WSD4018DN22 P- قانال -40V -18A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET

مەھسۇلاتلار

WSD4018DN22 P- قانال -40V -18A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET

قىسقا چۈشەندۈرۈش:

بۆلەك نومۇرى :WSD4018DN22

BVDSS :-40V

ID :-18A

RDSON :26mΩ 

Channel :P-channel

Package :DFN2X2-6L


مەھسۇلات تەپسىلاتى

ئىلتىماس

مەھسۇلات خەتكۈچلىرى

WINSOK MOSFET مەھسۇلات ئومۇمىي ئەھۋالى

WSD4018DN22 MOSFET نىڭ توك بېسىمى -40V ، ئېقىمى -18A ، قارشىلىق كۈچى 26mΩ ، قانال P- قانال ، ئورالمىسى DFN2X2-6L.

WINSOK MOSFET قوللىنىشچان رايون

ئىلغار يۇقىرى ھۈجەيرە زىچلىقىدىكى ئۆستەڭ تېخنىكىسى ، دەرىجىدىن تاشقىرى تۆۋەن دەرۋازا توك قاچىلاش ، مۇنەۋۋەر Cdv / dt ئېففېكتىنىڭ تۆۋەنلىشى يېشىل ئۈسكۈنىلەر بار ، يۈز تونۇش ئۈسكۈنىسى MOSFET ، ئېلېكترونلۇق تاماكا MOSFET ، كىچىك ئائىلە ئېلېكتر سايمانلىرى MOSFET ، ماشىنا توك قاچىلىغۇچ MOSFET.

WINSOK MOSFET باشقا ماركا ماتېرىيال نومۇرىغا ماس كېلىدۇ

AOS MOSFET AON2409, POTENS MOSFET PDB3909L

MOSFET پارامېتىرلىرى

بەلگە

پارامېتىر

باھا

Units

VDS

Drain-Source Voltage

-40

V

VGS

دەرۋازا مەنبەلىك توك بېسىمى

± 20

V

ID@Tc= 25 ℃

ئۈزلۈكسىز سۇ چىقىرىش ئېقىمى ، V.GS@ -10V1

-18

A

ID@Tc= 70 ℃

ئۈزلۈكسىز سۇ چىقىرىش ئېقىمى ، V.GS@ -10V1

-14.6

A

IDM

300μS Pulsed Drain Current, V.GS= -4.5V2

54

A

PD@Tc= 25 ℃

ئومۇمىي توك تارقىتىش3

19

W

TSTG

ساقلاش تېمپېراتۇرىسى دائىرىسى

-55 دىن 150 گىچە

TJ

مەشغۇلات ئۇلىنىش تېمپېراتۇرىسى دائىرىسى

-55 دىن 150 گىچە

ئېلېكتر ئالاھىدىلىكى (TJ = 25 ℃ ، باشقىچە ئەسكەرتىلمىگەن بولسا)

بەلگە

پارامېتىر

شەرتلەر

Min.

تىپ.

Max.

بىرلىك

BVDSS

سۇ چىقىرىش مەنبەسى بۇزۇلۇش بېسىمى VGS= 0V, I.D= -250uA

-40

---

---

V

△ BVDSS / △ TJ

BVDSS تېمپېراتۇرا كوئېففىتسېنتى Reference to 25 ℃, I.D= -1mA

---

-0.01

---

V / ℃

RDS (ON)

تۇراقلىق سۇ چىقىرىش مەنبەسى2 VGS= -10V, I.D= -8.0A

---

26

34

VGS= -4.5V, I.D= -6.0A

---

31

42

VGS (th)

دەرۋازا بوسۇغىسى بېسىمى VGS=VDS, I.D= -250uA

-1.0

-1.5

-3.0

V

△ V.GS (th)

VGS (th)تېمپېراتۇرا كوئېففىتسېنتى

---

3.13

---

mV / ℃

IDSS

Drain-Source Leakage Current VDS= -40V, V.GS= 0V, T.J= 25 ℃

---

---

-1

uA

VDS= -40V, V.GS= 0V, T.J= 55 ℃

---

---

-5

IGSS

دەرۋازا مەنبە ئېقىمى ئېقىمى VGS= ± 20V, V.DS= 0V

---

---

± 100

nA

Qg

ئومۇمىي دەرۋازا ھەققى (-4.5V) VDS= -20V, V.GS= -10V, I.D= -1.5A

---

27

---

nC

Qgs

دەرۋازا مەنبەسى

---

2.5

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

6.7

---

Td (on)

كېچىكتۈرۈش ۋاقتى VDD= -20V, V.GS= -10V,RG= 3Ω, RL = 10Ω

---

9.8

---

ns

Tr

Rise Time

---

11

---

Td (off)

تاقاش ۋاقتى

---

54

---

Tf

چۈشۈش ۋاقتى

---

7.1

---

Cتارقىتىش

كىرگۈزۈش ئىقتىدارى VDS= -20V, V.GS= 0V, f = 1MHz

---

1560

---

pF

كوس

چىقىرىش ئىقتىدارى

---

116

---

Crss

تەتۈر يۆتكىلىش ئىقتىدارى

---

97

---


  • ئالدىنقى:
  • كېيىنكى:

  • ئۇچۇرىڭىزنى بۇ يەرگە يېزىڭ ۋە بىزگە ئەۋەتىڭ