MOSFET نىڭ تەرەققىي قىلىشى (مېتال ئوكسىد-يېرىم ئۆتكۈزگۈچ مەيدان-ئېففېكتى ترانس ist ور) يېڭىلىق يارىتىش ۋە بۆسۈش خاراكتېرلىك جەريان بولۇپ ، ئۇنىڭ تەرەققىياتىنى تۆۋەندىكى ئاچقۇچلۇق باسقۇچتا يىغىنچاقلاشقا بولىدۇ:
I. دەسلەپكى ئۇقۇم ۋە ئىزدىنىش
ئوتتۇرىغا قويۇلغان ئۇقۇم:MOSFET نىڭ كەشپىياتىنى 1830-يىللارغا قەدەر سۈرۈشتۈرۈشكە بولىدۇ ، ئەينى ۋاقىتتا نەق مەيدان ئېففېكتى ترانس ist ورست ئۇقۇمىنى گېرمانىيە لىلىيېنفېلد ئوتتۇرىغا قويغان. قانداقلا بولمىسۇن ، بۇ مەزگىلدىكى سىناقلار ئەمەلىي MOSFET نى ئەمەلگە ئاشۇرالمىدى.
دەسلەپكى تەتقىقات:ئۇنىڭدىن كېيىن ، شاۋ تېكىنىڭ قوڭغۇراق تەجرىبىخانىسى (Shockley) ۋە باشقىلارمۇ مەيدان ئېففېكتى تۇرۇبىسىنىڭ كەشىپ قىلىنىشىنى تەتقىق قىلىشقا ئۇرۇنغان ، ئەمما ئوخشاش مۇۋەپپەقىيەت قازىنالمىغان. قانداقلا بولمىسۇن ، ئۇلارنىڭ تەتقىقاتى MOSFET نىڭ كېيىنكى تەرەققىياتىغا ئاساس سالدى.
II. MOSFETs نىڭ تۇغۇلۇشى ۋە دەسلەپكى تەرەققىياتى
ھالقىلىق بۆسۈش:1960-يىلى ، كاڭ ۋە ئاتاللا كرېمنىي تۆت ئوكسىد (SiO2) بىلەن ئىككى قۇتۇپلۇق ترانس ist ورنىڭ ئىقتىدارىنى ياخشىلاش جەريانىدا ئېھتىياتسىزلىقتىن MOS مەيدان ئېففېكتى ترانس ist ورنى كەشىپ قىلدى. بۇ كەشپىيات MOSFETs نىڭ توپلاشتۇرۇلغان توك يولى ياساش كەسپىگە رەسمىي كىرگەنلىكىنى كۆرسەتتى.
ئىقتىدارنى ئاشۇرۇش:يېرىم ئۆتكۈزگۈچ جەريان تېخنىكىسىنىڭ تەرەققىي قىلىشىغا ئەگىشىپ ، MOSFETs نىڭ ئىقتىدارى داۋاملىق ياخشىلىنىۋاتىدۇ. مەسىلەن ، يۇقىرى بېسىملىق MOS نىڭ توك بېسىمى 1000V غا يېتىدۇ ، تۆۋەن قارشىلىق MOS نىڭ قارشىلىق قىممىتى ئاران 1 ئوم ، مەشغۇلات چاستوتىسى DC دىن بىر قانچە مېگاگېرتقىچە.
III. MOSFETs ۋە تېخنىكىدا يېڭىلىق يارىتىشنىڭ كەڭ قوللىنىلىشى
كەڭ ئىشلىتىلگەن:MOSFET نىڭ ئىقتىدارى بىر قەدەر ياخشى بولغاچقا ، مىكرو بىر تەرەپ قىلغۇچ ، ئەسلىمە ، لوگىكىلىق توك يولى قاتارلىق ھەر خىل ئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەردە كەڭ قوللىنىلىدۇ. زامانىۋى ئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەردە MOSFETs كەم بولسا بولمايدىغان تەركىبلەرنىڭ بىرى.
تېخنىكىدا يېڭىلىق يارىتىش:تېخىمۇ يۇقىرى مەشغۇلات چاستوتىسى ۋە تېخىمۇ يۇقىرى توك سەۋىيىسىنىڭ تەلىپىنى قاندۇرۇش ئۈچۈن ، IR تۇنجى قۇۋۋەت MOSFET نى ياساپ چىقتى. ئۇنىڭدىن كېيىن ، نۇرغۇنلىغان يېڭى تىپتىكى ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرى ئوتتۇرىغا چىقىرىلدى ، مەسىلەن IGBTs ، GTO ، IPM قاتارلىقلار ۋە مۇناسىۋەتلىك ساھەدە كەڭ كۆلەمدە ئىشلىتىلدى.
ماتېرىيالدا يېڭىلىق يارىتىش:تېخنىكىنىڭ تەرەققىي قىلىشىغا ئەگىشىپ ، MOSFETs نى ياساش ئۈچۈن يېڭى ماتېرىياللار تەتقىق قىلىنىۋاتىدۇ. مەسىلەن ، كرېمنىي كاربون (SiC) ماتېرىياللىرى فىزىكىلىق خۇسۇسىيىتى يۇقىرى بولغاچقا ، كىشىلەرنىڭ دىققىتىنى ۋە تەتقىقاتىنى قوبۇل قىلىشقا باشلىدى. پارچىلىنىش مەيدانىنىڭ كۈچلۈكلۈكى ۋە يۇقىرى تېمپېراتۇرا.
تۆتىنچى ، MOSFET نىڭ ئالدىنقى قاتاردىكى تېخنىكىسى ۋە تەرەققىيات يۆنىلىشى
قوش دەرۋازا تىرانسفورموتور:MOSFETs نىڭ ئىقتىدارىنى تېخىمۇ يۇقىرى كۆتۈرۈش ئۈچۈن ھەر خىل تېخنىكىلار قوش دەرۋازا تىرانسفورموتور ياساشقا ئۇرۇنۇۋاتىدۇ. قوش دەرۋازا MOS ترانس ist ورستورنىڭ تاق دەرۋازىغا سېلىشتۇرغاندا تېخىمۇ كىچىكلەشچانلىقى بار ، ئەمما ئۇلارنىڭ كىچىكلىشى يەنىلا چەكلىك.
قىسقا ئۆستەڭ ئۈنۈمى:MOSFETs نىڭ مۇھىم تەرەققىيات يۆنىلىشى قىسقا يول ئېففېكتى مەسىلىسىنى ھەل قىلىش. قىسقا يولنىڭ ئۈنۈمى ئۈسكۈنىنىڭ ئىقتىدارىنىڭ تېخىمۇ ياخشىلىنىشىنى چەكلەيدۇ ، شۇڭا مەنبە ۋە سۇ چىقىرىش رايونلىرىنىڭ ئۇلىنىش چوڭقۇرلۇقىنى ئازايتىش ، ھەمدە مەنبەنى ئالماشتۇرۇش ۋە PN ئۇلىنىشلىرىنى مېتال يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئالاقىسى بىلەن ئالماشتۇرۇش ئارقىلىق بۇ مەسىلىنى يېڭىش كېرەك.
خۇلاسىلەپ ئېيتقاندا ، MOSFETs نىڭ تەدرىجىي تەرەققىي قىلىشى ئۇقۇمدىن ئەمەلىي قوللىنىشقىچە ، ئىقتىدارنى ئاشۇرۇشتىن تېخنىكىدا يېڭىلىق يارىتىشقىچە ، ماتېرىيال چارلاشتىن ئىلغار تېخنىكىنى تەرەققىي قىلدۇرۇشقىچە بولغان جەريان. پەن-تېخنىكىنىڭ ئۈزلۈكسىز تەرەققىي قىلىشىغا ئەگىشىپ ، MOSFETs كەلگۈسىدە ئېلېكترون سانائىتىدە داۋاملىق مۇھىم رول ئوينايدۇ.
يوللانغان ۋاقتى: 28-سېنتەبىردىن 2024-يىلغىچە
