WSF6012 N & P- قانىلى 60V / -60V 20A / -15A TO-252-4L WINSOK MOSFET

WSF6012 N & P- قانال 60V / -60V 20A / -15A TO-252-4L WINSOK MOSFET ئالاھىدە رەسىم

قىسقا چۈشەندۈرۈش:

مودېل نومۇرى:WSF6012

BVDSS:60V / -60V

RDSON:28mΩ / 75mΩ

كىملىك:20A / -15A

Channel:N & P-Channel

ئورالمىسى:TO-252-4L

مەھسۇلات خۇلاسىسى:WSF6012 MOSFET نىڭ توك بېسىمى 60V ۋە -60V ، 20A ۋە -15A غىچە بولغان توكنى بىر تەرەپ قىلالايدۇ ، قارشىلىق كۈچى 28mΩ ۋە 75mΩ ، N & P- قانىلى بار ، TO-252-4L غا قاچىلانغان.

قوللىنىشچان پروگراممىلار:ئېلېكترونلۇق تاماكا ، سىمسىز توك قاچىلىغۇچ ، ماتور ، توك زاپاسلاش ، ئۇچقۇچىسىز ئايروپىلان ، ساقلىق ساقلاش ، ماشىنا توك قاچىلىغۇچ ، كونتروللىغۇچ ، ئېلېكترون ، ئېلېكتر سايمانلىرى ۋە ئىستېمال بۇيۇملىرى.

بىزگە ئېلخەت يوللاڭ PDF

مەھسۇلات تەپسىلاتى

ئىلتىماس

مەھسۇلات خەتكۈچلىرى

ئادەتتىكى چۈشەندۈرۈش

WSF6012 MOSFET يۇقىرى ئىقتىدارلىق ھۈجەيرە زىچلىقى لايىھەلەنگەن يۇقىرى ئىقتىدارلىق ئۈسكۈنىدۇر.ئۇ نۇرغۇنلىغان ماس قەدەملىك پۇل ئالماشتۇرۇش پروگراممىلىرىغا ماس كېلىدىغان ئېسىل RDSON ۋە دەرۋازا ھەققى بىلەن تەمىنلەيدۇ.بۇنىڭدىن باشقا ، ئۇ RoHS ۋە يېشىل مەھسۇلات تەلىپىگە ماس كېلىدۇ ، ھەمدە تولۇق ئىقتىدار ۋە ئىشەنچلىك بولۇش ئۈچۈن% 100 EAS كاپالىتى بىلەن تەمىنلەيدۇ.

Features

يۇقىرى ھۈجەيرە زىچلىقى ، دەرىجىدىن تاشقىرى تۆۋەن دەرۋازا ھەققى ، مۇنەۋۋەر CdV / dt ئۈنۈم تۆۋەنلەش ،% 100 EAS كاپالىتى ۋە مۇھىت ئاسرايدىغان ئۈسكۈنىلەر تاللانمىلىرى بار ئىلغار ئۆستەڭ تېخنىكىسى.

قوللىنىشچان پروگراممىلار

يۇقىرى چاستوتىلىق يۈك ماس قەدەملىك باك ئايلاندۇرغۇچ ، تور DC-DC ئېلېكتر سىستېمىسى ، يۈك ئالماشتۇرۇش ، ئېلېكترونلۇق تاماكا ، سىمسىز توك قاچىلاش ، ماتور ، جىددى توك بىلەن تەمىنلەش ، ئۇچقۇچىسىز ئايروپىلان ، ساقلىقنى ساقلاش ، ماشىنا توك قاچىلىغۇچ ، كونتروللىغۇچ ، رەقەملىك ئۈسكۈنىلەر ، كىچىك ئائىلە ئېلېكتر سايمانلىرى ، ۋە ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرى.

ماس كېلىدىغان ماتېرىيال نومۇرى

AOS AOD603A,

مۇھىم پارامېتىرلار

بەلگە	پارامېتىر	باھا		Units
بەلگە	پارامېتىر	N-Channel	P-Channel	Units
VDS	Drain-Source Voltage	60	-60	V
VGS	دەرۋازا مەنبەلىك توك بېسىمى	± 20	± 20	V
ID @ TC = 25 ℃	ئۈزلۈكسىز سۇ چىقىرىش ئېقىمى ، VGS @ 10V1	20	-15	A
ID @ TC = 70 ℃	ئۈزلۈكسىز سۇ چىقىرىش ئېقىمى ، VGS @ 10V1	15	-10	A
IDM	Pulsed Drain Current2	46	-36	A
EAS	يەككە تومۇر قار كۆچۈش ئېنېرگىيىسى 3	200	180	mJ
IAS	Avalanche Current	59	-50	A
PD @ TC = 25 ℃	ئومۇمىي توك تارقىتىش 4	34.7	34.7	W
TSTG	ساقلاش تېمپېراتۇرىسى دائىرىسى	-55 دىن 150 گىچە	-55 دىن 150 گىچە	℃
TJ	مەشغۇلات ئۇلىنىش تېمپېراتۇرىسى دائىرىسى	-55 دىن 150 گىچە	-55 دىن 150 گىچە	℃

بەلگە	پارامېتىر	شەرتلەر	Min.	تىپ.	Max.	بىرلىك
BVDSS	سۇ چىقىرىش مەنبەسى بۇزۇلۇش بېسىمى	VGS = 0V, ID = 250uA	60	---	---	V
△ BVDSS / △ TJ	BVDSS تېمپېراتۇرا كوئېففىتسېنتى	25 ℃ ، ID = 1mA دىن پايدىلىنىڭ	---	0.063	---	V / ℃
RDS (ON)	تۇراقلىق سۇ چىقىرىش مەنبەسى قارشىلىق كۆرسىتىش 2	VGS = 10V, ID = 8A	---	28	37	mΩ
RDS (ON)	تۇراقلىق سۇ چىقىرىش مەنبەسى قارشىلىق كۆرسىتىش 2	VGS = 4.5V ، ID = 5A	---	37	45	mΩ
VGS (th)	دەرۋازا بوسۇغىسى بېسىمى	VGS = VDS, ID = 250uA	1	---	2.5	V
△ VGS (th)	VGS (th) تېمپېراتۇرا كوئېففىتسېنتى	VGS = VDS, ID = 250uA	---	-5.24	---	mV / ℃
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS = 48V, VGS = 0V, TJ = 25 ℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS = 48V, VGS = 0V, TJ = 55 ℃	---	---	5	uA
IGSS	دەرۋازا مەنبە ئېقىمى ئېقىمى	VGS = ± 20V ، VDS = 0V	---	---	± 100	nA
gfs	ئالغا ئىلگىرىلەش	VDS = 5V, ID = 8A	---	21	---	S
Rg	دەرۋازا قارشىلىقى	VDS = 0V, VGS = 0V, f = 1MHz	---	3.0	4.5	Ω
Qg	ئومۇمىي دەرۋازا ھەققى (4.5V)	VDS = 48V ، VGS = 4.5V ، ID = 8A	---	12.6	20	nC
Qgs	دەرۋازا مەنبەسى		---	3.5	---
Qgd	Gate-Drain Charge		---	6.3	---
Td (on)	كېچىكتۈرۈش ۋاقتى	VDD = 30V, VGS = 4.5V, RG = 3.3Ω, ID = 1A	---	8	---	ns
Tr	Rise Time		---	14.2	---
Td (off)	تاقاش ۋاقتى		---	24.6	---
Tf	چۈشۈش ۋاقتى		---	4.6	---
Ciss	كىرگۈزۈش ئىقتىدارى	VDS = 15V, VGS = 0V, f = 1MHz	---	670	---	pF
كوس	چىقىرىش ئىقتىدارى		---	70	---
Crss	تەتۈر يۆتكىلىش ئىقتىدارى		---	35	---