WST2088A N- قانال 20V 7.5A SOT-23-3L WINSOK MOSFET
ئادەتتىكى چۈشەندۈرۈش
WST2088A ئەڭ يۇقىرى ئىقتىدارلىق ھۈجەيرە N-ch MOSFETs بولۇپ ، ئىنتايىن يۇقىرى ھۈجەيرە زىچلىقى بار ، كۆپ قىسىم كىچىك توك ئالماشتۇرۇش ۋە يۈك ئالماشتۇرۇش پروگراممىلىرىنى ئېسىل RDSON ۋە دەرۋازا ھەققى بىلەن تەمىنلەيدۇ. WST2088A تولۇق ئىقتىدار ئىشەنچلىكلىكى بىلەن RoHS ۋە يېشىل مەھسۇلات تەلىپىگە ماس كېلىدۇ.
Features
ئىلغار يۇقىرى ھۈجەيرە زىچلىقى ئۆستەڭ تېخنىكىسى ، دەرىجىدىن تاشقىرى تۆۋەن دەرۋازا توك قاچىلاش ، مۇنەۋۋەر Cdv / dt ئۈنۈمى تۆۋەنلەش ، يېشىل ئۈسكۈنىلەر بار
قوللىنىشچان پروگراممىلار
توك ئالماشتۇرۇش پروگراممىسى ، قاتتىق ئالماشتۇرۇلغان ۋە يۇقىرى چاستوتىلىق توك يولى ، ئۈزۈلمەس توك بىلەن تەمىنلەش ، ئېلېكترونلۇق تاماكا ، كونتروللىغۇچ ، رەقەملىك مەھسۇلات ، كىچىك ئائىلە ئېلېكتر سايمانلىرى ، ئىستېمال ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرى قاتارلىقلار.
ماس كېلىدىغان ماتېرىيال نومۇرى
AO AO3416 ، ON NTR3C21NZ ، VISHAY Si2312CDS ، Nxperian PMV16XN قاتارلىقلار.
مۇھىم پارامېتىرلار
ئېلېكتر ئالاھىدىلىكى (TJ = 25 ℃ ، باشقىچە ئەسكەرتىلمىگەن بولسا)
بەلگە | پارامېتىر | باھا | Units |
VDS | Drain-Source Voltage | 20 | V |
VGS | دەرۋازا مەنبەلىك توك بېسىمى | ± 12 | V |
ID @ Tc = 25 ℃ | ئۈزلۈكسىز سۇ چىقىرىش ئېقىمى ، VGS @ 4.5V | 7.5 | A |
ID @ Tc = 70 ℃ | ئۈزلۈكسىز سۇ چىقىرىش ئېقىمى ، VGS @ 4.5V | 4.5 | A |
IDP | Pulsed Drain Current | 24 | A |
PD @ TA = 25 ℃ | ئومۇمىي توك تارقىتىش | 1.25 | W |
TSTG | ساقلاش تېمپېراتۇرىسى دائىرىسى | -55 دىن 150 گىچە | ℃ |
TJ | مەشغۇلات ئۇلىنىش تېمپېراتۇرىسى دائىرىسى | -55 دىن 150 گىچە | ℃ |
بەلگە | پارامېتىر | شەرتلەر | Min. | تىپ. | Max. | بىرلىك |
BVDSS | سۇ چىقىرىش مەنبەسى بۇزۇلۇش بېسىمى | VGS = 0V, ID = 250uA | 20 | --- | --- | V |
△ BVDSS / △ TJ | BVDSS تېمپېراتۇرا كوئېففىتسېنتى | 25 ℃ ، ID = 1mA دىن پايدىلىنىڭ | --- | 0.018 | --- | V / ℃ |
RDS (ON) | تۇراقلىق سۇ چىقىرىش مەنبەسى قارشىلىق كۆرسىتىش 2 | VGS = 4.5V ، ID = 6A | --- | 10.7 | 14 | mΩ |
VGS = 2.5V ، ID = 5A | --- | 12.8 | 17 | |||
VGS (th) | دەرۋازا بوسۇغىسى بېسىمى | VGS = VDS, ID = 250uA | 0.4 | 0.63 | 1.2 | V |
IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS = 16V, VGS = 0V. | --- | --- | 10 | uA |
IGSS | دەرۋازا مەنبە ئېقىمى ئېقىمى | VGS = ± 12V ، VDS = 0V | --- | --- | ± 100 | nA |
Qg | ئومۇمىي دەرۋازا ھەققى | VDS = 15V ، VGS = 4.5V ، ID = 6A | --- | 10 | --- | nC |
Qgs | دەرۋازا مەنبە ھەققى | --- | 1.6 | --- | ||
Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 3.4 | --- | ||
Td (on) | كېچىكتۈرۈش ۋاقتى | VDS = 10V ، VGS = 4.5V ، RG = 3.3Ω ID = 1A | --- | 8 | --- | ns |
Tr | Rise Time | --- | 15 | --- | ||
Td (off) | تاقاش ۋاقتى | --- | 33 | --- | ||
Tf | چۈشۈش ۋاقتى | --- | 13 | --- | ||
Ciss | كىرگۈزۈش ئىقتىدارى | VDS = 15V, VGS = 0V, f = 1MHz | --- | 590 | --- | pF |
كوس | چىقىرىش ئىقتىدارى | --- | 125 | --- | ||
Crss | تەتۈر يۆتكىلىش ئىقتىدارى | --- | 90 | --- |