WSD45N10GDN56 N- قانال 100V 45A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET مەھسۇلات ئومۇمىي ئەھۋالى
WSD45N10GDN56 MOSFET نىڭ توك بېسىمى 100V ، توك 45A ، قارشىلىق كۈچى 14.5mΩ ، قانال N- قانال ، ئورالمىسى DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET قوللىنىشچان رايون
ئېلېكترونلۇق تاماكا MOSFET ، سىمسىز توك قاچىلاش MOSFET ، ماتور MOSFET ، ئۇچقۇچىسىز ئايروپىلان MOSFET ، داۋالاش مۇلازىمىتى MOSFET ، ماشىنا توك قاچىلىغۇچ MOSFET ، كونتروللىغۇچ MOSFET ، رەقەملىك مەھسۇلات MOSFET ، كىچىك ئائىلە ئېلېكتر سايمانلىرى MOSFET ، ئىستېمال ئېلېكترونلىرى MOSFET.
WINSOK MOSFET باشقا ماركا ماتېرىيال نومۇرىغا ماس كېلىدۇ
AOS MOSFET AON6226 ، AON6294 ، AON6298 ، AONS6292 ، AONS6692 ، AONS66923.PANJIT MOSFET PJQ5476AL.
MOSFET پارامېتىرلىرى
| بەلگە | پارامېتىر | باھا | Units |
| VDS | Drain-Source Voltage | 100 | V |
| VGS | Gate-Source Voltage | ±20 | V |
| ID@TC= 25℃ | ئۈزلۈكسىز سۇ چىقىرىش ئېقىمى ، V.GS@ 10V | 45 | A |
| ID@TC= 100℃ | ئۈزلۈكسىز سۇ چىقىرىش ئېقىمى ، V.GS@ 10V | 33 | A |
| ID@TA= 25℃ | ئۈزلۈكسىز سۇ چىقىرىش ئېقىمى ، V.GS@ 10V | 12 | A |
| ID@TA= 70℃ | ئۈزلۈكسىز سۇ چىقىرىش ئېقىمى ، V.GS@ 10V | 9.6 | A |
| IDMa | Pulsed Drain Current | 130 | A |
| EASb | يەككە تومۇر قار كۆچۈش ئېنېرگىيىسى | 169 | mJ |
| IASb | Avalanche Current | 26 | A |
| PD@TC= 25℃ | ئومۇمىي توك تارقىتىش | 95 | W |
| PD@TA= 25℃ | ئومۇمىي توك تارقىتىش | 5.0 | W |
| TSTG | ساقلاش تېمپېراتۇرىسى دائىرىسى | -55 دىن 150 گىچە | ℃ |
| TJ | مەشغۇلات ئۇلىنىش تېمپېراتۇرىسى دائىرىسى | -55 دىن 150 گىچە | ℃ |
| بەلگە | پارامېتىر | شەرتلەر | Min. | تىپ. | Max. | بىرلىك |
| BVDSS | سۇ چىقىرىش مەنبەسى بۇزۇلۇش بېسىمى | VGS= 0V, I.D= 250uA | 100 | --- | --- | V |
| △BVDSS / △ TJ | BVDSS تېمپېراتۇرا كوئېففىتسېنتى | پايدىلانما 25℃, I.D= 1mA | --- | 0.0 | --- | V/℃ |
| RDS (ON)d | تۇراقلىق سۇ چىقىرىش مەنبەسى قارشىلىق2 | VGS= 10V, I.D= 26A | --- | 14.5 | 17.5 | mΩ |
| VGS (th) | دەرۋازا بوسۇغىسى بېسىمى | VGS=VDS, I.D= 250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS (th) | VGS (th)تېمپېراتۇرا كوئېففىتسېنتى | --- | -5 | mV /℃ | ||
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS= 80V, V.GS= 0V, T.J= 25℃ | --- | - | 1 | uA |
| VDS= 80V, V.GS= 0V, T.J= 55℃ | --- | - | 30 | |||
| IGSS | دەرۋازا مەنبە ئېقىمى ئېقىمى | VGS=±20V, V.DS= 0V | --- | - | ±100 | nA |
| Rge | دەرۋازا قارشىلىقى | VDS= 0V, V.GS= 0V, f = 1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qge | ئومۇمىي دەرۋازا ھەققى (10V) | VDS= 50V, V.GS= 10V, I.D= 26A | --- | 42 | 59 | nC |
| Qgse | دەرۋازا مەنبەسى | --- | 12 | -- | ||
| Qgde | Gate-Drain Charge | --- | 12 | --- | ||
| Td (on)e | كېچىكتۈرۈش ۋاقتى | VDD= 30V, V.GEN= 10V, R.G=6Ω ID= 1A, RL = 30Ω | --- | 19 | 35 | ns |
| Tre | Rise Time | --- | 9 | 17 | ||
| Td (off)e | تاقاش ۋاقتى | --- | 36 | 65 | ||
| Tfe | چۈشۈش ۋاقتى | --- | 22 | 40 | ||
| Cisse | كىرگۈزۈش ئىقتىدارى | VDS= 30V, V.GS= 0V, f = 1MHz | --- | 1800 | --- | pF |
| Cosse | چىقىرىش ئىقتىدارى | --- | 215 | --- | ||
| Crsse | تەتۈر يۆتكىلىش ئىقتىدارى | --- | 42 | --- |
