WSD60N10GDN56 N- قانال 100V 60A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

مەھسۇلاتلار

WSD60N10GDN56 N- قانال 100V 60A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

قىسقا چۈشەندۈرۈش:

بۆلەك نومۇرى :WSD60N10GDN56

BVDSS :100V

ID :60A

RDSON :8.5mΩ

Channel :N-channel

Package :DFN5X6-8


مەھسۇلات تەپسىلاتى

ئىلتىماس

مەھسۇلات خەتكۈچلىرى

WINSOK MOSFET مەھسۇلات ئومۇمىي ئەھۋالى

WSD60N10GDN56 MOSFET نىڭ توك بېسىمى 100V ، توك 60A ، قارشىلىق كۈچى 8.5mΩ ، قانال N- قانال ، ئورالمىسى DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET قوللىنىشچان رايون

ئېلېكترونلۇق تاماكا MOSFET ، سىمسىز توك قاچىلاش MOSFET ، ماتور MOSFET ، ئۇچقۇچىسىز ئايروپىلان MOSFET ، داۋالاش مۇلازىمىتى MOSFET ، ماشىنا توك قاچىلىغۇچ MOSFET ، كونتروللىغۇچ MOSFET ، رەقەملىك مەھسۇلات MOSFET ، كىچىك ئائىلە ئېلېكتر سايمانلىرى MOSFET ، ئىستېمال ئېلېكترونلىرى MOSFET.

MOSFET قوللىنىشچان پروگراممىلار WINSOK MOSFET باشقا ماركا ماتېرىيال نومۇرىغا ماس كېلىدۇ

AOS MOSFET AON6226, AON6294, AON6298, AONS6292, AONS6692, AONS66923. ئونسېمى ، مەغلۇبىيەتچى موسفېت NTMFS6B14N , TPH8R8ANH.PANJIT MOSFET PJQ5478A.NIKO-SEM MOSFET P81BKA.POTENS يېرىم ئۆتكۈزگۈچ MOSFET PDC92X.

MOSFET پارامېتىرلىرى

بەلگە

پارامېتىر

باھا

Units

VDS

Drain-Source Voltage

100

V

VGS

دەرۋازا مەنبەلىك توك بېسىمى

± 20

V

ID@TC= 25 ℃

ئۈزلۈكسىز سۇ چىقىرىش

60

A

IDP

Pulsed Drain Current

210

A

EAS

قار كۆچۈش ئېنېرگىيىسى ، يەككە تومۇر

100

mJ

PD@TC= 25 ℃

ئومۇمىي توك تارقىتىش

125

W.

TSTG

ساقلاش تېمپېراتۇرىسى دائىرىسى

-55 دىن 150 گىچە

TJ 

مەشغۇلات ئۇلىنىش تېمپېراتۇرىسى دائىرىسى

-55 دىن 150 گىچە

 

بەلگە

پارامېتىر

شەرتلەر

Min.

تىپ.

Max.

بىرلىك

BVDSS 

سۇ چىقىرىش مەنبەسى بۇزۇلۇش بېسىمى VGS= 0V, I.D= 250uA

100

---

---

V

  تۇراقلىق سۇ چىقىرىش مەنبەسى VGS = 10V, ID = 10A.

---

8.5

10. 0

RDS (ON)

VGS = 4.5V ، ID = 10A.

---

9.5

12. 0

VGS (th)

دەرۋازا بوسۇغىسى بېسىمى VGS=VDS, I.D= 250uA

1.0

---

2.5

V

IDSS

Drain-Source Leakage Current VDS= 80V, V.GS= 0V, T.J= 25 ℃

---

---

1

uA

IGSS

دەرۋازا مەنبە ئېقىمى ئېقىمى VGS= ± 20V, V.DS= 0V

---

---

± 100

nA

Qg 

ئومۇمىي دەرۋازا ھەققى (10V) VDS= 50V, V.GS= 10V, I.D= 25A

---

49.9

---

nC

Qgs 

دەرۋازا مەنبە ھەققى

---

6.5

---

Qgd 

Gate-Drain Charge

---

12.4

---

Td (on)

كېچىكتۈرۈش ۋاقتى VDD= 50V, V.GS= 10V,RG= 2.2Ω, I.D= 25A

---

20.6

---

ns

Tr 

Rise Time

---

5

---

Td (off)

تاقاش ۋاقتى

---

51.8

---

Tf 

چۈشۈش ۋاقتى

---

9

---

Cتارقىتىش 

كىرگۈزۈش ئىقتىدارى VDS= 50V, V.GS= 0V, f = 1MHz

---

2604

---

pF

كوس

چىقىرىش ئىقتىدارى

---

362

---

Crss 

تەتۈر يۆتكىلىش ئىقتىدارى

---

6.5

---

IS 

ئۈزلۈكسىز مەنبە VG=VD= 0V, Force Current

---

---

60

A

ISP

Pulsed Source Current

---

---

210

A

VSD

دىئود ئالدى توك بېسىمى VGS= 0V, I.S= 12A, T.J= 25 ℃

---

---

1.3

V

trr 

ئەسلىگە كەلتۈرۈش ۋاقتى IF = 12A, dI / dt = 100A / µs, T.J= 25 ℃

---

60.4

---

nS

Qrr 

ئەسلىگە كەلتۈرۈش ھەققى

---

106.1

---

nC


  • ئالدىنقى:
  • كېيىنكى:

  • ئۇچۇرىڭىزنى بۇ يەرگە يېزىڭ ۋە بىزگە ئەۋەتىڭ