WSD60N10GDN56 N- قانال 100V 60A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET مەھسۇلات ئومۇمىي ئەھۋالى
WSD60N10GDN56 MOSFET نىڭ توك بېسىمى 100V ، توك 60A ، قارشىلىق كۈچى 8.5mΩ ، قانال N- قانال ، ئورالمىسى DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET قوللىنىشچان رايون
ئېلېكترونلۇق تاماكا MOSFET ، سىمسىز توك قاچىلاش MOSFET ، ماتور MOSFET ، ئۇچقۇچىسىز ئايروپىلان MOSFET ، داۋالاش مۇلازىمىتى MOSFET ، ماشىنا توك قاچىلىغۇچ MOSFET ، كونتروللىغۇچ MOSFET ، رەقەملىك مەھسۇلات MOSFET ، كىچىك ئائىلە ئېلېكتر سايمانلىرى MOSFET ، ئىستېمال ئېلېكترونلىرى MOSFET.
MOSFET قوللىنىشچان پروگراممىلار WINSOK MOSFET باشقا ماركا ماتېرىيال نومۇرىغا ماس كېلىدۇ
AOS MOSFET AON6226 ، AON6294 ، AON6298 ، AONS6292 ، AONS6692 ، AONS66923.Onsemi TPH8R8ANH.PANJIT MOSFET PJQ5478A.NIKO-SEM MOSFET P81BKA.POTENS يېرىم ئۆتكۈزگۈچ MOSFET PDC92X.
MOSFET پارامېتىرلىرى
| بەلگە | پارامېتىر | باھا | Units |
| VDS | Drain-Source Voltage | 100 | V |
| VGS | دەرۋازا مەنبەلىك توك بېسىمى | ± 20 | V |
| ID@TC= 25 ℃ | ئۈزلۈكسىز سۇ چىقىرىش | 60 | A |
| IDP | Pulsed Drain Current | 210 | A |
| EAS | قار كۆچۈش ئېنېرگىيىسى ، يەككە تومۇر | 100 | mJ |
| PD@TC= 25 ℃ | ئومۇمىي توك تارقىتىش | 125 | W. |
| TSTG | ساقلاش تېمپېراتۇرىسى دائىرىسى | -55 دىن 150 گىچە | ℃ |
| TJ | مەشغۇلات ئۇلىنىش تېمپېراتۇرىسى دائىرىسى | -55 دىن 150 گىچە | ℃ |
| بەلگە | پارامېتىر | شەرتلەر | Min. | تىپ. | Max. | بىرلىك |
| BVDSS | سۇ چىقىرىش مەنبەسى بۇزۇلۇش بېسىمى | VGS= 0V, I.D= 250uA | 100 | --- | --- | V |
| تۇراقلىق سۇ چىقىرىش مەنبەسى | VGS = 10V, ID = 10A. | --- | 8.5 | 10. 0 | mΩ | |
| RDS (ON) | VGS = 4.5V ، ID = 10A. | --- | 9.5 | 12. 0 | mΩ | |
| VGS (th) | دەرۋازا بوسۇغىسى بېسىمى | VGS=VDS, I.D= 250uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS= 80V, V.GS= 0V, T.J= 25 ℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | دەرۋازا مەنبە ئېقىمى ئېقىمى | VGS= ± 20V, V.DS= 0V | --- | --- | ± 100 | nA |
| Qg | ئومۇمىي دەرۋازا ھەققى (10V) | VDS= 50V, V.GS= 10V, I.D= 25A | --- | 49.9 | --- | nC |
| Qgs | دەرۋازا مەنبەسى | --- | 6.5 | --- | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 12.4 | --- | ||
| Td (on) | كېچىكتۈرۈش ۋاقتى | VDD= 50V, V.GS= 10V,RG= 2.2Ω, I.D= 25A | --- | 20.6 | --- | ns |
| Tr | Rise Time | --- | 5 | --- | ||
| Td (off) | تاقاش ۋاقتى | --- | 51.8 | --- | ||
| Tf | چۈشۈش ۋاقتى | --- | 9 | --- | ||
| Cتارقىتىش | كىرگۈزۈش ئىقتىدارى | VDS= 50V, V.GS= 0V, f = 1MHz | --- | 2604 | --- | pF |
| كوس | چىقىرىش ئىقتىدارى | --- | 362 | --- | ||
| Crss | تەتۈر يۆتكىلىش ئىقتىدارى | --- | 6.5 | --- | ||
| IS | ئۈزلۈكسىز مەنبە | VG=VD= 0V, Force Current | --- | --- | 60 | A |
| ISP | Pulsed Source Current | --- | --- | 210 | A | |
| VSD | دىئود ئالدى توك بېسىمى | VGS= 0V, I.S= 12A, T.J= 25 ℃ | --- | --- | 1.3 | V |
| trr | ئەسلىگە كەلتۈرۈش ۋاقتى | IF = 12A, dI / dt = 100A / µs, T.J= 25 ℃ | --- | 60.4 | --- | nS |
| Qrr | ئەسلىگە كەلتۈرۈش ھەققى | --- | 106.1 | --- | nC |
