WSD3023DN56 N-Ch ۋە P- قانال 30V / -30V 14A / -12A DFN5 * 6-8 WINSOK MOSFET

قىسقا چۈشەندۈرۈش:

مودېل نومۇرى:WSD3023DN56

BVDSS:30V / -30V

RDSON:14mΩ / 23mΩ

كىملىك:14A / -12A

Channel:N-Ch and P-Channel

ئورالمىسى:DFN5 * 6-8

مەھسۇلات خۇلاسىسى:WSD3023DN56 MOSFET نىڭ توك بېسىمى 30V / -30V ، نۆۋەتتىكى 14A / -12A ، قارشىلىق كۈچى 14mΩ / 23mΩ ، قانال N-Ch ۋە P- قانال ، ئورالمىسى DFN5 * 6-8.

قوللىنىشچان پروگراممىلار:ئۇچقۇچىسىز ئايروپىلان ، ماتور ، ماشىنا ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرى ، ئاساسلىق ئېلېكتر سايمانلىرى.

بىزگە ئېلخەت يوللاڭ PDF

مەھسۇلات تەپسىلاتى

ئىلتىماس

مەھسۇلات خەتكۈچلىرى

ئادەتتىكى چۈشەندۈرۈش

WSD3023DN56 ئەڭ يۇقىرى ئىقتىدارلىق ھۈجەيرە N-ch ۋە P-ch MOSFETs بولۇپ ، ئىنتايىن يۇقىرى ھۈجەيرە زىچلىقى بار ، ماس قەدەملىك پۇل ئالماشتۇرۇش پروگراممىلىرىنىڭ كۆپىنچىسى ئۈچۈن ئېسىل RDSON ۋە دەرۋازا ھەققى بىلەن تەمىنلەيدۇ. WSD3023DN56 RoHS ۋە يېشىل مەھسۇلات تەلىپىگە 100% EAS تولۇق ئىقتىدارنىڭ ئىشەنچلىكلىكى بىلەن كاپالەتلىك قىلىنغان.

Features

ئىلغار يۇقىرى ھۈجەيرە زىچلىقى ئۆستەڭ تېخنىكىسى ، دەرىجىدىن تاشقىرى تۆۋەن دەرۋازا توك قاچىلاش ، ئېسىل CdV / dt ئۈنۈم تۆۋەنلەش ،% 100 EAS كاپالەتكە ئىگە ، يېشىل ئۈسكۈنىلەر بار.

قوللىنىشچان پروگراممىلار

MB / NB / UMPC / VGA ئۈچۈن يۇقىرى چاستوتىلىق ماس قەدەملىك باك ئايلاندۇرغۇچ ، تور DC-DC ئېلېكتر سىستېمىسى ، CCFL ئارقا يورۇقلۇق ئىنۋېرتېر ، ئۇچقۇچىسىز ئايروپىلان ، ماتور ، ماشىنا ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرى ، ئاساسلىق ئېلېكتر سايمانلىرى.

ماس كېلىدىغان ماتېرىيال نومۇرى

PANJIT PJQ5606

مۇھىم پارامېتىرلار

بەلگە	پارامېتىر	باھا		Units
بەلگە	پارامېتىر	N-Ch	P-Ch	Units
VDS	Drain-Source Voltage	30	-30	V
VGS	دەرۋازا مەنبەلىك توك بېسىمى	± 20	± 20	V
ID	ئۈزلۈكسىز سۇ چىقىرىش ئېقىمى ، VGS (NP) = 10V ، Ta = 25 ℃	14 *	-12	A
ID	ئۈزلۈكسىز سۇ چىقىرىش ئېقىمى ، VGS (NP) = 10V ، Ta = 70 ℃	7.6	-9.7	A
IDP a	تومۇر سوقۇش ئېقىمى سىناق قىلىنغان ، VGS (NP) = 10V	48	-48	A
EAS c	قار كۆچۈش ئېنېرگىيىسى ، يەككە تومۇر ، L = 0.5mH	20	20	mJ
IAS c	قار كۆچۈش ئېقىمى ، يەككە تومۇر ، L = 0.5mH	9	-9	A
PD	ئومۇمىي توك تارقىتىش ، Ta = 25 ℃	5.25	5.25	W
TSTG	ساقلاش تېمپېراتۇرىسى دائىرىسى	-55 دىن 175 گىچە	-55 دىن 175 گىچە	℃
TJ	مەشغۇلات ئۇلىنىش تېمپېراتۇرىسى دائىرىسى	175	175	℃
RqJA b	تۇراقلىق ھالەتتىكى مۇھىتقا قارشى تۇرۇش-تۇتاشتۇرۇش	60	60	℃ / W.
RqJC	تۇراقلىق ھالەتتىكى ئىسسىققا قارشى تۇرۇش-تۇتاشتۇرۇش	6.25	6.25	℃ / W.

بەلگە	پارامېتىر	شەرتلەر	Min.	تىپ.	Max.	بىرلىك
BVDSS	سۇ چىقىرىش مەنبەسى بۇزۇلۇش بېسىمى	VGS = 0V, ID = 250uA	30	---	---	V
RDS (ON) d	تۇراقلىق سۇ چىقىرىش مەنبەسى	VGS = 10V, ID = 8A	---	14	18.5	mΩ
RDS (ON) d	تۇراقلىق سۇ چىقىرىش مەنبەسى	VGS = 4.5V ، ID = 5A	---	17	25	mΩ
VGS (th)	دەرۋازا بوسۇغىسى بېسىمى	VGS = VDS, ID = 250uA	1.3	1.8	2.3	V
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS = 20V, VGS = 0V, TJ = 25 ℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS = 20V, VGS = 0V, TJ = 85 ℃	---	---	30	uA
IGSS	دەرۋازا مەنبە ئېقىمى ئېقىمى	VGS = ± 20V ، VDS = 0V	---	---	± 100	nA
Rg	دەرۋازا قارشىلىقى	VDS = 0V, VGS = 0V, f = 1MHz	---	1.7	3.4	Ω
Qge	ئومۇمىي دەرۋازا ھەققى	VDS = 15V ، VGS = 4.5V ، IDS = 8A	---	5.2	---	nC
Qgse	دەرۋازا مەنبە ھەققى		---	1.0	---
Qgde	Gate-Drain Charge		---	2.8	---
Td (on) e	كېچىكتۈرۈش ۋاقتى	VDD = 15V, RL = 15R, IDS = 1A, VGEN = 10V, RG = 6R.	---	6	---	ns
Tre	Rise Time		---	8.6	---
Td (off) e	تاقاش ۋاقتى		---	16	---
Tfe	چۈشۈش ۋاقتى		---	3.6	---
Cisse	كىرگۈزۈش ئىقتىدارى	VDS = 15V, VGS = 0V, f = 1MHz	---	545	---	pF
Cosse	چىقىرىش ئىقتىدارى		---	95	---
Crsse	تەتۈر يۆتكىلىش ئىقتىدارى		---	55	---