WSD30300DN56G N- قانال 30V 300A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

مەھسۇلاتلار

WSD30300DN56G N- قانال 30V 300A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

قىسقا چۈشەندۈرۈش:

بۆلەك نومۇرى :WSD30300DN56G

BVDSS :30V

ID :300A

RDSON :0.7mΩ 

Channel :N-channel

Package :DFN5X6-8


مەھسۇلات تەپسىلاتى

ئىلتىماس

مەھسۇلات خەتكۈچلىرى

WINSOK MOSFET مەھسۇلات ئومۇمىي ئەھۋالى

WSD20100DN56 MOSFET نىڭ توك بېسىمى 20V ، توك 90A ، قارشىلىق كۈچى 1.6mΩ ، قانال N- قانال ، ئورالمىسى DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET قوللىنىشچان رايون

ئېلېكترونلۇق تاماكا MOSFET ، ئۇچقۇچىسىز ئايروپىلان MOSFET ، ئېلېكتر ئەسۋابلىرى MOSFET ، فاشىيا مىلتىقى MOSFET ، PD MOSFET ، كىچىك ئائىلە ئېلېكتر سايمانلىرى MOSFET.

WINSOK MOSFET باشقا ماركا ماتېرىيال نومۇرىغا ماس كېلىدۇ

AOS MOSFET AON6572.

POTENS يېرىم ئۆتكۈزگۈچ MOSFET PDC394X.

MOSFET پارامېتىرلىرى

بەلگە

پارامېتىر

باھا

Units

VDS

Drain-Source Voltage

20

V

VGS

دەرۋازا مەنبەلىك توك بېسىمى

± 12

V

ID@TC= 25 ℃

ئۈزلۈكسىز سۇ چىقىرىش1

90

A

ID@TC= 100 ℃

ئۈزلۈكسىز سۇ چىقىرىش1

48

A

IDM

Pulsed Drain Current2

270

A

EAS

يەككە تومۇر قار كۆچۈش ئېنېرگىيىسى3

80

mJ

IAS

Avalanche Current

40

A

PD@TC= 25 ℃

ئومۇمىي توك تارقىتىش4

83

W

TSTG

ساقلاش تېمپېراتۇرىسى دائىرىسى

-55 دىن 150 گىچە

TJ

مەشغۇلات ئۇلىنىش تېمپېراتۇرىسى دائىرىسى

-55 دىن 150 گىچە

RθJA

ئىسسىققا قارشى تۇرۇش ئېغىزى1(t10S)

20

/W

RθJA

ئىسسىققا قارشى تۇرۇش ئېغىزى1(مۇقىم دۆلەت)

55

/W

RθJC

ئىسسىققا قارشى تۇرۇش ئېغىزى1

1.5

/W

 

بەلگە

پارامېتىر

شەرتلەر

Min

تىپ

Max

بىرلىك

BVDSS

سۇ چىقىرىش مەنبەسى بۇزۇلۇش بېسىمى VGS = 0V, ID = 250uA

20

23

---

V

VGS (th)

دەرۋازا بوسۇغىسى بېسىمى VGS = VDS, ID = 250uA

0.5

0.68

1.0

V

RDS (ON)

تۇراقلىق سۇ چىقىرىش مەنبەسى2 VGS = 10V, ID = 20A

---

1.6

2.0

RDS (ON)

تۇراقلىق سۇ چىقىرىش مەنبەسى2 VGS = 4.5V ، ID = 20A  

1.9

2.5

RDS (ON)

تۇراقلىق سۇ چىقىرىش مەنبەسى2 VGS = 2.5V ، ID = 20A

---

2.8

3.8

IDSS

Drain-Source Leakage Current VDS = 16V, VGS = 0V, TJ = 25

---

---

1

uA

VDS = 16V, VGS = 0V, TJ = 125

---

---

5

IGSS

دەرۋازا مەنبە ئېقىمى ئېقىمى VGS = ± 10V ، VDS = 0V

---

---

± 10

uA

Rg

دەرۋازا قارشىلىقى VDS = 0V, VGS = 0V, f = 1MHz

---

1.2

---

Ω

Qg

ئومۇمىي دەرۋازا ھەققى (10V) VDS = 15V ، VGS = 10V ، ID = 20A

---

77

---

nC

Qgs

دەرۋازا مەنبەسى

---

8.7

---

Qgd

Gate-Drain Charge

---

14

---

Td (on)

كېچىكتۈرۈش ۋاقتى VDD = 15V, VGS = 10V, RG = 3,

ID = 20A

---

10.2

---

ns

Tr

Rise Time

---

11.7

---

Td (off)

تاقاش ۋاقتى

---

56.4

---

Tf

چۈشۈش ۋاقتى

---

16.2

---

Ciss

كىرگۈزۈش ئىقتىدارى VDS = 10V, VGS = 0V, f = 1MHz

---

4307

---

pF

كوس

چىقىرىش ئىقتىدارى

---

501

---

Crss

تەتۈر يۆتكىلىش ئىقتىدارى

---

321

---

IS

ئۈزلۈكسىز مەنبە1.5 VG=VD= 0V, Force Current

---

---

50

A

VSD

دىئود ئالدى توك بېسىمى2 VGS = 0V, IS = 1A, TJ = 25

---

---

1.2

V

trr

ئەسلىگە كەلتۈرۈش ۋاقتى IF = 20A, di / dt = 100A / µs,

TJ= 25

---

22

---

nS

Qrr

ئەسلىگە كەلتۈرۈش ھەققى

---

72

---

nC


  • ئالدىنقى:
  • كېيىنكى:

  • ئۇچۇرىڭىزنى بۇ يەرگە يېزىڭ ۋە بىزگە ئەۋەتىڭ