WSD40120DN56G N- قانال 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

مەھسۇلاتلار

WSD40120DN56G N- قانال 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

قىسقا چۈشەندۈرۈش:

بۆلەك نومۇرى :WSD40120DN56G

BVDSS :40V

ID :120A

RDSON :1.4mΩ 

Channel :N-channel

Package :DFN5X6-8


مەھسۇلات تەپسىلاتى

ئىلتىماس

مەھسۇلات خەتكۈچلىرى

WINSOK MOSFET مەھسۇلات ئومۇمىي ئەھۋالى

WSD40120DN56G MOSFET نىڭ توك بېسىمى 40V ، توك 120A ، قارشىلىق كۈچى 1.4mΩ ، قانال N- قانال ، ئورالمىسى DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET قوللىنىشچان رايون

ئېلېكترونلۇق تاماكا MOSFET ، سىمسىز توك قاچىلاش MOSFET ، ئۇچقۇچىسىز ئايروپىلان MOSFET ، داۋالاش مۇلازىمىتى MOSFET ، ماشىنا توك قاچىلىغۇچ MOSFET ، كونتروللىغۇچ MOSFET ، رەقەملىك مەھسۇلات MOSFET ، كىچىك ئائىلە ئېلېكتر سايمانلىرى MOSFET ، ئىستېمال ئېلېكترونلىرى MOSFET.

WINSOK MOSFET باشقا ماركا ماتېرىيال نومۇرىغا ماس كېلىدۇ

AOS MOSFET AON6234 ، AON6232 ، AON623.ST مىكرو ئېلېكترون MOSFET STL14N4F7AG.

MOSFET پارامېتىرلىرى

بەلگە

پارامېتىر

باھا

Units

VDS

Drain-Source Voltage

40

V

VGS

Gate-Source Voltage

±20

V

ID@TC= 25

ئۈزلۈكسىز سۇ چىقىرىش ئېقىمى ، V.GS@ 10V1

120

A

ID@TC= 100

ئۈزلۈكسىز سۇ چىقىرىش ئېقىمى ، V.GS@ 10V1

82

A

IDM

Pulsed Drain Current2

400

A

EAS

يەككە تومۇر قار كۆچۈش ئېنېرگىيىسى3

400

mJ

IAS

Avalanche Current

40

A

PD@TC= 25

ئومۇمىي توك تارقىتىش4

125

W

TSTG

ساقلاش تېمپېراتۇرىسى دائىرىسى

-55 دىن 150 گىچە

TJ

مەشغۇلات ئۇلىنىش تېمپېراتۇرىسى دائىرىسى

-55 دىن 150 گىچە

 

بەلگە

پارامېتىر

شەرتلەر

Min.

تىپ.

Max.

بىرلىك

BVDSS

سۇ چىقىرىش مەنبەسى بۇزۇلۇش بېسىمى VGS= 0V, I.D= 250uA

40

---

---

V

BVDSS / △ TJ

BVDSSتېمپېراتۇرا كوئېففىتسېنتى پايدىلانما 25, I.D= 1mA

---

0.043

---

V/

RDS (ON)

تۇراقلىق سۇ چىقىرىش مەنبەسى2 VGS = 10V, I.D= 20A

---

1.4

1.8

mΩ

RDS (ON)

تۇراقلىق سۇ چىقىرىش مەنبەسى2 VGS = 4.5V, I.D= 20A

---

2.0

2.6

VGS (th)

دەرۋازا بوسۇغىسى بېسىمى VGS=VDS, I.D= 250uA

1.2

1.6

2.2

V

VGS (th)

VGS (th)تېمپېراتۇرا كوئېففىتسېنتى

---

-6.94

---

mV /

IDSS

Drain-Source Leakage Current VDS= 32V, V.GS= 0V, T.J= 25

---

---

1

uA

VDS= 32V, V.GS= 0V, T.J= 55

---

---

5

IGSS

دەرۋازا مەنبە ئېقىمى ئېقىمى VGS=±20V, V.DS= 0V

---

---

±100

nA

gfs

ئالغا ئىلگىرىلەش VDS= 5V, I.D= 20A

---

53

---

S

Rg

دەرۋازا قارشىلىقى VDS= 0V, V.GS= 0V, f = 1MHz

---

1.0

---

Ω

Qg

ئومۇمىي دەرۋازا ھەققى (10V) VDS= 15V, V.GS= 10V, I.D= 20A

---

45

---

nC

Qgs

دەرۋازا مەنبەسى

---

12

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

18.5

---

Td (on)

كېچىكتۈرۈش ۋاقتى VDD= 15V, V.GEN= 10V, R.G= 3.3Ω, I.D= 20A, RL = 15Ω.

---

18.5

---

ns

Tr

Rise Time

---

9

---

Td (off)

تاقاش ۋاقتى

---

58.5

---

Tf

چۈشۈش ۋاقتى

---

32

---

Cتارقىتىش

كىرگۈزۈش ئىقتىدارى VDS= 20V, V.GS= 0V, f = 1MHz --- 3972 ---

pF

كوس

چىقىرىش ئىقتىدارى

---

1119 ---

Crss

تەتۈر يۆتكىلىش ئىقتىدارى

---

82

---

  • ئالدىنقى:
  • كېيىنكى:

  • ئۇچۇرىڭىزنى بۇ يەرگە يېزىڭ ۋە بىزگە ئەۋەتىڭ