WSD40120DN56 N- قانال 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET مەھسۇلات ئومۇمىي ئەھۋالى
WSD40120DN56 MOSFET نىڭ توك بېسىمى 40V ، توك 120A ، قارشىلىق كۈچى 1.85mΩ ، قانال N- قانال ، ئورالمىسى DFN5X6-8.
WINSOK MOSFET قوللىنىشچان رايون
ئېلېكترونلۇق تاماكا MOSFET ، سىمسىز توك قاچىلاش MOSFET ، ئۇچقۇچىسىز ئايروپىلان MOSFET ، داۋالاش مۇلازىمىتى MOSFET ، ماشىنا توك قاچىلىغۇچ MOSFET ، كونتروللىغۇچ MOSFET ، رەقەملىك مەھسۇلات MOSFET ، كىچىك ئائىلە ئېلېكتر سايمانلىرى MOSFET ، ئىستېمال ئېلېكترونلىرى MOSFET.
WINSOK MOSFET باشقا ماركا ماتېرىيال نومۇرىغا ماس كېلىدۇ
AOS MOSFET AON6234, AON6232, AON623.Onsemi, FAIRCHILD MOSFET NVMFS5C442NL. ET PJQ544.NIKO-SEM MOSFET PKCSBB.POTENS يېرىم ئۆتكۈزگۈچ MOSFET PDC496X.
MOSFET پارامېتىرلىرى
| بەلگە | پارامېتىر | باھا | Units |
| VDS | Drain-Source Voltage | 40 | V |
| VGS | Gate-Source Voltage | ±20 | V |
| ID@TC= 25℃ | ئۈزلۈكسىز سۇ چىقىرىش ئېقىمى ، V.GS@ 10V1,7 | 120 | A |
| ID@TC= 100℃ | ئۈزلۈكسىز سۇ چىقىرىش ئېقىمى ، V.GS@ 10V1,7 | 100 | A |
| IDM | Pulsed Drain Current2 | 400 | A |
| EAS | يەككە تومۇر قار كۆچۈش ئېنېرگىيىسى3 | 240 | mJ |
| IAS | Avalanche Current | 31 | A |
| PD@TC= 25℃ | ئومۇمىي توك تارقىتىش4 | 104 | W |
| TSTG | ساقلاش تېمپېراتۇرىسى دائىرىسى | -55 دىن 150 گىچە | ℃ |
| TJ | مەشغۇلات ئۇلىنىش تېمپېراتۇرىسى دائىرىسى | -55 دىن 150 گىچە | ℃ |
| بەلگە | پارامېتىر | شەرتلەر | Min. | تىپ. | Max. | بىرلىك |
| BVDSS | سۇ چىقىرىش مەنبەسى بۇزۇلۇش بېسىمى | VGS= 0V, I.D= 250uA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS / △ TJ | BVDSSتېمپېراتۇرا كوئېففىتسېنتى | پايدىلانما 25℃, I.D= 1mA | --- | 0.043 | --- | V/℃ |
| RDS (ON) | تۇراقلىق سۇ چىقىرىش مەنبەسى2 | VGS = 10V, I.D= 30A | --- | 1.85 | 2.4 | mΩ |
| RDS (ON) | تۇراقلىق سۇ چىقىرىش مەنبەسى2 | VGS = 4.5V, I.D= 20A | --- | 2.5 | 3.3 | mΩ |
| VGS (th) | دەرۋازا بوسۇغىسى بېسىمى | VGS=VDS, I.D= 250uA | 1.5 | 1.8 | 2.5 | V |
| △VGS (th) | VGS (th)تېمپېراتۇرا كوئېففىتسېنتى | --- | -6.94 | --- | mV /℃ | |
| IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS= 32V, V.GS= 0V, T.J= 25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS= 32V, V.GS= 0V, T.J= 55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | دەرۋازا مەنبە ئېقىمى ئېقىمى | VGS=±20V, V.DS= 0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | ئالغا ئىلگىرىلەش | VDS= 5V, I.D= 20A | --- | 55 | --- | S |
| Rg | دەرۋازا قارشىلىقى | VDS= 0V, V.GS= 0V, f = 1MHz | --- | 1.1 | 2 | Ω |
| Qg | ئومۇمىي دەرۋازا ھەققى (10V) | VDS= 20V, V.GS= 10V, I.D= 10A | --- | 76 | 91 | nC |
| Qgs | دەرۋازا مەنبەسى | --- | 12 | 14.4 | ||
| Qgd | Gate-Drain Charge | --- | 15.5 | 18.6 | ||
| Td (on) | كېچىكتۈرۈش ۋاقتى | VDD= 30V, V.GEN= 10V, R.G=1Ω, I.D= 1A, RL = 15Ω. | --- | 20 | 24 | ns |
| Tr | Rise Time | --- | 10 | 12 | ||
| Td (off) | تاقاش ۋاقتى | --- | 58 | 69 | ||
| Tf | چۈشۈش ۋاقتى | --- | 34 | 40 | ||
| Cتارقىتىش | كىرگۈزۈش ئىقتىدارى | VDS= 20V, V.GS= 0V, f = 1MHz | --- | 4350 | --- | pF |
| كوس | چىقىرىش ئىقتىدارى | --- | 690 | --- | ||
| Crss | تەتۈر يۆتكىلىش ئىقتىدارى | --- | 370 | --- |
