MOSFETs نىڭ كۈچەيتىلىشى ۋە چېكىنىشىنى تەھلىل قىلىش

D-FET قانال مەۋجۇت بولغاندا 0 دەرۋازا يان بېسىمىدا ، FET ئېلىپ بارالايدۇ. E-FET قانال بولمىغان ۋاقىتتا 0 دەرۋازا يانتۇ ھالەتتە ، FET ئېلىپ بارالمايدۇ. بۇ ئىككى خىل FET نىڭ ئۆزىگە خاس ئالاھىدىلىكى ۋە ئىشلىتىلىشى بار. ئادەتتە ، يۇقىرى سۈرئەتلىك ، تۆۋەن قۇۋۋەتلىك توك يولىدا كۈچەيتىلگەن FET ئىنتايىن قىممەتلىك. بۇ ئۈسكۈنە ئىشلەۋاتىدۇltage and drain توك بېسىمى ئوخشاش ، توك يولى لايىھىلەشتە تېخىمۇ قۇلايلىق.

ئاتالمىش ​​كۈچەيتىلگەن ۋاسىتىلەر: VGS = 0 نەيچىسى ئۈزۈلۈپ قالغان ھالەتكە كەلگەندە ، توغرا VGS نى قوشقاندا ، كۆپىنچە توشۇغۇچىلار دەرۋازىغا جەلپ بولىدۇ ، شۇڭا رايوندىكى توشۇغۇچىلارنى «كۈچەيتىپ» ، ئۆتكۈزگۈچ قانال شەكىللەندۈرىدۇ. n- قانال كۈچەيتىلگەن MOSFET ئاساسەن سولدىن ئوڭغا سىممېترىك توپولوگىيە بولۇپ ، ئۇ بىر قەۋەت SiO2 پىلاستىنكىسى ئىزولياتور ھاسىل قىلغان P تىپلىق يېرىم ئۆتكۈزگۈچ. ئۇ P تىپلىق يېرىم ئۆتكۈزگۈچتە SiO2 پىلاستىنكىسىنىڭ ئىزولياتور قەۋىتىنى ھاسىل قىلىدۇ ، ئاندىن يۇقىرى كۆپەيتىلگەن N تىپلىق ئىككى رايوننى تارقىتىدۇ.Photolithography، ھەمدە N تىپلىق رايوندىن ئېلېكترودنى يېتەكلەيدۇ ، بىرى D ئېرىق ئۈچۈن ، يەنە بىرى مەنبە S. ، ئېرىق بىلەن مەنبە ئوتتۇرىسىدا ئارقا-ئارقىدىن دىئود بار ، D بىلەن S ئارىسىدىكى توك بېسىمى D بىلەن S ئوتتۇرىسىدا توك ھاسىل قىلمايدۇ ، D بىلەن S ئارىسىدىكى توك ئىشلىتىلگەن ئېلېكتر بېسىمى بىلەن شەكىللەنمەيدۇ. .

دەرۋازا بېسىمى قوشۇلغاندا ، ئەگەر 0 <VGS <VGS (th) بولسا ، دەرۋازا بىلەن تارماق بالا ئوتتۇرىسىدا شەكىللەنگەن سىغىمچان ئېلېكتر مەيدانى ئارقىلىق ، دەرۋازىنىڭ ئاستىغا يېقىن P تىپلىق يېرىم ئۆتكۈزگۈچتىكى كۆپ قۇتۇپ تۆشۈكلىرى تۆۋەنگە قايتۇرۇلىدۇ ، سەلبىي ئىئونلارنىڭ نېپىز خورىتىش قەۋىتى پەيدا بولىدۇ شۇنىڭ بىلەن بىر ۋاقىتتا ، ئۇ يەردىكى ئولىگونلارنى يەر يۈزى قاتلىمىغا كۆچۈشكە جەلپ قىلىدۇ ، ئەمما بۇ سان چەكلىك ۋە يېتەرلىك بولۇپ ، ئېرىق ۋە مەنبەنى يەتكۈزەلەيدىغان ئۆتكۈزگۈچ قانال شەكىللەندۈرىدۇ ، شۇڭا سۇ چىقىرىش ئېقىمى كىملىكىنى شەكىللەندۈرۈشتە يەنىلا يېتەرلىك ئەمەس. يەنىمۇ كۆپەيدى VGS ، VGS بولغاندا > VGS (th) (VGS (th) توك بېسىمى توك بېسىمى دەپ ئاتىلىدۇ) ، چۈنكى بۇ ۋاقىتتا دەرۋازا بېسىمى بىر قەدەر كۈچلۈك بولۇپ ، P تىپلىق يېرىم ئۆتكۈزگۈچ يۈزى قەۋىتىدە دەرۋازىنىڭ ئاستىغا يېقىنراق بىر يەرگە يىغىلىدۇ. ئېلېكترون ، ئۆستەڭ ، سۇ چىقىرىش ۋە ئالاقە مەنبەسىنى ھاسىل قىلالايسىز. ئەگەر بۇ ۋاقىتتا يۇندى مەنبە بېسىمى قوشۇلسا ، سۇ چىقىرىش ئېقىمى ID ھاسىل بولىدۇ. دەرۋازىنىڭ ئاستىدا شەكىللەنگەن ئۆتكۈزگۈچ قانالدىكى ئېلېكترونلار ، P تىپلىق يېرىم ئۆتكۈزگۈچ قۇتۇپلۇق توشۇغۇچى تۆشۈك بولغاچقا ، ئۇ تىپقا قارشى قەۋەت دەپ ئاتىلىدۇ. VGS نىڭ كۆپىيىشىگە ئەگىشىپ ، كىملىك ​​داۋاملىق ئاشىدۇ. VGS = 0V دىكى ID = 0 ، سۇ چىقىرىش ئېقىمى پەقەت VGS> VGS (th) دىن كېيىن يۈز بېرىدۇ ، شۇڭا ، بۇ خىل MOSFET كۈچەيتمە MOSFET دەپ ئاتىلىدۇ.

VGS نىڭ سۇ چىقىرىش ئېقىمىدىكى كونترول مۇناسىۋىتىنى ئەگرى سىزىق iD = f (VGS (th)) | VDS = const دەپ تەسۋىرلەشكە بولىدۇ ، بۇ يۆتكىلىش ئالاھىدىلىكى ئەگرى سىزىقى دەپ ئاتىلىدۇ ، يۆتكىلىش ئالاھىدىلىكى ئەگرى سىزىقىنىڭ يانتۇ چوڭلۇقى ، gm ، دەرۋازا توك بېسىمى ئارقىلىق سۇ چىقىرىش ئېقىمىنى كونترول قىلىشنى ئەكىس ئەتتۈرىدۇ. gm نىڭ چوڭلۇقى mA / V ، شۇڭا gm يەنە ئۆتكۈزگۈچ دەپمۇ ئاتىلىدۇ.