئېقىۋاتقان جاي. بىرلىكتە ، بۇ ئۈچ قۇتۇپ MOSFET نىڭ مەشغۇلات ھالىتى ۋە ئىقتىدارىنى بەلگىلەيدۇ. .
يوللانغان ۋاقتى: 26-سېنتەبىردىن 20-سېنتەبىرگىچە
