MOSFET تاللاش | N- قانال MOSFET قۇرۇلۇش پرىنسىپى

MOSFET تاللاش | N- قانال MOSFET قۇرۇلۇش پرىنسىپى

يوللانغان ۋاقتى: 5-ئاينىڭ 26-كۈنىدىن 20-كۈنىگىچە

ئادەتتە كرىستال ترانس ist ورنىڭ مېتال ئوكسىد-يېرىم ئۆتكۈزگۈچ قۇرۇلمىسى دەپ ئاتىلىدۇMOSFET، بۇ يەردە MOSFETs P تىپلىق MOSFET ۋە N تىپلىق MOSFET دەپ ئايرىلىدۇ. MOSFET دىن تەركىب تاپقان توپلاشتۇرۇلغان توك يولى يەنە MOSFET توپلاشتۇرۇلغان توك يولى دەپمۇ ئاتىلىدۇ ، PMOSFETs ۋە زىچ مۇناسىۋەتلىك بولغان MOSFET توپلاشتۇرۇلغان توك يولى ۋەNMOSFETs CMOSFET توپلاشتۇرۇلغان توك يولى دەپ ئاتىلىدۇ.

N- قانال MOSFET توك يولى دىئاگراممىسى 1

P تىپلىق تارماق بالا ۋە قويۇقلۇقى يۇقىرى ئىككى n تارقىلىدىغان رايوندىن تەركىب تاپقان MOSFET n قانال دەپ ئاتىلىدۇ.MOSFETھەمدە n تىپلىق ئۆتكۈزگۈچ قانال كەلتۈرۈپ چىقارغان ئۆتكۈزگۈچ قانال نەيچە ئۆتكۈزگەندە يۇقىرى قويۇقلۇق قىممىتى يۇقىرى ئىككى n تارقىلىش يولىدىكى n تارقىلىش يولىدىن كېلىپ چىقىدۇ. n- قانال قېلىنلاشتۇرۇلغان MOSFET لار n قانالدا ئۆتكۈزۈلۈش قانىلى كەلتۈرۈپ چىقارغان n قانال بار ، مۇسبەت يۆنىلىشلىك بىر تەرەپلىمە قاراش ئىمكانقەدەر يۇقىرى بولغاندا ، دەرۋازا مەنبە مەشغۇلاتى چەك بېسىمىدىن ئېشىپ كەتكەن مەشغۇلات بېسىمىنى تەلەپ قىلغاندىلا. n- قانالنىڭ خورىشى MOSFET بولسا دەرۋازا بېسىمىغا تەييارلانمىغانلار (دەرۋازا مەنبە مەشغۇلاتى نۆل توك بېسىمىنى تەلەپ قىلىدۇ). N قانالدىكى نۇرنىڭ خورىشى MOSFET بولسا n قانال MOSFET بولۇپ ، دەرۋازا بېسىمى (دەرۋازا مەنبە مەشغۇلات تەلىپى مەشغۇلات بېسىمى نۆل) تەييارلانمىغاندا ئۆتكۈزگۈچ قانال پەيدا بولىدۇ.

      NMOSFET توپلاشتۇرۇلغان توك يولى N قانالدىكى MOSFET توك بىلەن تەمىنلەش توك يولى ، NMOSFET توپلاشتۇرۇلغان توك يولى ، كىرگۈزۈش قارشىلىقى ئىنتايىن يۇقىرى ، مۇتلەق كۆپ ساندىكى كىشىلەر توك ئېقىمىنىڭ سۈمۈرۈلۈشىنى ھەزىم قىلىشىنىڭ ھاجىتى يوق ، شۇڭا CMOSFET ۋە NMOSFET توپلاشتۇرۇلغان توك يولى ئۆز ئىچىگە ئالمايدۇ. توك ئېقىمىنىڭ يۈكىنى ھېسابلاڭ. NMOSFET توپلاشتۇرۇلغان توك يولى ، مۇتلەق كۆپ ساندىكى يەككە گۇرۇپپا مۇسبەت ئالماشتۇرۇش توك تەمىنلەش توك يولى توك يولى توك يولىنى تاللايدۇ. NMOSFET توپلاشتۇرۇلغان توك يولى يەككە مۇسبەت ئالماشتۇرۇش توك تەمىنلەش توك يولى توك يولى ، 9V غا تېخىمۇ كۆپ ئىشلىتىلىدۇ. CMOSFET توپلاشتۇرۇلغان توك يولى پەقەت NMOSFET توپلاشتۇرۇلغان توك يولى بىلەن ئوخشاش توك ئالماشتۇرۇش توك يولى توك يولىنى ئىشلىتىشى كېرەك ، دەرھال NMOSFET توپلاشتۇرۇلغان توك يولى بىلەن ئۇلىنالايدۇ. قانداقلا بولمىسۇن ، NMOSFET دىن CMOSFET غىچە دەرھال ئۇلىنىدۇ ، چۈنكى NMOSFET چىقىرىشنىڭ تارتىش كۈچى CMOSFET توپلاشتۇرۇلغان توك يولى ئاچقۇچلۇق تارتىش كۈچىگە يەتمەيدۇ ، شۇڭا يوشۇرۇن پەرق تارتىش تارتقۇچ R نى ئىشلىتىپ بېقىڭ ، قارشىلىق كۆرسەتكۈچى R نىڭ قىممىتى ئادەتتە 2 دىن 100KΩ غىچە.

WINSOK TO-263-2L MOSFET

N قانالنىڭ ياسىلىشى MOSFET نى قويۇقلاشتۇردى
تۆۋەن دەرىجىدىكى دوپپا قويۇقلۇقى P تىپىدىكى كرېمنىينىڭ ئاستى قىسمىدا ، دوپپا قويۇقلۇقى يۇقىرى ئىككى N رايون ياسالغان ، ئاليۇمىن مېتالدىن ئىككى ئېلېكترود چىقىرىلىپ ، ئايرىم-ئايرىم ھالدا سۇ چىقىرىش مەنبەسى ۋە مەنبە s رولىنى ئوينايدۇ.

ئاندىن يېرىم ئۆتكۈزگۈچ زاپچاس يۈزىدە ئىنتايىن نېپىز بىر قەۋەت سىلىتسىيلىق ئىزولياتسىيىلىك نەيچە نىقابلىنىدۇ ، سۇ چىقىرىش ئېغىزىدا - ئېرىق بىلەن باشقا ئاليۇمىن ئېلېكترودنىڭ مەنبەسى ئوتتۇرىسىدىكى مەنبە ئىزولياتور تۇرۇبىسى ، دەرۋازا g.

تارماق لىنىيىدە يەنە N قانال قېلىن MOSFET دىن تەركىب تاپقان ئېلېكترود B چىقىدۇ. MOSFET مەنبەسى بىلەن تارماق بالا ئادەتتە بىر-بىرىگە ئۇلىنىدۇ ، زاۋۇتتىكى تۇرۇبىلارنىڭ مۇتلەق كۆپ قىسمى ئۇنىڭغا ئۇزۇندىن بۇيان ئۇلىنىپ كەلگەن ، ئۇنىڭ دەرۋازىسى ۋە باشقا ئېلېكترودلار قېپى ئارىسىدا يېپىق ھالەتتە.