MOSFET ، مېتال ئوكسىد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ مەيدان ئېففېكتى ترانس ist ورتى ئۈچۈن قىسقا ، ئۈچ تېرمىنال يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىسى بولۇپ ، ئېلېكتر مەيدانى ئېففېكتىنى ئىشلىتىپ توك ئېقىمىنى كونترول قىلىدۇ. تۆۋەندىكىسى MOSFET نىڭ ئاساسلىق ئومۇمىي ئەھۋالى:
1. ئېنىقلىما ۋە تۈرگە ئايرىش
- ئېنىقلىما: MOSFET يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىسى بولۇپ ، دەرۋازا بېسىمىنى ئۆزگەرتىش ئارقىلىق ئېرىق بىلەن مەنبە ئوتتۇرىسىدىكى ئۆتكۈزگۈچ قانالنى كونترول قىلىدۇ. بۇ دەرۋازا مەنبەدىن يېپىق ھالەتتە بولۇپ ، بىر قەۋەت ئىزولياتورلۇق ماتېرىيال (ئادەتتە كرېمنىي تۆت ئوكسىد) تەرىپىدىن چىقىرىۋېتىلىدۇ ، شۇڭلاشقا ئۇ يەنە يېپىق ھالەتتىكى دەرۋازا ئېففېكتى ترانس ist ور دەپمۇ ئاتىلىدۇ.
- تۈرگە ئايرىش: MOSFET لار ئۆتكۈزگۈچ قانالنىڭ تۈرى ۋە دەرۋازا بېسىمىنىڭ تەسىرىگە ئاساسەن تۈرگە ئايرىلىدۇ:
- N- قانال ۋە P- قانال MOSFETs: ئۆتكۈزگۈچ قانالنىڭ تۈرىگە ئاساسەن.
- كۈچەيتىش ھالىتى ۋە چېكىنىش ھالىتى MOSFETs: دەرۋازا بېسىمىنىڭ ئۆتكۈزگۈچ قانالغا كۆرسەتكەن تەسىرىگە ئاساسەن. شۇڭلاشقا ، MOSFETs تۆت خىلغا بۆلىنىدۇ: N قانالنى كۈچەيتىش ھالىتى ، N قانالنىڭ خورىشى ھالىتى ، P قانالنى كۈچەيتىش ھالىتى ۋە P قانالنىڭ خورىشى ھالىتى.
2. قۇرۇلما ۋە خىزمەت پرىنسىپى
- قۇرۇلمىسى: MOSFET دەرۋازا (G) ، سۇ چىقىرىش (D) ۋە مەنبە (S) دىن ئىبارەت ئۈچ ئاساسلىق تەركىبنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ. يېنىك كۆپەيتىلگەن يېرىم ئۆتكۈزگۈچ تارماق لىنىيىسىدە ، يېرىم ئۆتكۈزگۈچ پىششىقلاپ ئىشلەش تېخنىكىسى ئارقىلىق يۇقىرى كۆپەيتىلگەن مەنبە ۋە سۇ چىقىرىش رايونلىرى بارلىققا كېلىدۇ. بۇ رايونلار ئىزولياتور قەۋىتى بىلەن ئايرىلىدۇ ، ئۇنىڭ ئۈستىگە دەرۋازا ئېلېكترود ئۈستىگە قويۇلغان.
- خىزمەت پرىنسىپى: N قانالنى كۈچەيتىش ھالىتى MOSFET نى مىسالغا ئالساق ، دەرۋازا بېسىمى نۆل بولغاندا ، ئېرىق بىلەن مەنبە ئوتتۇرىسىدا ئۆتكۈزگۈچ قانال بولمايدۇ ، شۇڭا ھېچقانداق توك ئېقىشقا بولمايدۇ. دەرۋازا بېسىمى بەلگىلىك چەككە يەتكەندە («توك بېسىمى» ياكى «بوسۇغا بېسىمى» دېيىلىدۇ) ، دەرۋازا ئاستىدىكى ئىزولياتور قەۋىتى ئاستى تەرەپتىكى ئېلېكتروننى جەلپ قىلىپ تەتۈر قەۋەت ھاسىل قىلىدۇ (N تىپلىق نېپىز قەۋەت) ، ئۆتكۈزگۈچ قانال قۇرۇش. بۇ ئېقىن بىلەن مەنبە ئوتتۇرىسىدا توك ئېقىدۇ. بۇ ئۆتكۈزگۈچ قانالنىڭ كەڭلىكى ، شۇڭلاشقا سۇ چىقىرىش ئېقىمى دەرۋازا بېسىمىنىڭ چوڭ-كىچىكلىكى تەرىپىدىن بەلگىلىنىدۇ.
3. ئاچقۇچلۇق ئالاھىدىلىك
- يۇقىرى كىرگۈزۈش توسالغۇسى: دەرۋازا مەنبەدىن يېپىق ھالەتتە ۋە ئىزولياتور قەۋىتى ئارقىلىق سۇ چىقىرىۋېتىلگەنلىكتىن ، MOSFET نىڭ كىرگۈزۈش توسالغۇسى ئىنتايىن يۇقىرى بولۇپ ، توسالغۇسىز توك يولىغا ماس كېلىدۇ.
- تۆۋەن شاۋقۇن: MOSFET لار مەشغۇلات جەريانىدا بىر قەدەر تۆۋەن شاۋقۇن پەيدا قىلىدۇ ، بۇ قاتتىق تەلەپكە ئىگە توك يولىغا ماس كېلىدۇ.
- ياخشى ئىسسىقلىق مۇقىملىقى: MOSFET نىڭ ئىسسىقلىق مۇقىملىقى ناھايىتى ياخشى بولۇپ ، كەڭ دائىرىدە ئۈنۈملۈك مەشغۇلات قىلالايدۇ.
- تۆۋەن توك سەرپىياتى: MOSFET لار دۆلەت ئىچى ۋە سىرتىدىكى ئىككى دۆلەتتە ناھايىتى ئاز توك سەرپ قىلىپ ، تۆۋەن توك يولىغا ماس كېلىدۇ.
- يۇقىرى ئالماشتۇرۇش سۈرئىتى: توك بېسىمىنى كونترول قىلىدىغان ئۈسكۈنىلەر بولغاچقا ، MOSFETs تېز سۈرئەتتە ئالماشتۇرۇش سۈرئىتى بىلەن تەمىنلەيدۇ ، بۇ يۇقىرى چاستوتىلىق توك يولىغا ماس كېلىدۇ.
4. ئىلتىماس رايونى
MOSFETs ھەر خىل ئېلېكترونلۇق توك يولىدا ، بولۇپمۇ توپلاشتۇرۇلغان توك يولى ، ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرى ، خەۋەرلىشىش ئۈسكۈنىلىرى ۋە كومپيۇتېرلاردا كەڭ قوللىنىلىدۇ. ئۇلار كۈچەيتمە توك يولى ، توك يولى ، توك بېسىمىنى تەڭشەش توك يولى ۋە باشقا ئاساسلىق زاپچاسلار بولۇپ ، سىگنالنى كۈچەيتىش ، ئالماشتۇرۇشنى كونترول قىلىش ۋە توك بېسىمىنى مۇقىملاشتۇرۇش قاتارلىق ئىقتىدارلارنى تەمىنلەيدۇ.
يىغىنچاقلىغاندا ، MOSFET ئۆزگىچە قۇرۇلما ۋە ئەلا ئىقتىدار ئالاھىدىلىكى بىلەن كەم بولسا بولمايدىغان يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىسى. ئۇ نۇرغۇن ساھەدىكى ئېلېكترونلۇق توك يولىدا ھەل قىلغۇچ رول ئوينايدۇ.
يوللانغان ۋاقتى: 22-سېنتەبىردىن 2024-يىلغىچە
