WSD100N15DN56G N- قانال 150V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

قىسقا چۈشەندۈرۈش:

بۆلەك نومۇرى ：WSD100N15DN56G

BVDSS ：150V

ID ：100A

RDSON ：6mΩ

Channel ：N-channel

Package ：DFN5X6-8

بىزگە ئېلخەت يوللاڭ PDF

مەھسۇلات تەپسىلاتى

ئىلتىماس

مەھسۇلات خەتكۈچلىرى

WINSOK MOSFET مەھسۇلات ئومۇمىي ئەھۋالى

WSD100N15DN56G MOSFET نىڭ توك بېسىمى 150V ، توك 100A ، قارشىلىق كۈچى 6mΩ ، قانال N- قانال ، ئورالمىسى DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET قوللىنىشچان رايون

داۋالاش قۇۋۋىتى MOSFET ، PDs MOSFET ، ئۇچقۇچىسىز ئايروپىلان MOSFET ، ئېلېكترونلۇق تاماكا MOSFET ، ئاساسلىق ئېلېكتر سايمانلىرى MOSFET ۋە MOSFET ئېلېكتر قوراللىرى بىلەن تەمىنلەيدۇ.

MOSFET پارامېتىرلىرى

بەلگە	پارامېتىر	باھا	Units
VDS	Drain-Source Voltage	150	V
VGS	دەرۋازا مەنبەلىك توك بېسىمى	± 20	V
ID	ئۈزلۈكسىز سۇ چىقىرىش ئېقىمى ، V._GS@ 10V (T._C= 25 ℃)	100	A
IDM	Pulsed Drain Current	360	A
EAS	يەككە تومۇر قار كۆچۈش ئېنېرگىيىسى	400	mJ
P_D	ئومۇمىي توك تارقىتىش ..._C= 25 ℃)	160	W
RθJA	ئىسسىقلىق قارشىلىقى ، تۇتاشتۇرۇش مۇھىتى	62	℃ / W.
RθJC	ئىسسىقلىق قارشىلىقى ، تۇتاشتۇرۇش قېپى	0.78	℃ / W.
TSTG	ساقلاش تېمپېراتۇرىسى دائىرىسى	-55 دىن 175 گىچە	℃
T_J	مەشغۇلات ئۇلىنىش تېمپېراتۇرىسى دائىرىسى	-55 دىن 175 گىچە	℃

بەلگە	پارامېتىر	شەرتلەر	Min.	تىپ.	Max.	بىرلىك
BV_DSS	سۇ چىقىرىش مەنبەسى بۇزۇلۇش بېسىمى	V_GS= 0V, I._D= 250uA	150	---	---	V
RDS (ON)	تۇراقلىق سۇ چىقىرىش مەنبەسى²	V_GS= 10V, I._D= 20A	---	9	12	mΩ
VGS (th)	دەرۋازا بوسۇغىسى بېسىمى	V_GS=V_DS, I._D= 250uA	2.0	3.0	4.0	V
IDSS	Drain-Source Leakage Current	V_DS= 100V, V._GS= 0V, T._J= 25 ℃	---	---	1	uA
IGSS	دەرۋازا مەنبە ئېقىمى ئېقىمى	V_GS= ± 20V, V._DS= 0V	---	---	± 100	nA
Q_g	ئومۇمىي دەرۋازا ھەققى	V_DS= 50V, V._GS= 10V, I._D= 20A	---	66	---	nC
Q_gs	دەرۋازا مەنبە ھەققى		---	26	---
Q_gd	Gate-Drain Charge		---	18	---
Td (on)	كېچىكتۈرۈش ۋاقتى	V_DD= 50V,V_GS= 10V R_G= 2Ω, I_D= 20A	---	37	---	ns
T_r	Rise Time		---	98	---
Td (off)	تاقاش ۋاقتى		---	55	---
T_f	چۈشۈش ۋاقتى		---	20	---
C_{تارقىتىش}	كىرگۈزۈش ئىقتىدارى	V_DS= 30V, V._GS= 0V, f = 1MHz	---	5450	---	pF
كوس	چىقىرىش ئىقتىدارى		---	1730	---
C_rss	تەتۈر يۆتكىلىش ئىقتىدارى		---	195	---